碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域提供高效能解決方案。

SOT227作為成熟工業(yè)級(jí)封裝標(biāo)準(zhǔn)，其結(jié)構(gòu)性?xún)?yōu)勢(shì)完美適配SiC器件的特性需求，是釋放SiC 功率器件性能潛力的最優(yōu)載體。SOT227 有如下的封裝結(jié)構(gòu)及工藝特性：

PART.01 超低寄生參數(shù)

--超低寄生參數(shù)：

一體成型的端子布局與緊湊內(nèi)部結(jié)構(gòu)，寄生電感<10nH，顯著抑制開(kāi)關(guān)振蕩，使SiC MOSFET的超快開(kāi)關(guān)性能（開(kāi)關(guān)頻率達(dá)100kHz+）得以充分發(fā)揮。

--緊湊型模塊設(shè)計(jì)

SOT227是一種內(nèi)絕緣封裝，基板（DBC）面積大于TO-247，可容納更多或更大尺寸的SiC芯片（如多芯片并聯(lián)或混合拓?fù)浼桑瑫r(shí)整體體積顯著小于傳統(tǒng)大功率模塊，適用于空間受限的高密度設(shè)計(jì)。

引腳設(shè)計(jì)：終端引腳尺寸更大，支持更高電流承載能力（例如1200V SiC MOSFET通流能力達(dá)121A，較TO-247提升9%）。

--絕緣與散熱優(yōu)化

內(nèi)絕緣陶瓷墊片：內(nèi)置Al?O?或AlN陶瓷絕緣層，無(wú)需外加絕緣墊片，減少外部熱阻并簡(jiǎn)化安裝流程；

低熱阻設(shè)計(jì)：結(jié)到散熱器的熱阻（Rθ-jHs）比TO-247降低50%以上。例如，部分SiC MOSFET模塊的結(jié)殼熱阻低至0.67 K/W，顯著提升散熱效率。

--機(jī)械與安全特性

高絕緣可靠性：端子間爬電距離≥10.4mm，隔離電壓達(dá)2500Vrms，滿(mǎn)足工業(yè)安全標(biāo)準(zhǔn)（如IEC 60601）；

簡(jiǎn)化安裝：支持標(biāo)準(zhǔn)M4螺釘安裝，扭矩規(guī)格明確（1.5N·m），降低裝配復(fù)雜度并提高生產(chǎn)良率。

PART.02 電氣性能優(yōu)勢(shì) 高頻與低損耗特性

--開(kāi)關(guān)性能

SiC器件支持超高速開(kāi)關(guān)（如Turn-On Delay 19ns，Rise Time 27ns），開(kāi)關(guān)損耗極低（175℃時(shí)Eon=500μJ, Eoff=250μJ），適用于高頻應(yīng)用（如射頻電源、LLC諧振轉(zhuǎn)換器）。

--低導(dǎo)通損耗

SiC MOSFET導(dǎo)通電阻可低至7.6mΩ。

SiC肖特基二極管正向壓降低至1.36V，電容電荷（Qc）僅56nC，顯著降低導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)損耗。

--高溫與可靠性表現(xiàn)

工作溫度：支持高達(dá)175℃環(huán)境溫度，正溫度系數(shù)特性便于多器件并聯(lián)均流。

魯棒性設(shè)計(jì)：內(nèi)置SiC SBD續(xù)流二極管無(wú)反向恢復(fù)問(wèn)題（反向恢復(fù)時(shí)間16ns），避免電壓尖峰和EMI噪聲；雪崩耐量設(shè)計(jì)增強(qiáng)抗負(fù)載突變能力。

SOT227 封裝的SiC 模塊出色的性能， 可在如下的典型應(yīng)用場(chǎng)景中大顯身手： 01 中高功率工業(yè)系統(tǒng)

填補(bǔ)功率缺口：適用于數(shù)十至數(shù)百千瓦功率段（如TO-247與62mm模塊之間的空白），覆蓋光伏逆變器、充電樁、工業(yè)UPS等場(chǎng)景。

