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電子發燒友網>新品快訊>內置功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800

內置功率MOSFET的通用半橋驅動器NJW4800

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新潔能2153X系列驅動芯片介紹

2153X系列是高壓、高速功率自振蕩驅動產品線。 2153X浮動通道可用于驅動高低側N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達600V。內置死區保護電路,可以有效防止高低側功率管直通。2153X全系列內置自舉電路,可以簡化芯片外圍電路。
2025-07-28 14:02:551911

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC27301A/UCC27301A-Q1驅動器是穩健的柵極驅動器,設計用于驅動采用或同步降壓配置的兩個N溝道MOSFET,絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-25 15:23:14564

Texas Instruments DRV8962-Q1四通道驅動器數據手冊

Texas Instruments DRV8962-Q1四通道驅動器是一款寬電壓范圍、高功率、四通道驅動器,適用于各種汽車應用。該設備支持高達60V電源電壓,集成MOSFET具有50mΩ 導
2025-07-25 15:12:40534

Texas Instruments DRV8421雙電機驅動器數據手冊

。每個H驅動器的輸出模塊由N溝道功率MOSFET組成,配置為全H,用于驅動電機繞組。DRV8421的每個輸出可以驅動最大2A的電流,或在并聯模式可以驅動最大4A的電流(有適當的散熱散熱,在12V且T~A~ = 25°C時)。
2025-07-22 13:40:52674

Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1驅動器數據手冊

Texas Instruments UCC27311A/UCC27311A-Q1驅動器是堅固耐用的柵極驅動器,設計用于驅動或同步降壓配置中的兩個N溝道MOSFET,絕對最大自舉電壓為120V
2025-07-21 14:37:25570

集成了三個、六個N溝道功率MOSFET的三相無刷直流電機驅動器

三相無刷直流電機驅動器的工作原理基于電子換向技術,通過實時檢測轉子位置并控制電流方向實現精準驅動。驅動器內部包含位置傳感(如霍爾傳感)和功率電子器件(如MOSFET或IGBT)。
2025-07-16 09:42:23505

Texas Instruments LMG2100R026 GaN功率級數據手冊

Texas Instruments LMG2100R026 GaN功率級集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵(GaN)場效應晶體管。93V連續、100V脈沖、53A功率級包含兩個GaN FET,由
2025-07-11 14:40:22677

Texas Instruments DRV8848 雙H電機驅動器數據手冊

Texas Instruments DRV8848雙H電機驅動器集成了兩個采用NMOS驅動器和電流檢測調節電路的。每個H驅動器的輸出模塊包括N溝道和P溝道功率MOSFET,配置為全H驅動
2025-07-10 11:41:23878

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc

電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

Texas Instruments TPS4800-Q1高側驅動器數據手冊

-65V負電源電壓的影響。TPS4800-Q1驅動器包括一個強大的(2A)柵極驅動器,可在大電流系統設計中使用并行MOSFET進行電源開關。該驅動器使用ISCP和TMR引腳提供可配置短路保護,用于調整閾值和響應時間。TPS4800-Q1驅動器符合汽車應用類AEC-Q100認證。
2025-07-07 09:35:17634

Texas Instruments TPS4800Q1EVM驅動器評估模塊 (EVM)數據手冊

Texas Instruments TPS4800Q1EVM驅動器評估模塊(EVM)用于評估TPS4800-Q1智能高側驅動器的參考電路。TPS4800-Q1是一款3.5V至80V的智能高側控制
2025-07-04 11:32:39690

用于混合組裝的光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc

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2025-07-03 18:34:35

Analog Devices / Maxim Integrated MAX22213驅動器數據手冊

Analog Devices/Maxim Integrated MAX22213H驅動器設有四個可單獨控制的36V、3.8A~最大~H驅動器。這些器件可用于驅動四個螺線管、兩個有刷直流電機、一
2025-06-16 15:30:10719

Analog Devices Inc. LTC7063驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LTC7063驅動器驅動兩個采用配置的N溝道MOSFET,供電電壓高達140V。高側和低側驅動器可以通過提供瞬態抗擾度和噪聲來驅動具有不同接地
2025-06-14 16:36:57831

Analog Devices Inc. LT8418GaN驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LT8418GaN驅動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。該驅動器可配置為同步、全拓撲或降壓、升壓和降壓-升壓
2025-06-10 14:27:00827

Analog Devices Inc. LTC7065雙N溝道MOSFET驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LTC7065雙N溝道MOSFET驅動器是一款柵極驅動器,在高達100V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態PWM輸入邏輯。強大的1.3Ω下拉和1.6
2025-06-06 16:00:49907

Analog Devices Inc. LTC7068 150 V驅動器數據手冊

Analog Devices Inc. LTC7068 150V驅動器是一款雙N溝道MOSFET柵極驅動器,在高達150V的輸入電壓下工作,具有獨立于電源的三態脈寬調制 (PWM) 輸入邏輯
2025-06-06 10:29:16714

