該DRV8952是一款寬電壓、高功率、四通道半橋驅動器，適用于各種工業(yè)應用。該器件支持高達 55V 的電源電壓，集成 MOSFET 具有接近 50mΩ 的導通電阻，采用 DDW 封裝，每個輸出可承受高達 5A 的電流;PWP封裝，每個輸出電流高達4A。

該設備可用于驅動多達四個電磁閥或閥門、一個步進電機、兩個有刷直流電機、一個 BLDC 或 PMSM 電機以及多達兩個熱電冷卻器（帕爾貼元件）。該器件的輸出級由配置為四個獨立半橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)電路、電流檢測輸出和保護電路組成。
*附件：drv8952.pdf

高側MOSFET上的集成電流檢測允許器件在負載從輸出連接到地時調(diào)節(jié)電流。電流調(diào)節(jié)限值可通過可調(diào)外部基準電壓源 （VREF） 進行設置。該器件采用DDW封裝，提供四個比例電流輸出引腳，每個半橋高側FET一個。可選的外部檢測電阻器可以從 PGND 引腳連接到系統(tǒng)接地。

提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （OTSD） 提供內(nèi)部保護功能。

特性

• 四通道半橋驅動器
  • 獨立控制每個半橋
• 4.5V 至 55V 工作電源電壓范圍
• 低RDS（ON）：每個FET為50mΩ（24 V，25 °C）
• 大電流容量：
  • DDW 封裝：每個輸出高達 5A
  • PWP 封裝：每個輸出高達 4A
• 可驅動各種類型的負載 -
  • 最多四個電磁閥或閥門
  • 一個步進電機
  • 兩個有刷直流電機
  • 一個或兩個熱電冷卻器 （TEC）
  • 一臺三相無刷直流電機
  • 一臺三相永磁同步電機 （PMSM）
• 集成電流檢測和調(diào)節(jié)
  • 高側 MOSFET 上的電流檢測
  • 每個半橋 （DDW） 的 IPROPI 輸出
  • 最大電流下的檢測精度為 5%
  • 可選外部檢測電阻
• 引腳對引腳兼容：
  • DRV8955PWP：48V，4通道半橋驅動器
  • DRV8962DDW：65V，4通道半橋驅動器
• 獨立邏輯電源電壓 （VCC） （DDW）
• 可編程輸出上升/下降時間 （DDW）
• 可編程故障恢復方法 （DDW）
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （3μA）
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號?：DRV8952，55V四通道半橋驅動器，集成電流檢測輸出（僅DDW封裝）。
• ?版本?：SLOSE83A（2023年3月發(fā)布，2025年1月修訂）。
• ?核心特性?：
  • ?四通道獨立控制?：支持驅動4個獨立負載（如電磁閥、直流電機、步進電機等）。
  • ?寬電壓范圍?：4.5V至55V工作電壓，低導通電阻（典型值56mΩ@24V）。
  • ?高電流能力?：DDW封裝每通道5A（峰值），PWP封裝每通道4A。
  • ?集成電流檢測?（DDW封裝）：IPROPI引腳輸出比例電流（精度±5%），無需外部分流電阻。
  • ?保護功能?：欠壓鎖定（UVLO）、過流保護（OCP）、熱關斷（OTSD）等。

?2. 關鍵參數(shù)?

• ?導通電阻?：高/低邊MOSFET典型值56mΩ（24V, 25°C）。
• ?電流能力?：
  • DDW封裝：5A持續(xù)電流（每通道），PWP封裝：4A持續(xù)電流。
• ?開關頻率?：支持最高200kHz PWM輸入。
• ?睡眠模式?：靜態(tài)電流低至3μA（nSLEEP=0時）。

?3. 功能亮點?

• ?電流檢測與調(diào)節(jié)?：
  • DDW封裝通過IPROPI引腳輸出比例電流（212μA/A），結合外部電阻實現(xiàn)電流反饋。
  • PWP封裝通過VREF電壓直接設置電流閾值（KV=0.66V/A）。
• ?靈活控制?：
  • 支持獨立PWM控制每通道，可配置為快衰減或慢衰減模式。
  • MODE引腳（DDW封裝）可調(diào)節(jié)輸出上升/下降時間（70ns或140ns）。
• ?保護機制?：
  • 故障自動恢復（自動重試或需nSLEEP復位）。
  • nFAULT引腳輸出故障狀態(tài)（開漏輸出）。

?4. 典型應用?

• ?場景?：
  • 工廠自動化（PLC、機械臂）、醫(yī)療設備（成像儀）、舞臺燈光控制。
  • 驅動負載：4個電磁閥、1個步進電機、2個直流電機、1個三相無刷電機（BLDC）或TEC模塊。
• ?電路設計?：
  • 需外接1μF（VCP）、0.1μF（CPH-CPL）電容，建議布局低ESR陶瓷電容靠近VM引腳。

?5. 封裝與熱管理?

• ?封裝?：
  • DDW：44引腳HTSSOP（14mm×8.1mm），帶散熱焊盤。
  • PWP：28引腳HTSSOP（9.7mm×6.4mm）。
• ?熱阻?：RθJA=22.5°C/W（DDW，四層PCB），需優(yōu)化散熱設計。

?6. 對比DRV8845/DRV8962?

• ?差異點?：
  • DRV8952支持更高電流（5A vs 4A）和更寬電壓范圍（55V vs 48V）。
  • 集成電流檢測（DDW封裝），DRV8845需外置檢測電阻。

?7. 修訂歷史?

• 2025年1月修訂版（Rev A）新增PWP封裝規(guī)格，修正文檔排版錯誤。

?8. 設計注意事項?

• ?熱計算?：總功耗需考慮導通損耗（P=I2RDS(ON)）和開關損耗（PSW≈0.5×VM×I×tRF×fPWM）。
• ?布局建議?：VM引腳需就近放置0.01μF陶瓷電容+大容量電解電容，散熱焊盤多過孔接地。