高頻電源：AC/DC PFC、DC/DC超高頻整流（如電信電源、服務(wù)器電源），依賴(lài)低Qc和高速開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)＞95%效率。

02 精密與嚴(yán)苛環(huán)境設(shè)備

半導(dǎo)體制造設(shè)備：等離子體射頻發(fā)生器、PECVD電源，需高精度功率控制與低EMI特性。

醫(yī)療與航空航天：密封設(shè)計(jì)適配高濕度環(huán)境，金屬法蘭安裝增強(qiáng)機(jī)械穩(wěn)定性（如至信微模塊應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域）。

森國(guó)科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圓，基于SOT227 封裝，適時(shí)推出了SOT227 封裝的SiC MOSFET 及 JBS 模塊產(chǎn)品

KC017Z12J1M1 SiC MOSFET

KC100D12J1M1 SiC JBS

SOT227封裝賦予了SiC器件系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新的戰(zhàn)略支點(diǎn)。森國(guó)科的SOT227模塊化方案讓客戶(hù)在保持設(shè)計(jì)兼容性的同時(shí)，直接解鎖SiC的能效紅利。SOT-227封裝通過(guò)結(jié)構(gòu)創(chuàng)新（內(nèi)絕緣、緊湊布局）與SiC材料優(yōu)勢(shì)（高頻、耐高溫）的結(jié)合，解決了中高功率系統(tǒng)在功率密度、散熱效率和安裝成本上的痛點(diǎn)。其標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)計(jì)（如引腳兼容性）進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代，尤其在高頻、高溫及可靠性要求嚴(yán)苛的領(lǐng)域具備不可替代性。

關(guān)于森國(guó)科

深圳市森國(guó)科科技股份有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事功率器件、模塊，功率IC的高新科技企業(yè)。功率器件主要包括碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驅(qū)動(dòng)芯片、無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片兩大類(lèi)。公司總部在深圳市南山區(qū)，在深圳、成都設(shè)有研發(fā)及運(yùn)營(yíng)中心。公司研發(fā)人員占比超過(guò)70%，研究生以上學(xué)歷占比50%，來(lái)自聯(lián)發(fā)科、海思、比亞迪微電子、羅姆、華潤(rùn)上華等機(jī)構(gòu)，囊括清華大學(xué)、電子科技大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)等微電子專(zhuān)業(yè)知名院校。

森國(guó)科碳化硅產(chǎn)品線(xiàn)為650V、1200V 和碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、SiC二極管模塊、SiC MOSFET 模塊，該產(chǎn)品系列廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、光伏逆變器、充電樁電源模塊、礦機(jī)電源、通信設(shè)備電源、5G微基站電源、服務(wù)器電源、工業(yè)電源、快充電源、軌道交通電源等。森國(guó)科碳化硅產(chǎn)品采用6寸車(chē)規(guī)級(jí)晶圓，具有高耐溫，高頻，高效，高壓特性，已穩(wěn)步進(jìn)入國(guó)內(nèi)汽車(chē)三電、主流大功率電源、光風(fēng)儲(chǔ)逆變器、充電樁電源模塊等上市公司供應(yīng)鏈。

森國(guó)科功率IC采用先進(jìn)的高壓特色工藝，包括功率管及模塊的驅(qū)動(dòng)、BLDC及FOC電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。經(jīng)過(guò)5年的發(fā)展，該產(chǎn)品線(xiàn)的團(tuán)隊(duì)在BCD工藝，UHV工藝、數(shù)模混合、電機(jī)驅(qū)動(dòng)算法方面有深厚的積累。功率器件驅(qū)動(dòng)芯片，已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)中低壓系列，即將推出高壓系列。在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片方面，成功推出了單相BLDC散熱風(fēng)扇電機(jī)系列和三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)系列。

森國(guó)科在中金資本、北汽產(chǎn)投、藍(lán)思科技、凌霄股份、中科海創(chuàng)等股東的助力下，以低成本創(chuàng)新為己任，努力為客戶(hù)提供高性?xún)r(jià)比的綠色“芯”動(dòng)力，成為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司！