UCC27302A-Q1 是一款穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的 N 溝道 MOSFET，絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3.7A 峰值源電流和 4.5A 峰值灌電流能力使 UCC27302A-Q1 能夠驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET，并在通過(guò)米勒高原過(guò)渡期間將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS引腳）可以處理負(fù)瞬態(tài)電壓，從而保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。

輸入與電源電壓無(wú)關(guān)，能夠承受-10V和+20V絕對(duì)最大額定值。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配為4ns，并分別通過(guò)LI和HI輸入引腳進(jìn)行控制。但是，每當(dāng) LI 和 HI 輸入同時(shí)為高電平時(shí)，輸入互鎖邏輯將使兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出變?yōu)榈碗娖健Ｆ瑑?nèi)120V額定自舉二極管無(wú)需添加分立自舉二極管。為高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供欠壓鎖定 （UVLO），提供對(duì)稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并在驅(qū)動(dòng)電壓低于指定閾值時(shí)強(qiáng)制輸出為低電平。
*附件：ucc27302a-q1.pdf

特性

• 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋配置的 N 溝道 MOSFET
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車應(yīng)用：
  • 設(shè)備溫度等級(jí) 1
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• HB 引腳上的 120V 絕對(duì)最大電壓
• 3.7A 源電流，4.5A 灌電流輸出電流
• 7V 至 17V VDD 工作范圍（最大 20V 絕對(duì)值），帶 UVLO
• –（28–VDD）V 絕對(duì)值HS引腳上的最大負(fù)瞬態(tài)容差（<100ns脈沖）
• –10V 至 +20V abs 最大輸入引腳容差，與電源電壓范圍無(wú)關(guān)（TTL 兼容）
• 切換參數(shù)：
  • 20ns典型傳播延遲時(shí)間
  • 1000pF負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為7.2ns，下降時(shí)間為5.5ns
  • 4ns典型延遲匹配
• 集成自舉二極管
• 輸入聯(lián)鎖
• 禁用時(shí)以低電流消耗（典型值3μA）啟用/禁用功能（僅限D(zhuǎn)RC封裝）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
UCC27302A-Q1是德州儀器（TI）推出的汽車級(jí)120V半橋驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于高溫嚴(yán)苛環(huán)境（-40°C至+150°C）。其核心特性包括：

• ?高電壓能力?：支持120V最大自舉電壓（HB引腳），負(fù)瞬態(tài)耐壓達(dá)-(28-VDD)V（HS引腳）。
• ?驅(qū)動(dòng)性能?：3.7A源電流/4.5A灌電流輸出，20ns典型傳播延遲，4ns通道間延遲匹配。
• ?集成功能?：內(nèi)置120V自舉二極管、輸入互鎖邏輯、使能/禁用控制（DRC封裝）及欠壓鎖定（UVLO）。

?2. 關(guān)鍵特性?

• ?電源范圍?：VDD工作電壓7V-17V（最大20V），兼容TTL/CMOS輸入（-10V至+20V耐壓）。
• ?保護(hù)機(jī)制?：
  • UVLO對(duì)稱保護(hù)高低側(cè)驅(qū)動(dòng)，強(qiáng)制輸出低電平以防電壓不足。
  • 互鎖邏輯防止輸入信號(hào)重疊導(dǎo)致的直通風(fēng)險(xiǎn)。
• ?封裝選項(xiàng)?：提供DDA（帶PowerPAD? SOIC）、D（SOIC）、DRC（VSON）三種封裝，尺寸最小3mm×3mm。

?3. 典型應(yīng)用?

• ?汽車電子?：DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)（OBC）、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）。
• ?工業(yè)領(lǐng)域?：無(wú)線充電、智能玻璃模塊、兩輪/三輪車牽引驅(qū)動(dòng)。

?4. 設(shè)計(jì)要點(diǎn)?

• ?自舉電路?：需外接0.022μF-0.1μF電容，值取決于MOSFET柵極電荷。
• ?布局建議?：低ESR旁路電容需靠近器件引腳以減少電感效應(yīng)。
• ?負(fù)壓處理?：HS引腳允許短時(shí)負(fù)瞬態(tài)，可通過(guò)肖特基二極管（HO-HS或LO-VSS）增強(qiáng)保護(hù)。

?5. 功能模式?

• ?正常模式?：VDD/VHB超過(guò)UVLO閾值時(shí)，輸出由HI/LI輸入控制。
• ?禁用模式?（DRC封裝）：EN引腳拉低或懸空時(shí)關(guān)閉驅(qū)動(dòng)，靜態(tài)電流僅3μA。

?6. 性能參數(shù)?

• ?開(kāi)關(guān)特性?：7.2ns上升時(shí)間、5.5ns下降時(shí)間（1000pF負(fù)載）。
• ?熱性能?：DDA封裝結(jié)至環(huán)境熱阻44.8°C/W，優(yōu)化散熱需連接熱焊盤至地平面。