Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝MOSFET

　　Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器件，體積較同類的器件纖薄50%。同系列另一采用DFN2020E封裝的MOSFET則具有0.5毫米離板高度，較其他一般離板高度為0.6毫米的MOSFET纖薄20%。

　　DMP2039UFDE4針對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用，為電路設(shè)計(jì)人員提供3kV的電路保護(hù)，以免受人體本身的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS（on）的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，使電池充電應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗減至最少。

　　20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降壓及升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)，成為理想的負(fù)載開(kāi)關(guān)或高速開(kāi)關(guān)，并提供2kV的高靜電放電保護(hù)。DMN6040UFDE將會(huì)是首批采用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一，在60V的VDS下運(yùn)行，并適合應(yīng)用于系統(tǒng)微型化設(shè)計(jì)行業(yè) （Small form-factor industrial）及供熱通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng) （HVAC）控制。

　　新產(chǎn)品特別適合應(yīng)用于極纖巧的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)，例如智能手機(jī)、平板電腦及數(shù)碼相機(jī)。首批MOSFET系列九款產(chǎn)品包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET及12V、20V及60V的 N通道MOSFET器件。

　　如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請(qǐng)瀏覽www.diodes.com。

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Diodes(55158) Diodes(55158)
DFN2020-6(5419) DFN2020-6(5419)
DFN2020H4(5238) DFN2020H4(5238)

評(píng)論

選型手冊(cè)：VSP002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

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2026-01-04 16:29:54

選型手冊(cè)：VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N07MS是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2026-01-04 16:26:10

選型手冊(cè)：VSO009N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2026-01-04 16:23:09

選型手冊(cè)：VSO011N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSO011N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-31 17:28:19

1246

選型手冊(cè)：VS4618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-31 17:20:35

1311

選型手冊(cè)：VS4604AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-31 17:14:45

1192

選型手冊(cè)：VSP003N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N06MS-G是一款面向60V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-30 17:07:32

399

選型手冊(cè)：VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-30 14:58:12

102

選型手冊(cè)：VSP005NE8HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-30 11:59:27

選型手冊(cè)：VSI008N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-251封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-30 10:55:52

選型手冊(cè)：VSO013N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-29 11:52:16

選型手冊(cè)：VS7N65AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開(kāi)關(guān)、小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-29 10:24:08

106

選型手冊(cè)：VSD007N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-29 10:03:31

SiLM2026EN-DG小封裝200V半橋驅(qū)動(dòng)器，為緊湊型高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)

幫助工程師在空間受限的高壓應(yīng)用中，可靠地驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提升系統(tǒng)功率密度。核心特性：高壓與小封裝集成：支持最高200V的母線電壓，采用超緊湊的DFN3x3-8封裝，顯著節(jié)省PCB空間

2025-12-27 09:27:00

選型手冊(cè)：VSP020P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型

2025-12-26 12:01:16

108

選型手冊(cè)：VSD004N03MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD004N03MS是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-26 11:53:28

選型手冊(cè)：VS8068AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-262封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-26 11:50:13

選型手冊(cè)：VSO012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSO012N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-25 16:31:17

116

選型手冊(cè)：VS5810AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS5810AS是一款面向58V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

2025-12-25 16:27:25

121

選型手冊(cè)：VSB012N03MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSB012N03MS是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TDFN3x3.3封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-25 16:22:10

115

選型手冊(cè)：VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-25 16:18:26

110

選型手冊(cè)：VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD090N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-25 16:14:53

108

選型手冊(cè)：VS6016HS-A N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6016HS-A是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-24 13:12:28

112

選型手冊(cè)：VS6412ASL N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6412ASL是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-24 13:10:04

100

選型手冊(cè)：VS4N65CD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-24 13:04:05

102

選型手冊(cè)：VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P

2025-12-24 13:01:21

127

國(guó)星光電正式推出DIP6封裝可控硅光耦新品

依托超過(guò)1200項(xiàng)專利的技術(shù)積淀與全鏈路AI智造實(shí)力，國(guó)星光電正式推出DIP6封裝可控硅光耦新品，以自主核心技術(shù)為智能控制注入安全新動(dòng)能，為工業(yè)控制、智能家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域提供高端國(guó)產(chǎn)化解決方案。

