揚杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產品
揚杰科技最新推出了一系列用于PD電源的N100V MOSFET產品
#1產品介紹
N100V MOSFET產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
產品優勢：
1.采用最新優化的SGT工藝, 產品內阻低，開關特性優異；
2.采用PDFN5*6-8L 封裝，適用于PD電源同步整流應用；
3.針對電源應用的各種工作狀態, 優化MOS產品EAS能力，提高產品的可靠性。
#2電性參數
#3典型應用
PD充電器
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原文標題：新品發布|泰酷啦！N100V MOSFET：給PD電源安排“低耗抗造”超頂內核~
文章出處：【微信號：yangjie-300373，微信公眾號：揚杰科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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