該DRV8962是一款寬電壓、高功率、四通道半橋驅動器，適用于各種工業應用。該器件支持高達 65V 的電源電壓，具有 50 mΩ 導通電阻的集成 MOSFET，采用 DDW 封裝時，每個輸出均允許高達 5A 的電流;DDV 封裝時，每個輸出的電流高達 10A。

該設備可用于驅動多達四個電磁閥或閥門、一個步進電機、兩個有刷直流電機、一個 BLDC 或 PMSM 電機以及多達兩個熱電冷卻器（帕爾貼元件）。該器件的輸出級由配置為四個獨立半橋的N溝道功率MOSFET、電荷泵穩壓器、電流檢測和調節電路、電流檢測輸出和保護電路組成。
*附件：drv8962.pdf

高側MOSFET上的集成電流檢測允許器件在負載從輸出端連接到地時調節電流。調節電流限制可以通過可調外部基準電壓源（VREF）進行設置。此外，該器件還提供四個比例電流輸出引腳，每個半橋高側FET一個。可選的外部檢測電阻器也可以從PGND引腳連接到系統接地。

提供低功耗睡眠模式以實現超低靜態電流。為電源欠壓鎖定 （UVLO）、電荷泵欠壓 （CPUV）、輸出過流 （OCP） 和器件過熱 （OTSD） 提供內部保護功能。

特性

• 四通道半橋驅動器
  • 獨立控制每個半橋
• 4.5 V 至 65 V 工作電源電壓范圍
• 低R DS（ON）：每個FET50 mΩ（24 V，25 °C）
• 大電流容量：
  • DDW 封裝：每個輸出高達 5A
  • DDV 封裝：每個輸出高達 10A
• 可驅動各種類型的負載 -
  • 最多四個電磁閥或閥門
  • 一個步進電機
  • 兩個有刷直流電機
  • 一個或兩個熱電冷卻器 （TEC）
  • 一臺三相無刷直流電機
  • 一臺三相永磁同步電機 （PMSM）
• 集成電流檢測和調節
  • 高側 MOSFET 上的電流檢測
  • 每個半橋的檢測輸出 （IPROPI）
  • ± 最大電流下 3.5% 的檢測精度
  • 可選外部檢測電阻
• 引腳對引腳兼容：
  • DRV8952：55 V，四通道半橋驅動器
• 獨立邏輯電源電壓 （VCC）
• 可編程輸出上升/下降時間
• 可編程故障恢復方法
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 邏輯輸入
• 低電流睡眠模式 （3 μA）
• 保護功能
  • VM 欠壓鎖定 （UVLO）
  • 電荷泵欠壓 （CPUV）
  • 過流保護 （OCP）
  • 熱關斷 （OTSD）
  • 故障條件輸出 （nFAULT）

參數

方框圖

?1. 產品概述?

• ?型號?：DRV8962，65V四通道半橋驅動器，集成電流檢測輸出（IPROPI）。
• ?版本?：SLVSFV6B（2022年8月發布，2023年10月修訂）。
• ?核心特性?：
  • ?四通道獨立控制?：支持驅動4個獨立負載（如電磁閥、直流電機、步進電機等）。
  • ?寬電壓范圍?：4.5V至65V工作電壓，低導通電阻（典型值50mΩ@24V）。
  • ?高電流能力?：DDW封裝每通道5A（峰值），DDV封裝每通道10A（需散熱器）。
  • ?集成電流檢測?：IPROPI引腳輸出比例電流（精度±3.5%），支持外部電阻可選。
  • ?保護功能?：欠壓鎖定（UVLO）、過流保護（OCP）、熱關斷（OTSD）等。

?2. 關鍵參數?

• ?導通電阻?：高/低邊MOSFET典型值50mΩ（24V, 25°C）。
• ?電流能力?：
  • DDW封裝：5A持續電流（每通道），DDV封裝：10A持續電流（帶散熱器）。
• ?開關頻率?：支持最高200kHz PWM輸入。
• ?睡眠模式?：靜態電流低至3μA（nSLEEP=0時）。

?3. 功能亮點?

• ?電流檢測與調節?：
  • IPROPI引腳輸出比例電流（212μA/A），結合外部電阻實現電流反饋。
  • VREF引腳可設置電流調節閾值（KV=0.66V/A）。
• ?靈活控制?：
  • 支持獨立PWM控制每通道，可配置為快衰減或慢衰減模式。
  • MODE引腳可調節輸出上升/下降時間（70ns或140ns）。
• ?保護機制?：
  • 故障自動恢復（自動重試或需nSLEEP復位）。
  • nFAULT引腳輸出故障狀態（開漏輸出）。

?4. 典型應用?

• ?場景?：
  • 工廠自動化（PLC、機械臂）、醫療設備（成像儀）、舞臺燈光控制。
  • 驅動負載：4個電磁閥、1個步進電機、2個直流電機、1個三相無刷電機（BLDC）或TEC模塊。
• ?電路設計?：
  • 需外接1μF（VCP）、0.1μF（CPH-CPL）電容，建議布局低ESR陶瓷電容靠近VM引腳。

?5. 封裝與熱管理?

• ?封裝?：
  • DDW：44引腳HTSSOP（14mm×8.1mm），底部散熱焊盤。
  • DDV：44引腳HTSSOP（頂部散熱焊盤，支持散熱器）。
• ?熱阻?：RθJA=22.2°C/W（DDW，四層PCB），需優化散熱設計。

?6. 對比DRV8952?

• ?差異點?：
  • DRV8962支持更高電壓（65V vs 55V）和電流（10A vs 5A）。
  • 集成電流檢測（IPROPI），DRV8952需外置檢測電阻。

?7. 修訂歷史?

• 2023年10月修訂版（Rev B）新增DDV封裝選項，更新LDO壓降和VREF漏電流規格。

?8. 設計注意事項?

• ?熱計算?：總功耗需考慮導通損耗（P=I2RDS(ON)）和開關損耗（PSW≈0.5×VM×I×tRF×fPWM）。
• ?布局建議?：VM引腳需就近放置0.01μF陶瓷電容+大容量電解電容，散熱焊盤多過孔接地。

?9. 典型性能曲線?

• 提供導通電阻隨溫度變化曲線、睡眠模式電流與VM關系圖等（見手冊第6.6節）。

?10. 應用示例?

• ?驅動步進電機?：需連接IPROPI引腳并設置VREF電壓，LC濾波器減少紋波電流。
• ?驅動TEC模塊?：支持雙向電流控制，PWM頻率建議≤100kHz以降低損耗。