2025-12-23 16:22:37

202

選型手冊(cè)：VS6038AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6038AD是一款面向60V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252/TO-251封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-23 11:43:46

164

選型手冊(cè)：VS4518AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-23 11:39:03

236

選型手冊(cè)：VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3x3封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-23 11:22:46

175

選型手冊(cè)：VS2622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-18 17:42:57

173

選型手冊(cè)：VS2301BC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道

2025-12-18 17:37:55

147

選型手冊(cè)：VS3603GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3603GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-18 17:33:59

125

選型手冊(cè)：VS3522AA4 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3522AA4是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN22x6.5-8L封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-18 17:24:48

475

選型手冊(cè)：VS40200AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-17 18:24:11

158

選型手冊(cè)：VS4603GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-17 18:20:18

205

選型手冊(cè)：VS40200ATD 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域

2025-12-17 18:13:54

選型手冊(cè)：VSD007N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-17 18:11:42

193

選型手冊(cè)：VS6614GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-17 18:09:01

208

選型手冊(cè)：VS3698AD-K 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AD-K是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域

2025-12-16 17:36:26

453

選型手冊(cè)：VS3510AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-16 11:50:07

171

選型手冊(cè)：VS3510AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-16 11:46:18

213

選型手冊(cè)：VS4603GPHT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-16 11:40:15

161

選型手冊(cè)：VS3612GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3612GP是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-16 11:33:14

198

選型手冊(cè)：VS6662GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6662GS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-15 15:36:24

220

選型手冊(cè)：VS3618AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-15 15:03:39

264

選型手冊(cè)：VS40200AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-15 10:49:09

204

選型手冊(cè)：VS3622DP2 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622DP2是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配雙路低壓大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一

2025-12-15 09:51:07

218

選型手冊(cè)：VSD950N70HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSD950N70HS是一款面向700V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-12 15:59:34

330

選型手冊(cè)：VSU070N65HS3 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道

2025-12-12 15:36:26

245

選型手冊(cè)：VS320N10AU N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-12 15:26:26

170

安森美推出采用T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET

安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。

2025-12-11 17:48:49

736

選型手冊(cè)：VS3602GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-11 15:36:26

280

選型手冊(cè)：VS4603DM6 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-12-11 11:52:34

195

選型手冊(cè)：VS3610AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-11 10:52:20

289

選型手冊(cè)：VS3640DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配雙路低壓電源管理、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-12-11 10:48:33

275

選型手冊(cè)：VS3622AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型

2025-12-10 14:53:13

275

選型手冊(cè)：VS3640DE 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN3333封裝，適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-10 14:50:13

238

選型手冊(cè)：VS3640AA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-10 11:48:31

227

選型手冊(cè)：VS3614AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-10 09:54:11

256

選型手冊(cè)：VS3540AC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型

2025-12-10 09:44:34

249

選型手冊(cè)：VS4802GPHT-IG N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-09 10:26:37

255

選型手冊(cè)：VS1891GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-09 10:12:07

262

采用DFN3×3封裝SiLM2026EN-DG 200V半橋驅(qū)動(dòng)器，如何實(shí)現(xiàn)機(jī)器人關(guān)節(jié)的高效緊湊驅(qū)動(dòng)？

200V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片，采用先進(jìn)的 DFN3×3-8 超小封裝，專為高壓、高頻應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化。它集成了高壓集成電路（HVIC）與鎖存免疫CMOS技術(shù)，在單芯片內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高低側(cè)驅(qū)動(dòng)功能，支持高達(dá)290mA源電流

2025-12-09 08:35:20

選型手冊(cè)：VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-12-08 11:10:47

237

選型手冊(cè)：VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-12-08 10:59:34

252

選型手冊(cè)：VS6614DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N

2025-12-08 10:43:06

235

選型手冊(cè)：VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC

2025-12-03 09:23:07

264

為機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)頭疼？SiLM2026EN-DG讓200V高壓與DFN3x3小封裝兼得！

