作者： Pete Bartolik 工具

在電力應用中，氮化鎵 (GaN) 器件比傳統硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優勢。氮化鎵器件能夠滿足各行各業的需求，具有更高的密度、更快的切換速度和更高的能效。但對于某些應用來說，則會面臨重大設計挑戰。

從緊湊型 USB-C 充電器、電子式車載充電器到太陽能和數據中心應用，設計人員都渴望利用 GaN 半導體技術，打造出更小、更輕、散熱更好的產品。

鑒于 GaN 器件具有很快的開關速度，設計人員因此會面臨多重挑戰，包括寄生電感、更精確的柵極控制需求、柵極漏電流和反向傳導電壓降。

專用型 GaN 控制器是用來設計某些基于 GaN 的應用的理想選擇。 例如 Analog Devices, Inc. 提供的一系列 GaN 電源控制器。設計人員可以利用簡單的專用 GaN FET 驅動器，如帶有集成式智能自舉開關的 LT8418 100 V 半橋 GaN 驅動器（圖 1）。

圖 1：ADI 的專用 LT8418 半橋 GaN 驅動器。（圖片來源：Analog Devices, Inc.）

該器件采用分離柵極驅動器，可精確控制 GaN FET 在導通和關斷期間的壓擺率，從而抑制振鈴并增強 EMI 性能。該器件還采用了用晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)，以最大限度地減少寄生電感。

此外，還可選擇更復雜的控制器，例如用于 GaN FET 的 [LTC7890 和 LTC7891] （圖 2）高性能雙降壓 DC/DC 開關穩壓器控制器。

圖 2：適用于 GaN FET 的高性能 ADI LTC7891 DC/DC 開關穩壓器控制器。（圖片來源：Analog Devices, Inc.）

與硅 MOSFET 解決方案不同，LTC7890/LTC7891 器件不需要保護二極管或其他外部組件。這類器件的柵極驅動電壓可在 4 V 至 5.5 V 之間精確調節，以優化性能并支持使用其他 GaN FET 或邏輯電平 MOSFET。

當硅控制器是唯一選擇時

對于諸如 4 開關降壓升壓控制器等一些關鍵組件，目前尚無專門的 GaN 控制器。只要謹慎操作，工程師們或許能夠采用原本為 MOSFET 設計的控制器，用以驅動 GaN FET，從而提升功率和效率。如果在 GaN 應用中直接使用針對硅器件的控制器，則在選擇組件、進行電路板級設計時必須倍加小心，而且還有可能需要其他電路。

在高功率轉換器中，傳統柵極驅動器的輸出電壓通常高于 5 V，一般在 7 V 至 10 V 之間，有時甚至更高。使用這種電壓驅動 GaN FET 時會造成問題，因為 GaN FET 的最大額定柵極電壓通常僅為 6V。即使由于電壓尖峰或 PCB 上的雜散電感引起的振鈴而短暫超過此限值，也可能會永久損壞 GaN 器件。

為了避免這些問題，設計人員需要正確選擇控制器并密切關注 PCB 布局，特別是在柵極和源極返回路徑周圍，從而盡可能保持較低的電感，減少不必要的電壓過沖。

許多 MOSFET 驅動器采用非調節型硅柵極驅動器，但其電壓可能會漂移至 GaN FET 的絕對最大電壓以上。設計時應考慮管理柵極驅動電壓、調節自舉電源和優化死區時間。

4 開關降壓升壓器件必須使用 5 V 柵極控制器，以防止 GaN FET 出現意外過壓。為保護柵極免受意外過壓的影響，引入諸如鉗位電路或柵極電壓限制器等保護組件也很重要。

利用與自舉電容器并聯的 5.1 V 齊納二極管，可將 ADI 的 [LT8390A] 用作 5 V 柵極控制器（圖 3）。這會將柵極電壓鉗制在建議的驅動水平，因此該器件始終處于安全工作范圍內。為了提供更多的保護，可以將 10 Ω 電阻與自舉電路串聯，以減少由非常快的高功率開關節點可能引起的任何振鈴現象。

圖 3：該簡明原理圖展示了 LT8390A 四開關降壓升壓控制器，其采用 5.1 V 齊納二極管（D5 和 D6）和 10Ω 電阻，用于在驅動 GaN FET 時提供過電壓保護。（圖片來源：Analog Devices, Inc.）

結語

硅 MOSFET 控制器（例如 ADI 的 LT8390A 降壓升壓控制器）可以安全有效地驅動 GaN FET，使設計人員即使在沒有專用 DC-DC GaN 控制器的情況下也能創建 GaN 應用。