Pcore2 62mm

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。

基于電機驅動應用，基本半導體針對62mm規格的碳化硅MOSFET與IGBT模塊進行了性能仿真對比，同時可提供這一款模塊產品配套的整套驅動板解決方案及零件。

產品拓撲

產品特點

基本半導體第三代碳化硅MOSFET芯片技術，性能更優

低導通電阻，高溫下RDS(on)表現優異

低開關損耗，提高開關頻率，功率密度提升

高性能Si3N4AMB和高溫焊料引入，提高產品可靠性

高可靠性和高功率密度

低雜散電感設計，14nH及以下

銅基板散熱

應用領域

儲能系統

焊機電源

感應加熱設備

光伏逆變器

牽引輔助變流器

產品列表

產品性能實測數據對比(BMF540R12KA3與其他品牌產品)

1. 靜態參數測試

2. 動態參數測試

BMF540R12KA3在ID=270A、ID=540A動態測試時，開通損耗、關斷損耗、總損耗均優于其它品牌同等級產品。

2.1 開關特性參數對比

測試條件：

VDS=600V,ID=270A, RG(on)=2Ω,

RG(off)=2Ω,Lσ=21nH, VGS=-4V/18V

測試條件：

VDS=600V,ID=540A, RG(on)=2Ω,

RG(off)=2Ω, Lσ=21nH, VGS=-4V/18V

2.2 波形對比

測試條件：

VDC=600V，VGS=-4V/+18V，

RG(on)=RG(off)=2Ω，Lload=10uH，

ID=540A，Tj=25℃

ID=540A——上橋

ID=540A——下橋

碳化硅MOSFET在電機驅動應用中與IGBT對比的仿真數據

1. 碳化硅MOSFET模塊與IGBT模塊對比

碳化硅MOSFET模塊與IGBT模塊在電機驅動應用中的對比

使用PLECS軟件建模。

紅框為溫度和損耗監控MOSFET和IGBT的位置，其余開關位置結果完全相同，不作展示。

仿真的工況及條件

仿真80℃散熱器溫度下，兩款62mm模塊在此應用工況中的損耗、結溫和整機效率。

應用為電機驅動。

3.1 仿真任務1——固定出力仿結溫

仿真80℃散熱器溫度下，母線電壓800V，輸出相電流300Arms應用工況下的損耗、結溫和整機效率。

輸出有功功率=300A*330V*3*cosφ=237.6kW

效率（%）=輸出有功功率/（輸出有功功率+器件總損耗功率）=237.6kW/(237.6+1.11922*6)kW=97.25%

仿真結果波形

BMF540R12KA3(工況6kHz 300Arms)

F***(800A)(工況6kHz 300Arms)

3.2 仿真任務2——固定結溫仿出力

80℃散熱器溫度與約束結溫Tj≤175℃情況下，計算系統相電流輸出大小。

3.3 仿真任務3——開關頻率和輸出電流的關系

仿真母線電壓=800V，80℃散熱器溫度，在限制結溫Tj≤175℃情況下，兩款模塊開關頻率和輸出電流的關系。

仿真結果波形

BMF540R12KA3(工況6kHz 556.5Arms)

F***(800A)(工況6kHz 446Arms)

基本半導體提供碳化硅MOSFET驅動板整體解決方案及其零件——針對62mm

BSRD-2503所應用到的以下三款零件為基本半導體自主研發產品，用戶可單獨使用以下零件進行整體方案的設計。

關于基本半導體

深圳基本半導體股份有限公司是中國第三代半導體創新企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心團隊由來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學等國內外知名高校及研究機構的博士組成。

基本半導體掌握碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于電動汽車、風光儲能、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。

基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業，承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發及產業化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心。