仁懋電子（MOT）推出的MOT5146T是一款面向 120V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借 4.5mΩ 超低導通電阻、250A 超大電流承載能力及先進溝槽單元設計，適用于高功率系統逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統）、無人機等大功率場景。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：120V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值4.5mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)）：250A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為177A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達396A，滿足負載瞬時超大電流需求。

二、核心特性

• 超級 trench 單元設計：采用先進溝槽結構，大幅降低導通電阻，提升電流密度，適配大電流功率轉換場景；
• 高魯棒性設計：單脈沖雪崩能量達2620mJ，結到環境熱阻（\(R_{thJA}\)）40℃/W，結到殼熱阻（\(R_{thJC}\)）0.45℃/W，大電流工況下結溫控制更穩定；
• 表面貼裝封裝：適配小型化、高功率密度的電源與動力系統設計。

三、關鍵電氣參數（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：375W，實際應用需結合散熱設計（如散熱墊、金屬基板）保障長期可靠工作；
• 結溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結溫區間一致。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：表面貼裝封裝，適配高功率密度的電路設計需求；
• 典型應用：
  • 高功率系統逆變器：在工業或新能源領域的逆變器中作為功率開關，低損耗特性提升能量轉換效率；
  • 輕型電動車與無人機：為電動摩托車、無人機的動力系統提供大電流功率控制，保障動力輸出與系統可靠性；
  • BMS（電池管理系統）：在電池充放電管理回路中，實現大電流高效切換，保障電池安全與性能。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）