NSG6000 650V 單通道 半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅(qū)動(dòng)器。自帶死區(qū)保護(hù)、高低側(cè)互鎖功能，防止高低側(cè)直通。具有較強(qiáng)的VS負(fù)偏壓、負(fù)過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。

產(chǎn)品特性

最高芯片耐壓650V

兼容3.3V，5V，15V輸入邏輯

Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V

防直通保護(hù)：

--死區(qū)時(shí)間130ns

欠壓鎖定

--VCC欠壓鎖定閾值8.7V/7.7V

--VBS欠壓鎖定閾值8.2V/7.3V

驅(qū)動(dòng)電流能力：

--拉電流/灌電流=0.6A/1A

SOP8封裝

功能框圖

封裝管腳圖

推薦應(yīng)用范圍

冰箱

洗衣機(jī)

家用空調(diào)

逆變器

冰箱應(yīng)用電路

VS負(fù)偏壓測(cè)試數(shù)據(jù)

我司產(chǎn)品有較強(qiáng)的VS負(fù)過沖耐受能力，pulse可達(dá)-80V@200ns；直流負(fù)偏壓可達(dá)-9V以下。

負(fù)偏壓測(cè)試

負(fù)過沖測(cè)試

Switching測(cè)試

雙脈沖

50脈沖

參數(shù)對(duì)比

我司產(chǎn)品相比市場(chǎng)上同類型號(hào)產(chǎn)品：

--電流能力更大，可以驅(qū)動(dòng)電流能力更大的功率管；

--靜態(tài)電流更低，更低的功耗。

拉灌電流測(cè)試數(shù)據(jù)

拉電流測(cè)試

灌電流測(cè)試