采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專(zhuān)為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固
2026-01-04 17:06:49
679 
IR21592/IR21593：調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC的技術(shù)解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，調(diào)光鎮(zhèn)流器控制IC是一個(gè)關(guān)鍵的組件，它對(duì)于實(shí)現(xiàn)燈具的高效、穩(wěn)定調(diào)光起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來(lái)
2025-12-30 17:25:19422 TE為嚴(yán)苛應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)并制造一系列從感應(yīng)元件到系統(tǒng)封裝的壓力傳感器。
TE可提供領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)化及定制化的壓力傳感器產(chǎn)品，從板裝式壓力元件到帶有放大輸出并完整封裝的壓力變送器。基于硅壓阻微機(jī)
2025-12-24 18:02:26
依托超過(guò)1200項(xiàng)專(zhuān)利的技術(shù)積淀與全鏈路AI智造實(shí)力，國(guó)星光電正式推出DIP6封裝可控硅光耦新品，以自主核心技術(shù)為智能控制注入安全新動(dòng)能，為工業(yè)控制、智能家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域提供高端國(guó)產(chǎn)化解決方案。
2025-12-23 16:22:37202 
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03225 ：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級(jí)超級(jí)結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來(lái)突破。這款新品為電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施及儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
2025-12-11 17:48:49736 威兆半導(dǎo)體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負(fù)電源切換、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型
2025-12-10 09:44:34249 
聚焦MEMS硅麥封裝領(lǐng)域的前沿技術(shù)路線(xiàn)，對(duì)比分析晶圓級(jí)封裝（WLP）的微型化優(yōu)勢(shì)、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的集成化潛力及傳統(tǒng)封裝的性?xún)r(jià)比方案，結(jié)合聲學(xué)靈敏度、電磁屏蔽與環(huán)境防護(hù)等關(guān)鍵指標(biāo)，為行業(yè)選型提供技術(shù)決策參考。
2025-12-09 11:40:11452 
MASW-000834-13560T是MACOM推出的一款高功率單刀雙擲（SPDT）寬帶射頻開(kāi)關(guān)，采用其專(zhuān)利 HMIC? 硅-玻璃 PIN 二極管工藝，具備高線(xiàn)性度、高隔離度和低插入損耗等特性
2025-12-01 09:02:41
。NTTFD1D8N02P1E MOSFET還具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。該MOSFET采用PQFN12小尺寸 (3.3mm x 3.3mm)，設(shè)計(jì)緊湊。NTTFD1D8N02P1E器件適用于直流/直流轉(zhuǎn)換器和系統(tǒng)電壓軌。
2025-11-24 13:40:06394 
安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET，采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、469A連續(xù)漏極電流，符合AECQ101標(biāo)準(zhǔn)。安森美
2025-11-24 10:04:20313 
安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容，采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、114A連續(xù)漏極
2025-11-24 09:56:46271 
安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET，采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、154A連續(xù)漏極電流，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。安森美
2025-11-24 09:41:22320 
Altera 全新推出 MAX 10 FPGA 封裝新選擇，采用可變間距球柵陣列 (VPBGA) 技術(shù)并已開(kāi)始批量出貨，可為空間受限及 I/O 密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
2025-11-10 16:38:151622 
近年來(lái)，基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用，受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件，碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以及很快的開(kāi)關(guān)速度，與硅IGBT相比，導(dǎo)通損耗
2025-11-05 08:22:008362 
中科微電推出的N溝道MOSFET ZK150G05T，以150V耐壓、51A連續(xù)電流、TO-252-2L薄型封裝為核心標(biāo)簽，精準(zhǔn)匹配3-8kW級(jí)中壓場(chǎng)景的功率控制需求，其參數(shù)設(shè)計(jì)與應(yīng)用表現(xiàn)，為理解中壓小功率器件的適配性發(fā)展邏輯提供了典型樣本。
2025-11-04 16:27:15481 
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有非常低的單位面積R ~DS(on)~ 。該器件采用創(chuàng)新的超級(jí)結(jié)MDmesh M9技術(shù)，具有多漏極制造工藝，可實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型器件結(jié)構(gòu)。
2025-10-30 10:47:09365 
