仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向 20V 低壓大電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環保特性，適用于便攜設備、電池供電系統、筆記本電腦電源管理等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4.5V\)時典型值5.6mΩ，\(V_{GS}=2.5V\)時典型值6.8mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)時25A，\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為16A；脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達100A，滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

• 低導通電阻：5.6~6.8mΩ 導通電阻設計，大幅降低低壓大電流場景下的傳導損耗，提升電源轉換效率；
• 高可靠性與魯棒性：通過 100% UIS（單向雪崩耐量）和 Rg 測試，保障異常工況下的電路可靠性；
• 環保合規：RoHS 合規且無鹵，適配綠色電子制造需求；
• 多封裝適配：采用 TO-252 表面貼裝封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的空間約束。

三、關鍵電氣參數（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±12V，柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：13W，實際應用需結合 PCB 敷銅、散熱焊盤等設計保障長期可靠工作；
• 雪崩特性：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）49mJ，感性負載開關場景下可靠性強；
• 結溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結溫區間一致。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的小型化設計需求；
• 典型應用：
  • 便攜設備與電池供電系統：為手機、平板等便攜設備的電源回路提供高效開關控制，保障續航與性能；
  • 筆記本電腦電源管理：在筆記本的電源分配、電壓調節環節作為核心開關器件，實現低損耗功率管理。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）