Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動半橋或同步降壓配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。INL反相輸入允許驅(qū)動器用于雙或單PWM輸入應(yīng)用。
數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments LM2103半橋驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊.pdf
SH引腳具有固定死區(qū)時間和–1V直流和–19.5V瞬態(tài)負電壓處理能力,可提高高噪聲應(yīng)用中的系統(tǒng)穩(wěn)健性。Texas Instruments LM2103采用8引腳SOIC封裝,與行業(yè)標準引腳分配兼容。在低側(cè)和高側(cè)電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能,以在上電和斷電期間提供保護。
特性
- 可驅(qū)動兩個采用半橋配置的N溝道MOSFET
- GVDD上的8V典型欠壓閉鎖
- BST上的絕對最大電壓:107V
- SH上–19.5V負瞬態(tài)電壓處理(絕對最大值)
- 峰值拉/灌電流:0.5A/0.8A
- 475ns典型固定內(nèi)部死區(qū)時間
- 內(nèi)置防交叉?zhèn)鲗Чδ?/li>
- 傳播延遲:115ns(典型值)
- 反相輸入引腳INL
功能框圖

LM2103 107V半橋驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述
LM2103是德州儀器(TI)推出的高性能半橋驅(qū)動器,具有以下核心特性:
- ?高壓驅(qū)動能力?:107V絕對最大電壓,支持高達95V的SH引腳工作電壓
- ?雙通道驅(qū)動?:0.5A/0.8A峰值源/灌電流能力,可驅(qū)動兩個N溝道MOSFET
- ?增強可靠性?:-19.5V負瞬態(tài)電壓處理能力,內(nèi)置死區(qū)時間(典型475ns)
- ?靈活控制?:支持反相輸入(INL)引腳,兼容TTL/CMOS輸入閾值
- ?多重保護?:8V典型欠壓鎖定(UVLO),交叉導通預防功能
二、關(guān)鍵參數(shù)與性能
1. 極限參數(shù)
| 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| GVDD電壓 | -0.3V | 19.5V | V |
| BST-SH電壓 | -0.3V | 19.5V | V |
| SH引腳電壓(DC) | -1V | 95V | V |
| SH引腳電壓(瞬態(tài)) | -19.5V | 95V | V |
| 工作結(jié)溫 | -40°C | 125°C | °C |
2. 典型電氣特性
- ?傳播延遲?:115ns典型值(INH到GH/INL到GL)
- ?死區(qū)時間?:475ns固定值(防止交叉導通)
- ?輸入閾值?:
- 高電平:1.45V(最小值)
- 低電平:0.8V(最大值)
- ?靜態(tài)電流?:
- GVDD靜態(tài)電流:430μA(典型值)
- BST靜態(tài)電流:150μA(典型值)
三、功能架構(gòu)解析
1. 引腳配置與功能
| 引腳 | 名稱 | 類型 | 功能描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | GVDD | 電源 | 柵極驅(qū)動正電源軌,需就近布置低ESR去耦電容 |
| 2 | INH | 輸入 | 高側(cè)控制輸入,兼容TTL/CMOS電平 |
| 3 | INL | 輸入 | 低側(cè)反相控制輸入,內(nèi)置200kΩ上拉電阻 |
| 4 | GND | 地 | 所有信號的參考地 |
| 5 | GL | 輸出 | 低側(cè)柵極驅(qū)動輸出,連接MOSFET柵極 |
| 6 | SH | 電源 | 高側(cè)源極連接,接自舉電容負端 |
| 7 | GH | 輸出 | 高側(cè)柵極驅(qū)動輸出,連接MOSFET柵極 |
| 8 | BST | 電源 | 自舉電源輸入,接自舉電容正極 |
2. 核心功能模塊
- ?輸入級?:
- 獨立控制INH和INL輸入
- 內(nèi)置200kΩ下拉(INH)/上拉(INL)電阻
- 當INH高且INL低時自動關(guān)閉雙路輸出
- ?保護電路?:
- 雙路UVLO保護(GVDD和BST-SH)
- GVDD UVLO閾值:8.15V(上升)/7.7V(下降)
- BST UVLO閾值:7.6V(上升)/7.15V(下降)
- ?電平移位器?:
- 高速低功耗設(shè)計
- 提供控制邏輯到高側(cè)驅(qū)動的電平轉(zhuǎn)換
四、PCB布局指南
- ?關(guān)鍵回路最小化?:
- 功率回路(高/低側(cè)MOSFET)
- 柵極驅(qū)動回路(GH/GL到MOSFET)
- 自舉電容充電回路
- ?電容布置原則?:
- GVDD去耦電容:1μF陶瓷電容(緊靠引腳)
- BST去耦電容:100nF陶瓷電容(緊靠BST-SH)
- 輸入電容:低ESR電解+陶瓷電容組合
- ?熱設(shè)計考慮?:
- 充分利用散熱焊盤
- 增加散熱過孔陣列
- 高溫環(huán)境需降額使用
五、應(yīng)用場景推薦
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