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET設(shè)計(jì)用于中/高壓MOSFET，具有單位區(qū)域極低的R~DS(on)~ 和快速恢復(fù)二極管。該器件采用創(chuàng)新的超結(jié)MDmesh DM9技術(shù)，提供多漏極制造工藝，從而實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)。
2025-10-30 10:12:05347 
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51507 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在最近，海思光電發(fā)布了其全新的HI-ONE硅光引擎，這是基于其III-V光芯片、硅基半導(dǎo)體芯片技術(shù)和先進(jìn)光電封裝平臺(tái)能力，面向AI時(shí)代的高密度光電互連推出的新一代硅光引擎平臺(tái)
2025-10-27 06:50:005272 一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無(wú)線(xiàn)充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，以超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷
2025-10-24 16:21:14531 
一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗
2025-10-24 15:59:53537 MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開(kāi)關(guān)控制、筆記本核心供電等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)。一
2025-10-24 10:22:08296 STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù)，利用了20年的超級(jí)結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應(yīng)用。
2025-10-23 15:08:58415 
！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢(shì)！ 傾
2025-10-18 21:22:45403 
硅通孔（TSV）技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔，達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線(xiàn)鍵合等互連方案，TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于顯著縮短互連路徑（較引線(xiàn)鍵合縮短 60%~90%）與提升互連密度
2025-10-14 08:30:006439 
，Wolfspeed 面向汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)發(fā)布商業(yè)化量產(chǎn)的頂部散熱U2封裝器件，來(lái)擴(kuò)展系統(tǒng)設(shè)計(jì)選項(xiàng)。U2封裝可作為對(duì)其他供應(yīng)商生產(chǎn)的 MOSFET 的直接替代，為客戶(hù)成熟的設(shè)計(jì)提供了采購(gòu)靈活性，并改善了封裝爬電距離，以支持 650 V 至 1200 V 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。符合車(chē)
2025-10-13 05:17:006242 作者： Pete Bartolik 工具 在電力應(yīng)用中，氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢(shì)。氮化鎵器件能夠滿(mǎn)足各行各業(yè)的需求，具有更高的密度、更快的切換
2025-10-04 18:25:001525 
、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件（含二極管、MOSFET、IGBT）以及豐富的應(yīng)用案例，憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計(jì)和廣泛的應(yīng)用適配能力，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體，現(xiàn)場(chǎng)參觀(guān)走訪(fǎng)ROHM的展臺(tái)，與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。 碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141109 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，通過(guò)創(chuàng)新的模塊設(shè)計(jì)顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03976 
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出40-100 V汽車(chē)MOSFET產(chǎn)品組合，該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝，專(zhuān)為車(chē)身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
2025-09-12 09:38:45630 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性，專(zhuān)為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 ### 一、IR9351-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IR9351-VB 是一款采用 DFN6(2X2)-B 封裝的雙 P-通道 MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻和高效的開(kāi)關(guān)性能。該器件的最大漏源電壓 (VDS) 為
2025-09-02 15:57:19
### IR8342-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IR8342-VB是一款采用DFN6(2x2)封裝的單N溝道MOSFET，具有30V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS）。其低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)能力
2025-09-02 15:50:43
### 一、IR6242-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介IR6242-VB 是一款采用 DFN6 (2x2) 封裝的單一 N 溝道 MOSFET，專(zhuān)為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。其主要特性包括 30V 的漏源電壓
2025-09-02 15:45:18
SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書(shū)標(biāo)稱(chēng)的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件初期，使用單管封裝測(cè)試的，2-3μs;到模塊
2025-09-02 14:56:561098 
]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。三款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2025-09-01 16:33:492081 
串單色或紅外 （IR） LED 陣列，就像夜視攝像機(jī)一樣。
通過(guò)集成 MOSFET 并采用 SOT-23-THIN 封裝，TPS54200 和 TPS54201 器件可提供高功率密度，并且只需要在 PCB 上占用很小的尺寸。
2025-08-26 11:12:49839 
電力電子器件作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換與功率控制的核心載體，正經(jīng)歷著從傳統(tǒng)硅基器件向SiC等寬禁帶半導(dǎo)體器件的迭代升級(jí)，功率二極管、IGBT、MOSFET等器件的集成化與高性能化發(fā)展，推動(dòng)著封裝技術(shù)向高密度集成、高可靠性與高效散熱方向突破。
2025-08-25 11:28:122524 
碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
。故障保護(hù)包括逐周期限流保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)。MP2359 采用 TSOT23-6 和 SOT23-6封裝，最大限度地減少了現(xiàn)有外部元器件的使用。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
1.2A 峰值輸出電流
0.35Ω 內(nèi)部功率
2025-08-06 19:07:40
【2025年8月1日，德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506 基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 MASW-011052 是由MACOM推出的 HMIC?硅 PIN 二極管 SP2T 寬帶開(kāi)關(guān)，選用 MACOM 專(zhuān)利技術(shù)的 HMIC（異石微波集成電路）工藝技術(shù)，工作頻率范圍為 2-18 GHz
2025-07-18 08:57:26
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池管理和無(wú)線(xiàn)充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
碳化硅MOSFET和肖特基二極管產(chǎn)品，通過(guò)頂部散熱（TSC）封裝，可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率，同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。 ? 本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝，提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng)，面向電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)
2025-07-08 00:55:003493 
作為控制交流負(fù)載的關(guān)鍵元件，在電器控制系統(tǒng)中起著電氣隔離、信號(hào)控制與傳輸?shù)闹匾饔茫羌译娭悄芑暮诵慕M件之一。 為助推智能家電技術(shù)升級(jí)，國(guó)星光電立足封裝主業(yè)優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)新推出FOC-30XXM4系列可控硅光耦產(chǎn)品。 該系列產(chǎn)品采用超
2025-07-07 17:10:34994 
會(huì)降低。
2、選擇合適的器件與封裝
▍低寄生電感封裝
優(yōu)先選擇采用低寄生電感封裝技術(shù)的開(kāi)關(guān)器件，能有效減少 PCB 上的寄生電感，提高開(kāi)關(guān)器件的性能。
▍優(yōu)化焊盤(pán)設(shè)計(jì)
? 采用大面積焊盤(pán)設(shè)計(jì)，減少接觸
2025-07-02 11:22:49
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導(dǎo)通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:111321 5高速數(shù)據(jù)傳輸，并可拓展至112G。Sliver跨接式連接器采用0.6mm間距的高密度設(shè)計(jì)，支持下一代硅技術(shù)PCIe標(biāo)準(zhǔn)的通道數(shù)要求，而市場(chǎng)上現(xiàn)有產(chǎn)品已達(dá)其通道數(shù)極限。
作為T(mén)E的授權(quán)分銷(xiāo)商
2025-06-30 10:01:16
三款新品驅(qū)動(dòng)工業(yè)新效能！采用溝槽工藝MOSFET和肖特基二極管 產(chǎn)品介紹 合科泰新推出三款新品，均為T(mén)O-252封裝。兩款MOSFET型號(hào)分別為HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二極管
2025-06-27 18:24:35447 
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過(guò)創(chuàng)新
2025-06-25 10:26:291700 
取代傳統(tǒng)硅基器件。基本半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹(shù)立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
2025-06-16 15:20:29711 
采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設(shè)計(jì)元素共同實(shí)現(xiàn)了出色的開(kāi)關(guān)性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線(xiàn)則可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)損耗。
2025-06-09 09:57:38858 。
結(jié)構(gòu)上，它由兩個(gè)背靠背的結(jié)實(shí)現(xiàn)(這不是一筆大交易，早在 Bardeen 之前，我們可能就是采用相同的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了共陰極)，但是，在功能上它是完全不同的器件，就像一個(gè)控制發(fā)射極電流流動(dòng)的“龍頭
2025-06-03 15:39:43
，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和平面高壓硅基MOS