意法半導體推出兩款高壓GaN柵極驅動器

意法半導體推出兩款高壓GaN柵極驅動器,為開發者帶來更高的設計靈活性和更多的功能,提高目標應用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581135

Analog Devices / Maxim Integrated MAX22208四路H驅動器數據手冊

Analog Devices MAX22208四路H驅動器配有四個可獨立控制的65VH驅動器。該器件可用于驅動四個螺線管、一個步進電機、兩個有刷直流電機或不同負載的組合。
2025-05-30 09:47:00677

LM5108 具有使能和互鎖功能的 2.6A、110V 柵極驅動器數據手冊

LM5108 是一款高頻柵極驅動器,最大開關節點 (HS) 額定電壓為 100V。它允許在基于配置的拓撲結構中控制兩個 N 溝道 MOSFET,例如同步降壓、全、有源鉗位正激、LLC 和同步升壓。
2025-05-24 14:57:00612

LM5109系列 100V / 1A 峰值柵極驅動器數據手冊

LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅動器,旨在以同步降壓或配置驅動高壓側和低壓側 N 溝道 MOSFET。浮動高壓側驅動器能夠在高達 100V 的電源軌電壓下工作。輸出由 TTL 兼容輸入閾值
2025-05-21 14:26:131045

UCC27200 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、120V 柵極驅動器數據手冊

UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側和低側驅動器,可實現最大的控制靈活性。這允許在、全、雙開關正激和有源鉗位正激轉換
2025-05-21 10:36:51739

UCC27201 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、120V 柵極驅動器數據手冊

UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側和低側驅動器,可實現最大的控制靈活性。這允許在、全、雙開關正激和有源鉗位正激轉換
2025-05-21 10:27:32730

UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 柵極驅動器數據手冊

UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側和低側驅動器,可實現最大的控制靈活性。這允許在、全、雙開關正激和有源鉗位正激
2025-05-21 09:36:00593

HPD2606X 600V柵極驅動器技術手冊:高壓高速MOSFET和IGBT驅動設計

內容概要:HPD2606X是一款600V柵極驅動器,采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術,能夠穩定驅動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設計、抗dV/dt瞬態負電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiC MOSFET電路

新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiCMOSFET電路該評估板用于評估電路中的1ED314xMC12H隔離柵極驅動器IC。該電路板包括兩個
2025-04-15 17:03:45950

LM5035B PWM 控制,集成和 SyncFET 驅動器技術手冊

LM5035B 控制/柵極驅動器包含所有必要的功能 使用電壓模式控制和線路電壓實現拓撲電源轉換 前饋。 LM5035B 是 LM5035A PWM 控制的功能變體。這
2025-03-31 10:11:10884

UCC28250 具有預偏置作的高級/全 PWM 控制數據手冊

UCC28250 PWM 控制專為可能具有嚴格預偏置啟動要求的高功率密度應用而設計。集成的同步整流控制輸出適用于高效率和高性能拓撲,如、全、交錯正向和推挽式拓撲。UCC27200
2025-03-28 13:46:19950

PC1702單通道H柵極驅動器中文手冊

產品簡述:?PC1702 是一款小型單通道 H?柵極驅動器。它使用四個外部?N?通道?MOSFET,驅動一個雙向刷式直流電機。PH/EN、獨立或?PWM 允許輕松連接到控制電路。內部傳感
2025-03-14 17:57:570

兼用UCC27301A-Q1高頻高側及低側MOSFET柵極驅動器

概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款MOSFET驅動器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關損耗地驅動功率MOSFET。高側和低側兩個通道完全獨立,其導
2025-03-03 11:27:14

PC1209MOSFET驅動器英文手冊

概述:(兼用UCC27301A-Q1)PC1209是一款MOSFET驅動器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關損耗地驅動功率MOSFET。高側和低側兩個通道完全獨立,其導
2025-03-01 16:45:391

MP1918數據手冊#100V、高頻、 GaN/MOSFET 驅動器

MP1918 是一款 100V 驅動器,用于在或同步應用中驅動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。 *附件:MP2797 中文數據手冊.pdf
2025-03-01 15:41:061649

TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? GaN FET應用與設計

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成,由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動,采用配置。
2025-02-21 09:28:211049

TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 功率級,集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成,由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動,采用配置。
2025-02-21 09:19:40907

ST 意法半導體 STDRIVEG611QTR 用于 GaN 功率開關的高壓和高速柵極驅動器

用于 GaN 功率開關的高壓和高速柵極驅動器產品說明STDRIVEG610 和 STDRIVEG611 是兩款用于 N 溝道增強型 GaN 的新型高壓柵極驅動器。STDRIVEG610
2025-02-12 14:06:160

NSG6000 650V單通道柵極驅動芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能,防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。
2025-01-07 10:58:261543

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