LMG2100R044 器件是一款 90V 連續、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅動器驅動，采用半橋配置。

GaN FET 具有零反向恢復和非常小的輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS，因此為功率轉換提供了顯著的優勢。所有器件都安裝在完全無鍵合絲的封裝平臺上，最大限度地減少了封裝寄生元件。LMG2100R044 器件采用 5.5mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。

TTL 邏輯兼容輸入可以支持 3.3V 和 5V 邏輯電平，而與 VCC 電壓無關。專有的自舉電壓箝位技術確保增強型 GaN FET 的柵極電壓在安全工作范圍內。

該器件通過提供更用戶友好的界面，擴展了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要高頻、高效率運行、小尺寸的應用，它是理想的解決方案。

TI LMG2100R044數據表：
*附件：TI LMG2100R044 具有集成驅動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET.pdf

TI LMG2100R044應用簡報：
*附件：GaN FET 在人形機器人中的應用.pdf

TI LMG2100R044技術文章：
*附件：GaN 將革新四種中壓應用的電子設計.pdf