仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向 30V 低壓超大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借 2.4mΩ 超低導通電阻、120A 超大連續電流及優異散熱封裝，適用于功率開關應用、硬開關高頻電路、不間斷電源等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓超大電流供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值2.4mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值3.8mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時120A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為84A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達420A，滿足負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 高密度單元設計：通過優化的單元架構實現超低導通電阻，大幅提升電流密度，適配超大電流功率轉換場景；
• 優異散熱封裝：TO-252 封裝具備良好熱 dissipation 能力，結 - 殼熱阻（\(R_{thJC}\)）僅1.25℃/W，大電流工況下結溫控制更穩定；
• 高雪崩可靠性：單脈沖雪崩能量達350mJ，在感性負載開關、異常過壓工況下可靠性強。

三、關鍵電氣參數（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：120W，實際應用需結合散熱設計（如散熱墊、金屬基板）保障長期可靠工作；
• 結溫范圍（\(T_J\)）：-55~+175℃，存儲溫度范圍與結溫區間一致。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的空間約束；
• 典型應用：
  • 功率開關應用：在各類功率開關回路中作為核心開關，2.4mΩ 低導通電阻大幅降低傳導損耗；
  • 硬開關與高頻電路：適配高頻硬開關拓撲（如電源模塊、負載切換），高電流與低損耗特性保障開關穩定性；
  • 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統的功率回路中，兼顧 30V 耐壓與 120A 大電流，保障供電穩定性與效率。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）