仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向 -100V 低壓大電流場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，憑借超低導通電阻、18A 大電流承載能力及 PDFN 小型化封裝，廣泛適用于 DC/DC 轉換器等高效電源轉換場景。

一、產品基本信息

MOT1793G 為 P 溝道增強型功率 MOSFET，漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）達 -100V；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）表現優異，\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值為 95mΩ，\(V_{GS}=-10V\)時典型值為 85mΩ；連續漏極電流（\(I_D\)）在\(T_c=25^\circ\text{C}\)時為 -18A。

二、核心特性

• 超低導通電阻：在 -4.5V、-10V 柵壓下分別實現 95mΩ、85mΩ 超低導通電阻，大幅降低低壓大電流場景下的導通損耗。
• 小型化封裝：采用 PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，適配高密度電路板的空間約束，每卷 5000 片，滿足批量生產需求。
• 環保合規性：采用無鉛引腳鍍層，符合 RoHS 標準，適配綠色電子制造要求。
• 大電流魯棒性：脈沖漏極電流達 -72A，可應對負載短時大電流沖擊，在 DC/DC 轉換器的功率切換中可靠性強。

三、關鍵電氣參數

柵源極電壓最大值為 ±20V；連續漏極電流在\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為 -12A；最大功耗為 70W；結殼熱阻（\(R_{JC}\)）為 1.79℃/W；工作及存儲結溫范圍為 -55~+150℃。

四、封裝與應用場景

封裝形式為 PDFN5X6-8L 表面貼裝封裝，適配小型化、高密度的電源電路設計。典型應用于 DC/DC 轉換器，在同步整流、降壓 / 升壓拓撲中作為 P 溝道主開關管，其超低導通電阻特性可提升電源轉換效率，適配消費電子、工業設備的電源模塊需求。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）