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      新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2

      英飛凌工業半導體 ? 2026-01-04 17:06 ? 次閱讀
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      新品

      采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝

      的CoolSiC 1400V MOSFET G2

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      CoolSiC 1400V MOSFET G2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術與高爬電距離的堅固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過1000V的系統設計，既為現有應用提供額外的電壓裕量與增強的可靠性，又能實現更高的開關速度，從而提升系統效率。其引腳與現有封裝完全兼容，適用于光伏發電、電動汽車充電、儲能系統及其他工業應用領域。


      產品型號：

      ■IMZC140R011M2H

      ■IMZC140R019M2H

      ■IMZC140R024M2H

      ■IMZC140R029M2H

      ■IMZC140R038M2H

      b2ec475a-e94c-11f0-8ce9-92fbcf53809c.gif


      系統框圖


      PV

      b2fdae6e-e94c-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png


      ESS

      b30de798-e94c-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png


      EV Charging

      b325a072-e94c-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png


      產品特性


      漏源極電壓VDSS=1400V（結溫Tvj≥25°C時）

      導通電阻RDS(on)低至11mΩ（柵源極電壓 VGS=18V，結溫 Tvj=25°C時）

      極低的開關損耗，有助于實現高效率

      2μs短路耐受時間

      更寬的柵源極工作電壓范圍：-10V至+25V

      基準級柵極閾值電壓：4.2V


      應用價值


      更高的功率密度

      提升的整體系統效率

      增加的系統輸出功率

      增強的冷卻優化效果

      簡化的系統設計流程


      競爭優勢


      支持直流母線電壓超過1000V的系統設計

      采用高爬電距離封裝，可靠性卓越

      具備優異的瞬態過載抗擾度

      對于上限為1000V的應用：提供充足的電壓裕量，支持大峰值電流下的更高開關頻率

      其高功率密度有助于縮小整體系統尺寸


      應用領域


      電動汽車充電

      儲能系統

      組串式逆變器

      不間斷電源

      通用電機驅動

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