Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動(dòng)器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

SH引腳具有固定死區(qū)時(shí)間和–1V直流和–19.5V瞬態(tài)負(fù)電壓處理能力，可提高高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。Texas Instruments LM2103采用8引腳SOIC封裝，與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳分配兼容。在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能，以在上電和斷電期間提供保護(hù)。

特性

可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET
GVDD上的8V典型欠壓閉鎖
BST上的絕對(duì)最大電壓：107V
SH上–19.5V負(fù)瞬態(tài)電壓處理（絕對(duì)最大值）
峰值拉/灌電流：0.5A/0.8A
475ns典型固定內(nèi)部死區(qū)時(shí)間
內(nèi)置防交叉?zhèn)鲗?dǎo)功能
傳播延遲：115ns（典型值）
反相輸入引腳INL

功能框圖

LM2103 107V半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

LM2103是德州儀器(TI)推出的高性能半橋驅(qū)動(dòng)器，具有以下核心特性：

?高壓驅(qū)動(dòng)能力?：107V絕對(duì)最大電壓，支持高達(dá)95V的SH引腳工作電壓
?雙通道驅(qū)動(dòng)?：0.5A/0.8A峰值源/灌電流能力，可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET
?增強(qiáng)可靠性?：-19.5V負(fù)瞬態(tài)電壓處理能力，內(nèi)置死區(qū)時(shí)間(典型475ns)
?靈活控制?：支持反相輸入(INL)引腳，兼容TTL/CMOS輸入閾值
?多重保護(hù)?：8V典型欠壓鎖定(UVLO)，交叉導(dǎo)通預(yù)防功能

二、關(guān)鍵參數(shù)與性能

1. 極限參數(shù)

參數(shù)	最小值	最大值	單位
GVDD電壓	-0.3V	19.5V	V
BST-SH電壓	-0.3V	19.5V	V
SH引腳電壓(DC)	-1V	95V	V
SH引腳電壓(瞬態(tài))	-19.5V	95V	V
工作結(jié)溫	-40°C	125°C	°C

2. 典型電氣特性

?傳播延遲?：115ns典型值(INH到GH/INL到GL)
?死區(qū)時(shí)間?：475ns固定值(防止交叉導(dǎo)通)
?輸入閾值?：
- 高電平：1.45V(最小值)
- 低電平：0.8V(最大值)
?靜態(tài)電流?：
- GVDD靜態(tài)電流：430μA(典型值)
- BST靜態(tài)電流：150μA(典型值)

三、功能架構(gòu)解析

1. 引腳配置與功能

引腳	名稱	類型	功能描述
1	GVDD	電源	柵極驅(qū)動(dòng)正電源軌，需就近布置低ESR去耦電容
2	INH	輸入	高側(cè)控制輸入，兼容TTL/CMOS電平
3	INL	輸入	低側(cè)反相控制輸入，內(nèi)置200kΩ上拉電阻
4	GND	地	所有信號(hào)的參考地
5	GL	輸出	低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出，連接MOSFET柵極
6	SH	電源	高側(cè)源極連接，接自舉電容負(fù)端
7	GH	輸出	高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)輸出，連接MOSFET柵極
8	BST	電源	自舉電源輸入，接自舉電容正極

2. 核心功能模塊

?輸入級(jí)?：
- 獨(dú)立控制INH和INL輸入
- 內(nèi)置200kΩ下拉(INH)/上拉(INL)電阻
- 當(dāng)INH高且INL低時(shí)自動(dòng)關(guān)閉雙路輸出
?保護(hù)電路?：
- 雙路UVLO保護(hù)(GVDD和BST-SH)
- GVDD UVLO閾值：8.15V(上升)/7.7V(下降)
- BST UVLO閾值：7.6V(上升)/7.15V(下降)
?電平移位器?：
- 高速低功耗設(shè)計(jì)
- 提供控制邏輯到高側(cè)驅(qū)動(dòng)的電平轉(zhuǎn)換

四、PCB布局指南

?關(guān)鍵回路最小化?：
- 功率回路(高/低側(cè)MOSFET)
- 柵極驅(qū)動(dòng)回路(GH/GL到MOSFET)
- 自舉電容充電回路
?電容布置原則?：
- GVDD去耦電容：1μF陶瓷電容(緊靠引腳)
- BST去耦電容：100nF陶瓷電容(緊靠BST-SH)
- 輸入電容：低ESR電解+陶瓷電容組合
?熱設(shè)計(jì)考慮?：
- 充分利用散熱焊盤
- 增加散熱過(guò)孔陣列
- 高溫環(huán)境需降額使用

五、應(yīng)用場(chǎng)景推薦

?電機(jī)驅(qū)動(dòng)?：
- 無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)
- 永磁同步電機(jī)(PMSM)
- 伺服/步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器
?消費(fèi)電子?：
- 無(wú)線吸塵器
- 電動(dòng)工具
?交通電子?：
- 電動(dòng)自行車/滑板車
- 車載充電器(OBC)
?工業(yè)電源?：
- 離線式UPS
- 電池測(cè)試設(shè)備

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