Vishay SiRS5700DP N溝道150V(D-S)MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET,具有非常低的RDS x Qg 品質(zhì)因數(shù)(FOM)。Vishay SiRS5700DP優(yōu)化了功率效率,器件的RDS(on) 可最大限度地降低導(dǎo)通期間的功率損耗,確保高效運行。該MOSFET經(jīng)過100% Rg 和UIS測試,確保可靠性。該器件還可增強功率耗散并降低熱阻(R thJC ),因此非常適用于高性能應(yīng)用。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Vishay SiRS5700DP N 溝道 150 V (D-S) MOSFET數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- TrenchFET?第五代功率MOSFET
- 超低R
DSx Qg品質(zhì)因數(shù)(FOM)。 - 領(lǐng)先的R
DS(on)可最大限度地降低導(dǎo)通時的功耗 - 100%通過R
g和UIS測試 - 增強功率耗散和更低R
thJC
應(yīng)用電路

Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析:性能優(yōu)勢與應(yīng)用實踐
一、產(chǎn)品概述與核心特性
?Vishay SiRS5700DP? 是一款采用先進TrenchFET? Gen V技術(shù)的N溝道功率MOSFET,專為高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用PowerPAK? SO-8S封裝,具有卓越的功率密度和散熱性能。
關(guān)鍵電氣參數(shù):
- ?漏源電壓?:150 V
- ?最大導(dǎo)通電阻?:在VGS = 10 V時僅0.0056 Ω,在VGS = 7.5 V時為0.0062 Ω
- ?典型柵極電荷?:55 nC
- ?連續(xù)漏極電流?:144 A
二、技術(shù)亮點深度分析
2.1 導(dǎo)通性能優(yōu)化
該MOSFET的?RDS(on) × Qg品質(zhì)因數(shù)?達到了行業(yè)領(lǐng)先水平,這種優(yōu)化的FOM指標直接轉(zhuǎn)化為:
- ?導(dǎo)通損耗顯著降低?:極低的導(dǎo)通電阻確保了在重載條件下的高效率運行
- ?開關(guān)性能優(yōu)異?:優(yōu)化的柵極電荷保證了快速的開關(guān)切換速度
- ?熱管理能力提升?:改進的RthJC參數(shù)增強了器件的功率耗散能力
2.2 封裝技術(shù)創(chuàng)新
?PowerPAK SO-8S? 封裝采用6.00 mm × 5.00 mm的緊湊尺寸,為高功率密度應(yīng)用提供了理想解決方案。無引線設(shè)計優(yōu)化了底部散熱路徑,但需注意終端暴露銅區(qū)域可能無法保證焊錫圓角。
三、極限參數(shù)與安全工作區(qū)
3.1 絕對最大額定值(TA = 25°C)
| 參數(shù) | 符號 | 極限值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDS | 150 | V |
| 連續(xù)漏極電流(TC = 25°C) | ID | 144 | A |
| 脈沖漏極電流 | IDM | 300 | A |
| 最大功率耗散(TC = 70°C) | PD | 68 | W |
3.2 熱阻特性
- ?結(jié)到環(huán)境熱阻?:典型10°C/W,最大15°C/W
- ?結(jié)到外殼熱阻?:典型0.3°C/W,最大0.45°C/W
四、動態(tài)特性與開關(guān)性能
4.1 開關(guān)時序特性(VDD = 75 V,ID ? 10 A)
?在VGEN = 10 V條件下?:
- 開啟延遲時間:15-30 ns
- 上升時間:21-40 ns
- 關(guān)斷延遲時間:40-80 ns
- 下降時間:25-50 ns
4.2 電容特性
- ?輸入電容?:480 pF(典型值)
- ?輸出電容?:73 pF(典型值)
- ?反向傳輸電容?:10 pF(典型值)
五、典型應(yīng)用場景
5.1 同步整流
憑借極低的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性,SiRS5700DP在同步整流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率。
5.2 DC/DC轉(zhuǎn)換器
器件的高電流承載能力和優(yōu)異的熱性能使其成為大功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
5.3 電機驅(qū)動控制
150 V的擊穿電壓和144 A的連續(xù)電流能力適合工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用。
5.4 電源管理系統(tǒng)
在OR-ing和熱插拔開關(guān)應(yīng)用中,器件的快速響應(yīng)能力和可靠性提供了系統(tǒng)級保護。
六、設(shè)計考量與優(yōu)化建議
6.1 柵極驅(qū)動設(shè)計
- 推薦使用10 V柵極驅(qū)動以獲得最優(yōu)導(dǎo)通性能
- 7.5 V驅(qū)動可作為效率和成本折衷方案
5.3 電機驅(qū)動控制
150 V的擊穿電壓和144 A的連續(xù)電流能力適合工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用。
5.4 電源管理系統(tǒng)
在OR-ing和熱插拔開關(guān)應(yīng)用中,器件的快速響應(yīng)能力和可靠性提供了系統(tǒng)級保護。
六、設(shè)計考量與優(yōu)化建議
6.1 柵極驅(qū)動設(shè)計
- 推薦使用10 V柵極驅(qū)動以獲得最優(yōu)導(dǎo)通性能
- 7.5 V驅(qū)動可作為效率和成本折衷方案
6.2 熱管理策略
- 在穩(wěn)態(tài)條件下,最大結(jié)到環(huán)境熱阻為45°C/W
- 建議使用適當?shù)臒岢猎O(shè)計以充分發(fā)揮器件性能
6.3 PCB布局建議
器件提供推薦的焊盤圖案設(shè)計,包括關(guān)鍵尺寸:
- 總體尺寸:6.00 mm × 5.00 mm
- 焊盤間距:1.27 mm(基本尺寸)
-
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