Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的RDS x Qg 品質因數（FOM）。Vishay SiRS5700DP優化了功率效率，器件的RDS(on) 可最大限度地降低導通期間的功率損耗，確保高效運行。該MOSFET經過100% Rg 和UIS測試，確保可靠性。該器件還可增強功率耗散并降低熱阻（R thJC ），因此非常適用于高性能應用。

數據手冊：*附件：Vishay SiRS5700DP N 溝道 150 V (D-S) MOSFET數據手冊.pdf

特性

• TrenchFET?第五代功率MOSFET
• 超低RDS x Qg 品質因數（FOM）。
• 領先的RDS(on) 可最大限度地降低導通時的功耗
• 100%通過Rg 和UIS測試
• 增強功率耗散和更低RthJC

應用電路

Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術深度解析：性能優勢與應用實踐

一、產品概述與核心特性

?Vishay SiRS5700DP? 是一款采用先進TrenchFET? Gen V技術的N溝道功率MOSFET，專為高效能功率轉換應用而設計。該器件采用PowerPAK? SO-8S封裝，具有卓越的功率密度和散熱性能。

關鍵電氣參數：

• ?漏源電壓?：150 V
• ?最大導通電阻?：在VGS = 10 V時僅0.0056 Ω，在VGS = 7.5 V時為0.0062 Ω
• ?典型柵極電荷?：55 nC
• ?連續漏極電流?：144 A

二、技術亮點深度分析

2.1 導通性能優化

該MOSFET的?RDS(on) × Qg品質因數?達到了行業領先水平，這種優化的FOM指標直接轉化為：

• ?導通損耗顯著降低?：極低的導通電阻確保了在重載條件下的高效率運行
• ?開關性能優異?：優化的柵極電荷保證了快速的開關切換速度
• ?熱管理能力提升?：改進的RthJC參數增強了器件的功率耗散能力

2.2 封裝技術創新

?PowerPAK SO-8S? 封裝采用6.00 mm × 5.00 mm的緊湊尺寸，為高功率密度應用提供了理想解決方案。無引線設計優化了底部散熱路徑，但需注意終端暴露銅區域可能無法保證焊錫圓角。

三、極限參數與安全工作區

3.1 絕對最大額定值（TA = 25°C）

3.2 熱阻特性

• ?結到環境熱阻?：典型10°C/W，最大15°C/W
• ?結到外殼熱阻?：典型0.3°C/W，最大0.45°C/W

四、動態特性與開關性能

4.1 開關時序特性（VDD = 75 V，ID ? 10 A）

?在VGEN = 10 V條件下?：

• 開啟延遲時間：15-30 ns
• 上升時間：21-40 ns
• 關斷延遲時間：40-80 ns
• 下降時間：25-50 ns

4.2 電容特性

• ?輸入電容?：480 pF（典型值）
• ?輸出電容?：73 pF（典型值）
• ?反向傳輸電容?：10 pF（典型值）

五、典型應用場景

5.1 同步整流

憑借極低的導通電阻和優化的開關特性，SiRS5700DP在同步整流應用中表現出色，顯著提升電源轉換效率。

5.2 DC/DC轉換器

器件的高電流承載能力和優異的熱性能使其成為大功率DC/DC轉換器的理想選擇。

5.3 電機驅動控制

150 V的擊穿電壓和144 A的連續電流能力適合工業電機驅動應用。

5.4 電源管理系統

在OR-ing和熱插拔開關應用中，器件的快速響應能力和可靠性提供了系統級保護。

六、設計考量與優化建議

6.1 柵極驅動設計

• 推薦使用10 V柵極驅動以獲得最優導通性能
• 7.5 V驅動可作為效率和成本折衷方案

5.3 電機驅動控制

150 V的擊穿電壓和144 A的連續電流能力適合工業電機驅動應用。

5.4 電源管理系統

在OR-ing和熱插拔開關應用中，器件的快速響應能力和可靠性提供了系統級保護。

六、設計考量與優化建議

6.1 柵極驅動設計

• 推薦使用10 V柵極驅動以獲得最優導通性能
• 7.5 V驅動可作為效率和成本折衷方案

6.2 熱管理策略

• 在穩態條件下，最大結到環境熱阻為45°C/W
• 建議使用適當的熱沉設計以充分發揮器件性能

6.3 PCB布局建議

器件提供推薦的焊盤圖案設計，包括關鍵尺寸：

• 總體尺寸：6.00 mm × 5.00 mm
• 焊盤間距：1.27 mm（基本尺寸）