2025-05-30 16:24:03932 
”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器等工業(yè)設(shè)備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2025-05-22 14:51:22901 
功率器件與拓?fù)鋬?yōu)化
寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開(kāi)關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
SiC MOSFET導(dǎo)通電阻低（僅為硅
2025-05-21 14:38:45
目前全球每年銷(xiāo)售約2.2億臺(tái)冰箱和冰柜，2024年市場(chǎng)規(guī)模約為750億美元。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)將以6.27%的年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)，到2032年將達(dá)到約1200億美元。當(dāng)前冰箱壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)主要采用兩種硅基技術(shù)
2025-05-16 11:08:28993 
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn)，以滿(mǎn)足最嚴(yán)苛汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離，可滿(mǎn)足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件
2025-05-09 19:42:5351529 超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū)，形成“超級(jí)結(jié)”單元，通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件，其核心設(shè)計(jì)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
設(shè)定了一個(gè)目標(biāo)，即設(shè)計(jì)出改進(jìn)版的2kVI車(chē)輛逆變器。在開(kāi)發(fā)過(guò)程中，我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現(xiàn)的常關(guān)型E-HEMTGaN器件的性能。本
2025-04-22 11:35:39866 
異的高溫和高頻性能。
案例簡(jiǎn)介：SiC MOSFET 的動(dòng)態(tài)測(cè)試可用于獲取器件的開(kāi)關(guān)速度、開(kāi)關(guān)損耗等關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，從而幫助工程師優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和封裝。然而，由于 SiC MOSFET 具備極快的開(kāi)關(guān)特性
2025-04-08 16:00:57
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號(hào)為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
改良，相應(yīng)地也是明顯地改善了SMPS的效率，減小了尺寸，重量和成本也隨之降低。由于器件對(duì)應(yīng)用性能的這種直接影響，SMPS設(shè)計(jì)人員必須比較不同半導(dǎo)體技術(shù)的各種優(yōu)缺點(diǎn)以?xún)?yōu)化其設(shè)計(jì)。例如，MOSFET一般在
2025-03-25 13:43:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ?最近意法半導(dǎo)體（ST）推出了新一代專(zhuān)有硅光技術(shù)和新一代BiCMOS技術(shù)，這兩項(xiàng)技術(shù)的整合形成一個(gè)獨(dú)特的300毫米（12英寸）硅工藝平臺(tái)，產(chǎn)品定位光互連市場(chǎng)，ST表示這兩項(xiàng)技術(shù)
2025-03-22 00:02:002892 5高速數(shù)據(jù)傳輸，并可拓展至112G。SILVER 跨接式連接器采用0.6mm間距的高密度設(shè)計(jì)，支持下一代硅技術(shù)PCIe標(biāo)準(zhǔn)的通道數(shù)要求，而市場(chǎng)上現(xiàn)有產(chǎn)品已達(dá)其通道數(shù)極限。
作為T(mén)E的授權(quán)分銷(xiāo)商
2025-03-21 11:54:49
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專(zhuān)為滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
供電、執(zhí)行器控制等多個(gè)方面。特別是在需要快速響應(yīng)和高效率的場(chǎng)合，TO-252封裝的N溝道MOSFET更是表現(xiàn)出色。
2025-03-14 14:14:082251 
新款封裝采用先進(jìn)的頂部散熱（GTPAK?）和海鷗腳（GLPAK?）封裝技術(shù)，可滿(mǎn)足更高性能要求，并適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境條件。 日前，集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷(xiāo)售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商
2025-03-13 13:51:461305 
碳化硅（SiC）MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件，在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，隨著國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET技術(shù)、成本及供應(yīng)鏈都日趨完善，國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅在
2025-03-13 11:12:481577 
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長(zhǎng)，新潔能（NCE）產(chǎn)品研發(fā)部門(mén)推出HO系列MOSFET產(chǎn)品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿(mǎn)足熱插拔、緩啟動(dòng)、電子保險(xiǎn)絲、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
【 202 5 年 2 月 27 日 , 德國(guó)慕尼黑訊】 氮化鎵（GaN）技術(shù)在提升功率電子器件性能水平方面起到至關(guān)重要的作用。但目前為止，GaN供應(yīng)商采用的封裝類(lèi)型和尺寸各異，產(chǎn)品十分零散，客戶(hù)
