Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數據手冊
Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級是一款90V連續、100V脈沖、35A半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個100V GaN FET，由一個高頻90V GaN FET驅動器驅動。GaN FET為功率轉換提供了顯著優勢，例如零反向恢復和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。
數據手冊：*附件：Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數據手冊.pdf
TI LMG2100R044功率級安裝在完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG2100R044采用5.5mm x 4.5mm x 0.89mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。
特性
- 集成4.4mΩ半橋GaN FET和驅動器
- 90V連續、100V脈沖額定電壓
- 封裝經過優化，便于PCB布局
- 高壓擺率開關，低振鈴
- 5V外部偏置電源
- 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
- 柵極驅動器支持高達10MHz開關
- 低功耗
- 出色的傳播延遲（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
- 內部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅動
- 電源軌欠壓，用于閉鎖保護
- 裸露頂部QFN封裝，用于頂部冷卻
- 較大的GND焊盤，用于底部冷卻
應用
簡化框圖
傳播延遲與傳播不匹配測量
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