仁懋電子(MOT)推出的MOT6180J是一款面向 60V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,憑借低導通電阻、高可靠性及環保特性,適用于便攜設備、電池供電系統、筆記本電腦電源管理等領域。
一、產品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數:
- 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配低壓大電流供電場景;
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值8mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值10mΩ,低壓場景下傳導損耗極低;
- 連續漏極電流(\(I_D\)):\(T_c=25^\circ\text{C}\)時50A,\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為39A;脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達200A,滿足負載瞬時大電流需求。
二、核心特性
- 低導通電阻:8~10mΩ 導通電阻設計,大幅降低低壓大電流場景下的傳導損耗,提升電源轉換效率;
- 高可靠性與魯棒性:通過100% UIS(單向雪崩耐量)測試和100% Rg 測試,保障異常工況下的電路穩定性;
- 環保合規:RoHS 及無鹵合規,適配綠色電子制造需求;
- 耐用性優異:器件結構可靠,適配便攜設備等高頻使用場景。
三、關鍵電氣參數(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數 | 符號 | 數值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極電壓 | \(V_{DSS}\) | 60 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 連續漏極電流(\(T_c=25^\circ\text{C}\)) | \(I_D\) | 50 | A |
| 連續漏極電流(\(T_c=100^\circ\text{C}\)) | \(I_D\) | 39 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 200 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 350 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 60 | W |
| 結 - 殼熱阻 | \(R_{thJC}\) | 2.1 | ℃/W |
| 結溫 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:PDFN3X3-8L 表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的小型化設計需求;
- 典型應用:
五、信息來源
仁懋電子(MOT)官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。)
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