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選型手冊:MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-11-14 16:04 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT2718J是一款 P - 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,憑借 -20V 耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力,適用于 PWM 應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)電源管理等場景。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:P - 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
  • 核心參數(shù)
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):-20V,適配低壓負(fù)電源供電場景;
    • 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=-2.5V\)時(shí)典型值16.5mΩ,\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí)典型值13mΩ,低壓場景下導(dǎo)通損耗極低;
    • 連續(xù)漏極電流(\(I_D\)):-10A(\(T_c=25^\circ\text{C}\)),\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為-6.5A;脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達(dá) **-40A**,滿足負(fù)載瞬時(shí)過載需求。

二、核心特性

  • 低導(dǎo)通電阻與高功率處理:13~16.5mΩ 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),搭配 -10A 連續(xù)電流能力,大幅降低低壓負(fù)電源場景下的傳導(dǎo)損耗,支持高效功率管理;
  • 表面貼裝封裝適配:采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的小型化設(shè)計(jì)需求;
  • 多場景適配性:PWM 控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場景均可高效應(yīng)用,滿足不同功率拓?fù)涞拈_關(guān)需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±12V柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 功耗(\(P_D\)):13W,實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合 PCB 敷銅、散熱焊盤等設(shè)計(jì)保障長期可靠工作;
  • 雪崩特性:單脈沖雪崩能量(\(E_{AS}\))達(dá)25mJ,在感性負(fù)載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強(qiáng);
  • 熱特性:結(jié)殼熱阻(\(R_{thJC}\))9.3℃/W,需通過封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理;
  • 結(jié)溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應(yīng)用場景

  • 封裝形式:PDFN3X3-8L 表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的空間約束;
  • 典型應(yīng)用
    • PWM 應(yīng)用:在 PWM 控制的功率回路中作為開關(guān)管,低導(dǎo)通電阻特性提升控制精度與效率;
    • 負(fù)載開關(guān):用于各類電子設(shè)備的負(fù)載通斷控制,-10A 電流能力支持中功率負(fù)載切換;
    • 電源管理:為低壓負(fù)電源系統(tǒng)的電源分配、電壓調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)提供高效開關(guān),保障電源管理穩(wěn)定性。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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