威兆半導體推出的VS3618AE是一款面向 30V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，具備快速開關特性與高能量轉換效率，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于 DC/DC 轉換器、同步整流、負載開關等低壓大電流領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值6.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值8.4mΩ，低壓場景下傳導損耗較低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)）：
    • \(V_{GS}=10V\)時：\(T=25^\circ\text{C}\)為50A，\(T=100^\circ\text{C}\)降額為32A；
    • \(V_{GS}=4.5V\)時：\(T=25^\circ\text{C}\)為36A，\(T=100^\circ\text{C}\)降額為23A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：160A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 增強型模式：適配常規功率轉換拓撲的開關控制需求；
• 快速開關 + 高能量效率：開關速度優異，提升系統能量轉換效率；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 36mJ，感性負載開關場景下穩定性強；
• 環保合規：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標準，同時滿足無鹵要求，適配綠色電子制造需求。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3333 表面貼裝封裝，包裝規格為 1000pcs / 卷，適配小型化、高密度電路板設計；
• 典型應用：
  • DC/DC 轉換器：在低壓降壓拓撲中作為開關管，平衡損耗與電流承載能力；
  • 同步整流：適配低壓電源的同步整流回路，降低整流損耗；
  • 負載開關：用于中功率負載的通斷管理，支持各類設備的電源控制。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）