国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統消息
      • 評論與回復
      VIP于 到期 續費
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學習在線課程
      • 觀看技術視頻
      • 寫文章/發帖/加入社區
      會員中心
      創作中心
      發布
      創作活動

      完善資料讓更多小伙伴認識你，還能領取20積分哦，立即完善>

      3天內不再提示

      NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹

      無錫新潔能股份有限公司 ? 來源：無錫新潔能股份有限公司 ? 2025-01-07 10:58 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      NSG6000 650V 單通道 半橋柵極驅動芯片

      NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能，防止高低側直通。具有較強的VS負偏壓、負過沖耐受能力。輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。具有寬VCC范圍、帶滯后的欠壓鎖定。

      75e8e66e-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      產品特性

      最高芯片耐壓650V

      兼容3.3V，5V，15V輸入邏輯

      Vs負偏壓能力達-9V

      防直通保護：

      --死區時間130ns

      欠壓鎖定

      --VCC欠壓鎖定閾值8.7V/7.7V

      --VBS欠壓鎖定閾值8.2V/7.3V

      驅動電流能力：

      --拉電流/灌電流=0.6A/1A

      SOP8封裝

      762a33c6-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      功能框圖

      7636a1b0-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      封裝管腳圖

      推薦應用范圍

      冰箱

      洗衣機

      家用空調

      逆變器

      冰箱應用電路

      76ce7422-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      76ed8664-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      VS負偏壓測試數據

      我司產品有較強的VS負過沖耐受能力，pulse可達-80V@200ns；直流負偏壓可達-9V以下。

      770b62ec-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      77156fee-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      負偏壓測試

      77264878-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      負過沖測試

      Switching測試

      773a99fe-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      雙脈沖

      774c84b6-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      50脈沖

      參數對比

      776a2ff2-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      我司產品相比市場上同類型號產品：

      --電流能力更大，可以驅動電流能力更大的功率管；

      --靜態電流更低，更低的功耗。

      拉灌電流測試數據

      77907c84-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      拉電流測試

      779ed39c-cc93-11ef-9310-92fbcf53809c.png

      灌電流測試

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
      • MOSFET
        +關注

        關注

        151

        文章

        9661

        瀏覽量

        233475
      • 驅動器
        +關注

        關注

        54

        文章

        9082

        瀏覽量

        155490
      • 驅動芯片
        +關注

        關注

        14

        文章

        1643

        瀏覽量

        57953

      原文標題：NSG6000 650V 單通道 半橋柵極驅動芯片

      文章出處：【微信號：NcePower，微信公眾號：無錫新潔能股份有限公司】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評論

        相關推薦
        熱點推薦

        技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋，具有集成驅動器、保護和電流感應功能

        LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式 （ACF） 轉換器
        的頭像 發表于 02-24 15:07 ?1117次閱讀
        技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 <b class='flag-5'>650V</b> 170/248mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>，具有集成<b class='flag-5'>驅動</b>器、保護和電流感應功能

        KP85302SGA 650V集成自舉二極管的半橋柵極驅動器核心設計

        產品架構與核心特性 1. 高壓耐受與負壓免疫 650V開關節點耐壓 +50V/ns dv/dt抗擾 ：應對電機反電動勢和MOSFET開關尖峰 -7V VS負壓承受 ：消除體二極管導通導致的負壓擊穿
        發表于 06-25 08:34

        Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

        ；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參
        發表于 04-30 15:13

        用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC

        用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
        發表于 06-19 07:57

        納芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅動芯片

        納芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多通道半橋柵極驅動芯片，覆蓋4/8路
        的頭像 發表于 01-12 14:07 ?4958次閱讀
        納芯微全新推出NSD3604/8-Q1系列多<b class='flag-5'>通道</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動</b><b class='flag-5'>芯片</b>

        淺析半橋柵極驅動器開關電源芯片U5402的主要特點

        開關電源芯片U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅動器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專
        的頭像 發表于 04-18 17:13 ?2337次閱讀

        新品 | 650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F

        新品650V高速半橋柵極驅動器2ED2388S06F650V高速
        的頭像 發表于 07-27 08:14 ?950次閱讀
        新品 | <b class='flag-5'>650V</b>高速<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動</b>器2ED2388S06F

        LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

        LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋
        的頭像 發表于 02-21 10:46 ?861次閱讀
        LMG2652 <b class='flag-5'>650V</b>、140mΩ GaN<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>，集成<b class='flag-5'>驅動</b>器、保護和電流感應概述

        LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述

        LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半
        的頭像 發表于 02-21 14:14 ?916次閱讀
        LMG2640 <b class='flag-5'>650V</b> 105mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>，集成<b class='flag-5'>驅動</b>器、保護和電流感應概述

        微源半導體推出650V半橋柵極驅動芯片LPD2106

        LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅動芯片，具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力，專用于驅動
        的頭像 發表于 03-08 10:11 ?1369次閱讀
        微源半導體推出<b class='flag-5'>650V</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>柵極</b><b class='flag-5'>驅動</b><b class='flag-5'>芯片</b>LPD2106

        LMG2656 650V、230mΩ GaN 半橋，集成驅動器、保護和電流檢測數據手冊

        該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、
        的頭像 發表于 08-06 16:40 ?1118次閱讀
        LMG2656 <b class='flag-5'>650V</b>、230mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b>，集成<b class='flag-5'>驅動</b>器、保護和電流檢測數據手冊

        LMG2650：650V 95mΩ GaN半橋集成驅動器的卓越之選

        LMG2650：650V 95mΩ GaN半橋集成驅動器的卓越之選 在電源管理和功率轉換領域，氮化鎵（GaN）技術正以其卓越的性能逐漸嶄露頭角。今天，我們就來深入探討一款由德州儀器（T
        的頭像 發表于 03-01 15:05 ?489次閱讀

        深入剖析LMG2656：650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應用

        深入剖析LMG2656：650V 230mΩ GaN半橋的卓越性能與應用 在電源轉換領域，氮化鎵（GaN）技術憑借其卓越的性能正逐漸嶄露頭角。本文將詳細介紹德州儀器（TI）的LMG26
        的頭像 發表于 03-01 15:05 ?491次閱讀

        LMG2652：650V 140mΩ GaN 半橋芯片的卓越性能與應用解析

        LMG2652：650V 140mΩ GaN 半橋芯片的卓越性能與應用解析 在當今的電子設計領域，高效、緊湊且性能卓越的功率器件是實現先進電源解決方案的關鍵。德州儀器（TI）推出的 L
        的頭像 發表于 03-01 15:15 ?483次閱讀

        探索LMG2640：650V GaN半橋的卓越性能與應用潛力

        德州儀器（TI）的LMG2640，一款集成了650V GaN功率FET半橋的創新產品，看看它如何在開關電源應用中發揮重要作用。 文件下載： lmg2640.pdf 一、LMG2640核心特性 集成設計優勢 LMG2640將
        的頭像 發表于 03-01 15:35 ?517次閱讀