Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設計用于高效電源開關應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK^?^ 8mmx8mm接合無線（BWL）封裝，在VGS 為10V時具有0.00115Ω超低導通電阻，可最大限度地降低導通損耗并提高散熱性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大連續漏極電流和117nC的低柵極電荷，優化用于快速開關和大電流處理，因此非常適合用于同步整流、電機驅動器和高性能直流-直流轉換器。堅固的設計和先進的溝槽技術確保在嚴苛環境中可靠運行。

數據手冊：*附件：Vishay ， Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET?第四代N溝道MOSFET數據手冊.pdf

特性

• TrenchFET第四代功率MOSFET
• 采用節省空間的PowerPAK 8mm x 8mm BWL封裝，具有1mm超薄高度，可最大限度地降低寄生電感，同時最大程度地提高電流能力
• 可濕性側翼封裝提高了可焊性，同時更容易目測檢查焊點可靠性
• 采用熔斷引線，增加源焊盤可焊接面積，實現更穩健的設計
• 低最大RthJC ：0.36°C/W，提高了散熱性能
• 導通電阻低至0.88mΩ（10V時典型值），可最大限度地降低導通時的功率損耗，從而提高效率
• 超低RDS x Qg品質因數(FOM)
• 工作溫度高達+175°C
• 占位面積比D2PAK (TO-263)小50%
• 經100% Rg和UIS測試
• 完全無鉛、無鹵，符合RoHS指令

?Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術解析?

?一、核心產品定位?

Vishay Siliconix推出的SiEH4800EW是一款采用?TrenchFET? Gen IV技術?的N溝道功率MOSFET，具有?80V耐壓?和?175°C最高結溫?能力。其采用?PowerPAK? 8×8 BWL?封裝，專為高效率、高功率密度場景設計，適用于同步整流、電機驅動、電池管理等工業與汽車電子領域。

?二、關鍵技術特性深度解析?

?1. 電氣性能突破?

• ?導通電阻?：
  • ? VGS=10V時典型值0.00088Ω（最大值0.00115Ω） ?
  • ? VGS=7.5V時典型值0.00091Ω（最大值0.00135Ω） ?
• ?柵極電荷?：?典型值140nC?，實現?低開關損耗?
• ?連續漏極電流?：
  • ?TC=25°C時達381A?
  • ?TA=25°C時達34A?
• ?柵極閾值電壓?：? 2V~4V（ID=250μA） ?

?2. 封裝與散熱創新?

• ?PowerPAK? 8×8 BWL封裝?較傳統D2PAK面積縮小50%
• ?熱阻參數?：
  • ?結到環境（RthJA）最大44°C/W?
  • ?結到外殼（RthJC）最大0.36°C/W?
• ?可濕性側翼設計?提升焊接可靠性，支持自動光學檢測（AOI）

?3. 動態特性優化?

• ?開關速度?（VDD=40V, ID=10A）：
  • ?開啟延遲td(on)≤45ns，上升時間tr≤140ns?
  • ?關斷延遲td(off)≤130ns，下降時間tf≤40ns?
• ?體二極管特性?：
  • ?反向恢復時間trr≤165ns?
  • ? 正向壓降VSD≤1.1V（IS=10A） ?

?三、典型應用場景分析?

? 1. 同步整流（開關電源） ?

憑借? 超低RDS(on)×Qg優值（FOM） ?，可在高頻LLC諧振轉換器中替代肖特基二極管，提升效率3%~5%。

?2. 電機驅動控制?

• ? 高連續電流（381A） ? 支持大功率BLDC/PMSM驅動
• ?快速開關特性?減少死區時間損耗，適用于工業伺服與電動汽車電控

? 3. 電池管理系統（BMS） ?

• ?80V耐壓?覆蓋16S~18S鋰電池組保護
• ?175°C結溫?保障高溫環境下的可靠性

?四、設計關鍵考量?

?1. 驅動要求?

• ?推薦柵極電壓≥7.5V?以充分發揮低導通電阻優勢
• ?柵極電阻需≤1Ω?以避免開關振蕩

?2. 熱管理建議?

• ? 結到外殼熱阻僅0.27°C/W（典型） ?，需通過PCB銅箔或外部散熱器及時導熱
• ?功率降額曲線?顯示TC≥100°C時需線性降低電流負載

?3. 布局優化?

• ?推薦焊盤圖案?包含8個1.10mm×1.05mm的接觸區
• ?底部散熱焊盤尺寸6.00mm×6.00mm?，要求與PCB大面積覆銅連接

?五、性能曲線核心解讀?

1. ?輸出特性?：VGS=10V至4V范圍內呈現?優異線性度?
2. ?轉移特性?：跨導gfs達150S（典型），提供高增益
3. ?導通電阻溫漂?：150°C時RDS(on)增至25°C時的1.6倍

?六、技術趨勢關聯?

• ?第四代TrenchFET技術?通過單元密度優化，實現?RDS(on)與Qg的平衡?
• ?無鉛環保設計?符合歐盟RoHS指令，適配綠色能源發展需求