MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動器，用于在半橋或同步應用中驅(qū)動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。
*附件：MP2797 中文數(shù)據(jù)手冊.pdf
開源#評估板原理圖和PCB設(shè)計文件下載
*附件：evq1918-qe-01a_schematic.zip
*附件：evq1918-qe-01a_layout.zip

MP1918 具有獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入。它為上管 (HS) 驅(qū)動器電壓提供自舉 (BST) 技術(shù)，且工作電壓高達 100V。它采用新型充電技術(shù)預防 HS 驅(qū)動器電壓超過 VCC 電壓 (V CC )，從而防止柵極電壓超過 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。

MP1918 提供兩個獨立柵極輸出，通過向柵極環(huán)路添加阻抗可以獨立調(diào)節(jié)導通與關(guān)斷。MP1918 的運行頻率可達數(shù)兆赫茲。

MP1918 采用側(cè)面鍍錫的 QFN-14 (3mmx3mm) 封裝。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢

• 獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 輸入
• 上管 (HS) 浮動偏置電壓軌運行電壓高達 100VDC
• 獨立柵極輸出實現(xiàn)可調(diào)導通/關(guān)斷功能
• 內(nèi)部自舉 (BST) 開關(guān)電源電壓鉗位
• 3.7V 至 5.5V VCC 電壓 (V CC ) 范圍
• 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉電阻
• 快速傳播時間
• 出色的傳播延遲匹配能力（通常為 1.5ns）
• 采用側(cè)面鍍錫的 QFN-14 (3mmx3mm) 封裝

100V 半橋 GaN/MOSFET 驅(qū)動器評估板

EVQ1918-QE-01A 是用于演示 MPQ1918-AEC1 功能的評估板。MPQ1918-AEC1 是一款半橋驅(qū)動器，可在半橋或同步應用中驅(qū)動增強型氮化鎵 (GaN) FET 或低柵極閾值電壓 N 溝道 MOSFET。

EVQ1918-QE-01A 可配置為降壓變換器，由 MPQ1918-AEC1 驅(qū)動 GaN FET。它支持開環(huán)控制，并可通過調(diào)節(jié)脈寬調(diào)制（PWM）信號的占空比來設(shè)置輸出電壓（V OUT ）。

該板只需一個 PWM 信號；由板載電路生成具有適當死區(qū)時間 (DT) 的 PWML 和 PWMH 信號。在實際應用中，需由控制器負責 DT 調(diào)整。

MPQ1918-AEC1 采用側(cè)面鍍錫的 FCQFN -14 (3mmx3mm) 封裝。