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選型手冊:MOT6929G N+N 增強型 MOSFET 晶體管

深圳市首質誠科技有限公司 ? 2025-11-21 10:24 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT6929G是一款N+N 增強型 MOSFET,集成兩顆 N 溝道單元,憑借 60V 耐壓、低導通電阻及高電流承載能力,適用于電動工具電機驅動、電動汽車機器人等大功率開關場景。

一、產品基本信息

  • 器件類型:N+N 增強型 MOSFET(集成兩顆 N 溝道單元)
  • 核心參數
    • 漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):60V,適配中低壓大電流供電場景;
    • 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)時典型值22.5mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型值28mΩ,低壓場景下導通損耗控制優異;
    • 連續漏極電流(\(I_D\)):\(T_c=25^\circ\text{C}\)時20A,\(T_c=100^\circ\text{C}\)時降額為13A;脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))達80A,滿足負載瞬時大電流需求。

二、核心特性

  • 低導通電阻與柵極電荷:22.5~28mΩ 導通電阻設計,大幅降低低壓大電流場景下的傳導損耗,提升電源轉換效率;
  • 無鉛環保封裝:采用無鉛引腳鍍層,符合 RoHS 標準,適配綠色電子制造需求;
  • 多單元集成優勢:N+N 雙單元集成,可直接應用于電機驅動、橋驅等拓撲,簡化系統設計。

三、關鍵電氣參數(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

  • 柵源極電壓(\(V_{GS}\)):最大值 ±20V,柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞;
  • 功耗:
    • \(T_c=25^\circ\text{C}\)時28W;
    • \(T_c=100^\circ\text{C}\)時11.1W;實際應用需結合散熱設計(如 PCB 敷銅、散熱焊盤)保障長期可靠工作;
  • 雪崩特性:單脈沖雪崩能量(\(E_{AS}\))達13.5mJ,感性負載開關場景下可靠性強;
  • 熱特性:結 - 殼熱阻(\(R_{thJC}\))5.2℃/W
  • 結溫范圍(\(T_J\)):-55~+150℃,存儲溫度范圍與結溫區間一致。

四、封裝與應用場景

  • 封裝形式:PDFN5X6 表面貼裝封裝,每卷 5000 片,適配高密度電路板的空間約束;
  • 典型應用
    • 電動工具電機驅動:在電鉆、電鋸等電動工具的電機橋驅電路中作為功率開關,低損耗特性保障電機動力與效率;
    • 電動汽車機器人:為小型電動機器人、電動汽車的動力系統提供大電流功率控制,保障動力輸出與系統可靠性。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產品手冊(注:以上參數基于手冊標注整理,實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。)

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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