增強(qiáng)魯棒性。 5. 抗干擾能力采用鎖存免疫CMOS技術(shù)和專有HVIC設(shè)計(jì)。在高噪聲（如電機(jī)啟停、電源開(kāi)關(guān)）環(huán)境下，能有效抵抗干擾，防止誤觸發(fā)，運(yùn)行更穩(wěn)定。 6. 封裝與集成度采用超小型DFN

2025-12-02 08:22:11

ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

ROHM（羅姆半導(dǎo)體）宣布，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用于采用48V電源AI

2025-11-17 13:56:19

199

Vishay Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器技術(shù)解析

Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用表面貼裝封裝，尺寸為6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02電感器采用繞線鐵氧體磁芯，采用嵌入式鐵氧

2025-11-11 15:54:40

538

中科微電ZK150G05T：中壓小封裝功率器件的適配型創(chuàng)新

中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽，精準(zhǔn)匹配3-8kW級(jí)中壓場(chǎng)景的功率控制需求，其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。

2025-11-04 16:27:15

481

博捷芯劃片機(jī)在DFN封裝切割中的應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)

在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，DFN（雙邊扁平無(wú)引腳）封裝因其小尺寸、高導(dǎo)熱性和優(yōu)良的電性能被廣泛應(yīng)用，而高效精準(zhǔn)的劃片機(jī)正是確保DFN封裝質(zhì)量的關(guān)鍵。在集成電路電子元件向精密微型與高度集成方向發(fā)展中，晶圓厚度

2025-10-30 17:01:15

545

MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內(nèi)，適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流等對(duì)空間與性能

2025-10-24 11:14:37

282

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。

2025-08-22 18:02:35

1527

森國(guó)科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車等領(lǐng)域提供高效能解決方案。

2025-08-16 13:50:09

3154

合科泰N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹

合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術(shù)，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，以低導(dǎo)通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應(yīng)用，如儲(chǔ)能電池包BMS和車載OBC應(yīng)用。

2025-08-12 16:54:00

1608

1.2A, 24V, 1.4MHz 異步降壓轉(zhuǎn)換器，采用 TSOT23-6 封裝

。故障保護(hù)包括逐周期限流保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封裝，最大限度地減少了現(xiàn)有外部元器件的使用。產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì) 1.2A 峰值輸出電流 0.35Ω 內(nèi)部功率

2025-08-06 19:07:40

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 10:25:14

1293

LMR12010 3V 至 20V、1A 降壓型 DC/DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR12010穩(wěn)壓器是一款單片、高頻、PWM 降壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，采用 6 引腳薄型 SOT23 封裝。它提供所有有源功能，可在盡可能小的 PCB 面積內(nèi)提供具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和精確調(diào)節(jié)的本地 DC/DC 轉(zhuǎn)換。

2025-07-07 09:37:41

719

新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS

2025-07-01 17:03:11

1321

LMR12007 750mA 負(fù)載降壓型 DC/DC 穩(wěn)壓器，采用薄型 SOT23 封裝數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR12007穩(wěn)壓器是一款單片、高頻、PWM 降壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 6 引腳薄型 SOT 封裝。它提供所有有源功能，以提供本地 DC/DC 轉(zhuǎn)換在盡可能小的 PCB 面積內(nèi)具有快速瞬態(tài)響應(yīng)和精確調(diào)節(jié)。

2025-06-27 09:57:33

664

高功率DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)新方案：DFN3.3x3.3源極朝下封裝技術(shù)

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源極朝下（Source Down）封裝技術(shù)

2025-06-18 15:18:49

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東芝DFN2020B（WF）封裝提高可靠性

隨著汽車電子化、智能化進(jìn)程不斷加速，車載系統(tǒng)對(duì)元器件的可靠性、小型化及熱管理能力提出了前所未有的嚴(yán)苛要求。在此背景下，東芝推出DFN2020B（WF）封裝，在2.0mm×2.0mm的小型體積下，實(shí)現(xiàn)了1.84W的高耗散功率，為車載功率器件提供了高密度集成與熱性能優(yōu)化的雙重解決方案。

