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DRV8718-Q1智能半橋柵極驅動器技術文檔總結

科技綠洲 ? 2025-10-14 15:26 ? 次閱讀
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DRV871x-Q1 系列器件是高度集成的多通道柵極驅動器,用于驅動多個電機或負載。這些器件集成了 4 個 (DRV8714-Q1) 或 8 個 (DRV8718-Q1) 半橋柵極驅動器、驅動器電源電流分流放大器和保護監視器,可降低整體系統復雜性、尺寸和成本。

智能柵極驅動架構可管理死區時間以防止擊穿,控制壓擺率以降低電磁干擾 (EMI),并優化傳播延遲以增強性能。
*附件:drv8718-q1.pdf

為獨立的半橋或H橋控制提供輸入模式。四個PWM輸入可以與SPI控制相結合在不同驅動器之間進行多路復用。

寬共模分流放大器提供在線電流檢測,即使在再循環窗口期間也能連續測量電機電流。如果不需要在線檢測,該放大器可用于低側或高側檢測配置。

這些器件提供一系列保護功能,以促進系統穩健運行。其中包括欠壓和過壓監控器、用于外部 MOSFET 的 VDS 過流和 VGS 柵極故障監控器、離線開路負載和短路診斷以及內部熱警告和關斷保護。

特性

  • 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用:
    • 溫度等級 1:–40°C 至 +125°C,TA
  • 多通道半橋柵極驅動器
    • 引腳到引腳 4 和 8 半橋驅動器變體
    • 4.9V 至 37V (40V abs. max) 工作范圍
    • 4 個帶輸出映射的 PWM 輸入
    • 用于 100% PWM 的三重電荷泵
    • 半橋、H 橋和 SPI 控制模式
  • 智能多級柵極驅動架構
    • 可調節的壓擺率控制
    • 自適應傳播延遲控制
    • 50μA至62mA峰值源電流輸出
    • 50μA 至 62mA 峰值灌電流輸出
    • 集成死區握手
  • 2 個寬共模電流分流放大器
    • 支持直列、高側或低側
    • 可調增益設置(10、20、40、80V/V)
  • 提供多種接口選項
    • SPI:詳細配置和診斷
    • 硬件:簡化控制,減少MCU引腳
  • 具有可潤濕側翼的緊湊型 VQFN 封裝
  • 集成保護功能
    • 專用驅動程序禁用引腳 (DRVOFF)
    • 低智商、睡眠模式電機制動 (BRAKE)
    • 電源和穩壓器電壓監控器
    • MOSFET VDS 過流監測器
    • MOSFET VGS 柵極故障監控器
    • 用于反極性MOSFET的電荷泵
    • 離線開路負載和短路診斷
    • 設備熱警告和關機
    • 窗口看門狗定時器
    • 故障條件中斷引腳 (nFAULT)

參數
image.png

方框圖
image.png

?1. 產品概述?
DRV8714-Q1和DRV8718-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級多通道智能半橋柵極驅動器,集成寬共模電流檢測放大器,適用于驅動多電機或負載。

  • ?關鍵特性?:
    • AEC-Q100認證(溫度等級1:-40°C至125°C)。
    • 支持4通道(DRV8714-Q1)或8通道(DRV8718-Q1)半橋驅動。
    • 工作電壓范圍4.9V至37V(最大40V)。
    • 智能柵極驅動架構(可調壓擺率、自適應傳播延遲控制)。
    • 集成2路寬共模電流檢測放大器(增益10/20/40/80V/V)。
    • 支持SPI和硬件(H/W)接口配置。

?2. 應用場景?

  • 汽車有刷直流電機(如電動座椅、尾門、天窗、門模塊等)。
  • 車身控制模塊、變速箱和發動機控制模塊。

?3. 核心功能?

  • ?智能柵極驅動?:
    • 可調死區時間控制,防止直通。
    • 壓擺率調節(50μA至62mA峰值電流輸出)。
    • 集成VDS/VGS故障監測(過流、柵極故障)。
  • ?電流檢測?:支持高/低側或在線電流檢測配置。
  • ?保護機制?:
    • 電源電壓監控(欠壓/過壓)。
    • 熱警告和關斷保護。
    • 離線開/短路診斷。

?4. 封裝與引腳?

  • ?封裝類型?:VQFN(40/56引腳)、HTQFP(48引腳)。
  • ?關鍵引腳功能?:
    • ?PWM輸入?(IN1-IN4):控制半橋驅動模式。
    • ?DRVOFF/nFLT?:全局驅動禁用或故障中斷。
    • ?BRAKE?:低功耗睡眠模式下的電機主動制動。

? 5. 寄存器配置(SPI接口) ?

  • 提供靈活的寄存器映射,支持:
    • 半橋/H橋控制模式切換。
    • PWM輸入映射與自由輪配置。
    • 柵極驅動電流、故障響應閾值編程。

?6. 典型應用設計?

  • ?外部元件?:需配置電荷泵電容(1μF)、PVDD去耦電容(0.1μF+10μF)。
  • ?布局建議?:優化PCB布線以減少EMI,確保功率地(PGND)與信號地分離。
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