DRV8106-Q1是一款高度集成的半橋柵極驅動器，能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。它使用用于高側的集成倍增器電荷泵和用于低側的線性穩壓器產生適當的柵極驅動電壓。

該器件采用智能柵極驅動架構，可降低系統成本并提高可靠性。柵極驅動器優化死區時間以避免擊穿情況，通過可調的柵極驅動電流控制降低電磁干擾 （EMI），并防止漏極到源極和柵極短路條件DS和 VGS的顯示器。
*附件：drv8106-q1.pdf

寬共模分流放大器提供在線電流檢測，即使在循環窗口期間也能連續測量電機電流。如果不需要在線檢測，該放大器可用于低側或高側檢測配置。

DRV8106-Q1 提供一系列保護功能，以確保系統穩健運行。其中包括電源和電荷泵的欠壓和過壓監測器，VDS過流和VGS的用于外部 MOSFET 的柵極故障監控器、離線開路負載和短路診斷以及內部熱警告和關斷保護。

特性

• 符合 AEC-Q100 標準，適用于汽車應用：
  • 溫度等級 1：–40°C 至 +125°C，T一個
• 半橋智能門驅動器
  • 4.9V 至 37V （40V abs. max） 工作范圍
  • 用于 100% PWM 的倍增電荷泵
• 引腳到引腳柵極驅動器變體
  • DRV8705-Q1：帶低側放大器的 H 橋
  • DRV8706-Q1：帶內聯放大器的 H 橋
• 智能門驅動架構
  • 可調節的壓擺率控制
  • 0.5mA 至 62mA 峰值源電流輸出
  • 0.5mA 至 62mA 峰值灌電流輸出
  • 集成死區握手
• 寬共模電流分流放大器
  • 支持直列、高側或低側
  • 可調增益設置（10、20、40、80 V/V）
  • 集成反饋電阻器
  • 可調PWM消隱方案
• 提供多種接口選項
  • SPI：詳細配置和診斷
  • 硬件：簡化控制，減少MCU引腳
• 用于降低 EMI 的擴頻時鐘
• 緊湊型 VQFN 封裝，具有可潤濕側翼
• 集成保護功能
  • 專用驅動程序禁用引腳 （DRVOFF）
  • 電源和穩壓器電壓監控器
  • MOSFET VDS過流監視器
  • MOSFET VGS的柵極故障監控器
  • 用于反極性MOSFET的電荷泵
  • 離線開路負載和短路診斷
  • 設備熱警告和關機
  • 故障條件中斷引腳 （nFAULT）

參數

方框圖

?1. 核心特性?

• ?驅動架構?：集成半橋柵極驅動器，支持高邊和低邊N溝道MOSFET驅動，內置雙倍電荷泵（支持100% PWM占空比）。
• ?電壓范圍?：4.9V至37V（PVDD引腳），兼容3.3V/5V邏輯輸入。
• ?電流能力?：峰值柵極驅動電流62mA（可調），支持16級源/灌電流配置。
• ?電流檢測?：寬共模范圍（-2V至PVDD+2V）的差分電流檢測放大器，增益可選10/20/40/80 V/V。
• ?保護機制?：
  • 電源監控（PVDD欠壓/過壓、VCP欠壓、DVDD上電復位）。
  • MOSFET故障檢測（VDS過流、VGS柵極故障）。
  • 離線診斷（開路/短路檢測）、熱警告（OTW）及關斷（OTSD）。

?2. 關鍵參數?

?3. 典型應用?

• ?汽車電子?：有刷直流電機（燃油泵、雨刮器）、繼電器/螺線管驅動。
• ?工業設備?：BDC電機控制、真空吸塵器。
• ?保護功能?：支持電機短路、MOSFET故障實時監測。

?4. 功能模式?

• ?睡眠模式?（nSLEEP=0）：靜態電流低至2μA，柵極被動下拉。
• ?SPI/HW接口?：
  • ?SPI版本?：支持寄存器配置（如死區時間、電流閾值）。
  • ?硬件版本?：通過電阻配置增益/驅動電流（簡化MCU接口）。
• ?PWM控制?：支持半橋獨立控制或互補PWM輸入。

?5. 保護與診斷?

• ?實時監測?：
  • VDS比較器（閾值0.06V-2V可調）。
  • VGS柵極電壓監控（閾值1V/1.4V可選）。
• ?故障響應?：
  • 鎖存/自動恢復模式可選。
  • nFAULT引腳輸出故障中斷。

?6. 設計要點?

• ?布局建議?：
  • PVDD引腳需并聯0.1μF陶瓷電容+10μF以上電解電容。
  • 電荷泵需外接1μF（VCP-PVDD）和100nF（CPH-CPL）電容。
• ?電流檢測?：
  • 支持高邊/低邊/在線式分流電阻配置。
  • 輸出可配置為采樣保持或空白模式（減少開關噪聲）。