2025-06-16 17:50:31

901

鼎先電子推出微小封裝DFN0603低容TVS ESD靜電防護(hù)二極管DL0521P0

及SOD-923封裝的同類產(chǎn)品節(jié)省約66%的電路板空間，更比DFN1006及SOD-923封裝的同類產(chǎn)品纖薄25%，在離板高度上占盡優(yōu)勢(shì)。有3.3V和5V等多款不同工作電

2025-06-14 15:54:54

【產(chǎn)品介紹】DFN1006和DFN0603 封裝——5V 超低電容帶回掃ESD

上海雷卯推出兩款5V，小封裝（DFN1006和DFN0603），帶回掃，低鉗位電壓VCmax的防靜電二極管：ULC0521CLV、ULC0542CLV。帶回掃ESD和普通ESD二極管電性參數(shù)圖如下：我們可以看到，普通的ESD是隨著IPP

2025-05-23 16:16:19

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東芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。

2025-05-22 14:51:22

901

薄型、多頻段、大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)前端模塊 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()薄型、多頻段、大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有薄型、多頻段、大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)前端模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，薄型、多頻段、大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)前端模塊真值表，薄型、多頻段、大規(guī)模物聯(lián)網(wǎng)前端模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2025-05-15 18:32:46

Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源開(kāi)關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如直流對(duì)直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能運(yùn)算的數(shù)據(jù)中心) ，以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。

2025-05-12 16:06:34

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2.4G芯片DFN封裝的作用是什么

2.4G芯片DFN封裝的作用是什么在無(wú)線通信技術(shù)快速發(fā)展的今天，2.4G頻段因其廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景（如Wi-Fi、藍(lán)牙、ZigBee等）成為高頻芯片設(shè)計(jì)的重要領(lǐng)域。而DFN（Dual Flat

2025-04-30 10:31:32

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2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計(jì)

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其

2025-04-27 16:59:26

Diodes公司推出AHE300系列銻化銦霍爾器件傳感器

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 首次推出先進(jìn)的銻化銦 (InSb) 霍爾器件傳感器系列，可檢測(cè)旋轉(zhuǎn)速度和測(cè)量電流，適用于筆記本電腦、手機(jī)、游戲手柄等消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用

2025-04-14 15:19:07

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HMC649ALP6E 6位數(shù)字移相器芯片和采用SMT封裝技術(shù)手冊(cè)

插入損耗變化極小，不超過(guò)±0.5dB。這款高精度移相器由正邏輯0/+5V控制。HMC649ALP6E采用6×6毫米緊湊型塑料無(wú)引腳表面貼裝封裝，內(nèi)部已匹配至50歐姆，無(wú)需外部組件。

2025-04-09 14:00:28

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Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。

2025-03-21 10:11:00

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Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD

2025-03-20 11:18:11

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3A325薄型平衡到不平衡變壓器Anaren

3A325薄型平衡到不平衡變壓器Anaren 3A325 是一款由 Anaren Microwave 生產(chǎn)的表面貼裝（SMD）巴倫變壓器（Balun Transformer），適用于無(wú)線通信和射頻

2025-03-11 09:31:20

SOT8038-1塑料熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8038-1塑料熱增強(qiáng)型表面貼裝封裝.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-19 16:28:46

DFN2020M-6;用于SMD的卷盤(pán)包

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020M-6;用于SMD的卷盤(pán)包.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-09 15:45:49

Diodes公司推出全新AL8866Q LED驅(qū)動(dòng)器

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出AL8866Q LED 驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)大符合汽車標(biāo)準(zhǔn)*的產(chǎn)品組合。這款直流開(kāi)關(guān) LED 驅(qū)動(dòng)控制器可驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，支持

2025-01-23 13:53:23

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圣邦微電子推出超小封裝MOSFET器件SGMNQ32430

圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)電壓保護(hù)開(kāi)關(guān)，電池充放電開(kāi)關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。

2025-01-08 16:34:24

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Diodes推出采用薄型DFN2020-6封裝MOSFET

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