2025-03-03 15:50:564323 
硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無(wú)可爭(zhēng)議，然而，隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小，硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn)，本文分述如下：1.硅集成電路的優(yōu)勢(shì)與地位;2.硅材料對(duì)CPU性能的影響;3.硅材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491384 
在現(xiàn)代智能電子設(shè)備中，體積與效率的博弈從未停止。為應(yīng)對(duì)5G、新能源、汽車(chē)電子對(duì)高密度設(shè)計(jì)的需求，其中，MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠(chǎng)推出全新產(chǎn)品——MOSFET
2025-02-27 12:02:084596 
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小，成本更低，效率更高的電源系統(tǒng)，從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PDFN封裝器件的熱設(shè)計(jì)。 *附件：應(yīng)用筆
2025-02-26 18:28:471205 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率器件作為一種寬禁帶器件，以其耐高壓、高溫、導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)異特性，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的這些優(yōu)勢(shì)性能，封裝技術(shù)起著
2025-02-21 13:18:361794 
意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）推出了新一代專(zhuān)有硅光技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心和AI集群帶來(lái)性能更高的光互連解決方案。隨著AI計(jì)算需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，計(jì)算、內(nèi)存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體
2025-02-20 17:17:511419 SiC 器件性能表現(xiàn)突出，能實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)，有效應(yīng)對(duì)關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn)，也因此越來(lái)越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運(yùn)行頻率更高
2025-02-20 10:08:051343 
中的未來(lái)前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問(wèn)道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開(kāi)關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢(shì)。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開(kāi)關(guān)在高溫下工作并實(shí)現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177 
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件的封裝技術(shù)，從封裝材料選擇、焊接技術(shù)、熱管理技術(shù)、電氣連接技術(shù)和封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多個(gè)方面展開(kāi)探討。
2025-02-03 14:21:001292 碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討SiC MOSFET的主要參數(shù)特性，并通過(guò)對(duì)比硅基MOSFET和IGBT，闡述其技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-02-02 13:48:002731 高性能計(jì)算機(jī)中日益廣泛采用“處理器+存儲(chǔ)器”體系架構(gòu)，近兩年來(lái)Intel、AMD、 Nvidia都相繼推出了基于該構(gòu)架的計(jì)算處理單元產(chǎn)品，將多個(gè)存儲(chǔ)器與處理器集成在一個(gè)TSV硅轉(zhuǎn)接基板上，以提高計(jì)算
2025-01-27 10:13:003791 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高，器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上，而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí)，是提高器件散熱能力的有效途徑之一。
2025-01-23 11:13:441955 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572634 
非常有效。這些器件使用Skyworks成熟的硅技術(shù)，使PIN二極管具備嚴(yán)格管理的I區(qū)特性。APD0505至APD1520二極管的低電容和低電阻特別適合需要插入損耗和快速開(kāi)關(guān)速度的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。針對(duì)需要高功率
2025-01-20 09:31:55
BASiC國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模塊介紹
2025-01-16 14:32:04
2 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開(kāi)關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)電壓保護(hù)開(kāi)關(guān)，電池充放電開(kāi)關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2025-01-08 16:34:241182 硅電容是一種采用了硅作為材料，通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容，和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482187 
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