Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。該驅動器可配置為同步半橋、全橋拓撲或降壓、升壓和降壓-升壓拓撲。LT8418具有強大的拉電流/灌電流能力,上拉電阻為0.6Ω,下拉電阻為0.2Ω。它還集成了智能集成式自舉開關,可從VCC 生成平衡自舉電壓,壓差極低。
數據手冊:*附件:Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器數據手冊.pdf
LT8418設有分離柵極驅動器,可調整GaN FET的導通和關斷轉換率,以抑制振鈴并優化EMI性能。所有驅動器輸入和輸出均具有默認低電平狀態,可防止GaN FET誤接通。LT8418、INT和INB具有獨立輸入,與TTL邏輯兼容。該驅動器具有10ns的快速傳播延遲,在頂部和底部通道之間保持1.5ns的出色延遲匹配,因此適用于高頻DC-DC轉換器、電機驅動器和D類音頻放大器。此外,LT8418采用緊湊型WLCSP封裝,可最大限度地降低寄生電感,因此可廣泛用于高性能和高功率密度應用。
特性
- 半橋柵極驅動器,用于GaN FET
- 頂部柵極驅動器上拉電阻:0.6?
- 底部柵極驅動器下拉電阻:0.2?
- 4A峰值拉電流、8A峰值灌電流能力
- 智能集成式自舉開關
- 分離柵極驅動器,用于調節導通/關斷強度
- 所有驅動器輸入和輸出的默認低電平狀態
- 最大額定電壓:15V(INT和INB輸入時)
- 獨立INT、INB輸入,兼容TTL邏輯
- 快速傳播延遲:10ns(典型值)
- 典型傳播延遲匹配:1.5ns
- 3.85V至5.5V平衡驅動器電源電壓(V
BST≈ VCC) - 欠壓和過壓閉鎖保護
- 小型12焊球WLCSP封裝
- 符合 RoHS 要求
應用
典型應用

方框圖

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