2025 年 9 月 24 日，在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場，羅姆（ROHM）攜多款功率半導(dǎo)體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅（SiC）模塊、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件（含二極管、MOSFET、IGBT）以及豐富的應(yīng)用案例，憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計和廣泛的應(yīng)用適配能力，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體，現(xiàn)場參觀走訪ROHM的展臺，與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。

碳化硅（SiC）模塊：車規(guī)與工規(guī)雙布局，寄生參數(shù)、散熱與功率密度全面突破

作為羅姆本次展會的核心亮點之一，EcoSiC?碳化硅模塊家族涵蓋車規(guī)級與工規(guī)級產(chǎn)品，均搭載第四代碳化硅 MOS 芯片（2020年發(fā)布），在封裝設(shè)計、電性能及散熱效率上實現(xiàn)多重優(yōu)化。

車規(guī)級碳化硅模塊： HSDIP20與TRCDRIVE pack?封裝引領(lǐng)小型化與高可靠性

此次展出的4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”封裝，適用于xEV車載充電器的PFC和LLC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。HSDIP20封裝內(nèi)置有散熱性能優(yōu)異的絕緣基板，即使大功率工作時也可有效抑制芯片的溫升。事實上，在OBC常用的PFC電路（采用6枚SiC MOSFET）中，使用6枚頂部散熱型分立器件與使用1枚6in1結(jié)構(gòu)的HSDIP20模塊在相同條件下進行比較后發(fā)現(xiàn)，HSDIP20的溫度比分立結(jié)構(gòu)低約38℃（25W工作時）。這種出色的散熱性能使得該產(chǎn)品以很小的封裝即可應(yīng)對大電流需求。另外，與頂部散熱型分立器件相比，HSDIP20的電流密度達到3倍以上；與同類型DIP模塊相比，電流密度高達1.4倍以上，已達到業(yè)界先進水平。

另一車規(guī)模塊系列TRCDRIVE pack?目前提供 “small” 與 “l(fā)arge” 兩種尺寸，均覆蓋 1200V 與 750V 電壓等級，且外部接口完全一致，實現(xiàn)向下兼容。其核心技術(shù)亮點在于封裝工藝的革新：芯片與基板采用銀燒結(jié)工藝，導(dǎo)熱系數(shù)更高、可靠性更強；頂部采用銅顆粒連接（替代傳統(tǒng) Wire Bonding），在高功率場景下仍能保持穩(wěn)定性能，溫度循環(huán)壽命顯著提升。以 large 尺寸模塊為例，1200V 規(guī)格下，銀燒結(jié)版本的交流有效值（RMS）電流可達 593A，TIM（導(dǎo)熱界面材料）版本為 571A，充分滿足車載高功率需求（如逆變器、主動懸架、OBC 車載充電機）。

值得注意的是，TRCDRIVE pack?是羅姆專為碳化硅芯片特性設(shè)計的定制化封裝，相比 “IGBT 封裝換芯” 的通用方案，寄生參數(shù)更小、體積更緊湊 —— 相同功率需求下，整體體積較傳統(tǒng) IGBT 模塊縮小 30%，功率密度達到以往產(chǎn)品的 1.5 倍。部分模塊還內(nèi)置 NTC 熱敏電阻，可直接監(jiān)測芯片溫度，無需客戶在散熱器上額外打孔布線，簡化測溫設(shè)計。

工規(guī)級碳化硅模塊：DOT-247 封裝提高光伏逆變器設(shè)計靈活性和功率密度

除車規(guī)產(chǎn)品外，羅姆還展示了工規(guī)級碳化硅模塊新封裝DOT-247，適用于光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。其創(chuàng)新性地將兩個常規(guī) TO-247 封裝整合，形成適配橋式電路的一體化結(jié)構(gòu)。從技術(shù)參數(shù)來看，其核心優(yōu)勢在于大幅降低回路雜散參數(shù) —— 從傳統(tǒng)方案的 27nH 降至 13nH，這一優(yōu)化直接提升了碳化硅器件的開關(guān)速度并降低開關(guān)損耗；同時，封裝熱阻顯著優(yōu)化，在 20W 功率損耗下，芯片溫度較傳統(tǒng)方案降低 7℃（從 66℃降至 59℃），散熱效率提升明顯。

該模塊覆蓋 1200V 與 750V 電壓等級，其中 1200V 為當(dāng)前主打型號，搭載的第四代 SiC MOS 芯片特征導(dǎo)通電阻（RonA）低至 18mΩ，較第三代產(chǎn)品（30mΩ）降低 40%。在功率集成方面，傳統(tǒng) 1000W 三相 PFC 方案需 12 顆單管，而采用 DOT-247 模塊僅需 3 顆（1 顆模塊對應(yīng) 1 個橋臂，等效 4 個分立器件），不僅簡化了電路設(shè)計，還使 PCB 板面積大幅縮小。此外，模塊支持 “兩個上橋 + 兩個下橋” 并聯(lián)構(gòu)成半橋，結(jié)合無機械安裝孔的封裝設(shè)計（傳統(tǒng) TO-247 受限于安裝孔，芯片面積 / 數(shù)量受限），芯片布局更靈活，電流承載能力顯著提升，且安裝方式與傳統(tǒng)方案兼容，降低客戶方案迭代成本。符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品，也計劃于2025年10月開始提供樣品。

EcoGaN氮化鎵系列：高開關(guān)頻率賦能高密度電源，集成化方案簡化設(shè)計

羅姆 EcoGaN?作為Power Eco Family子品牌之一（該品牌還包含 EcoSiC?、EcoMOS?、EcoIGBT?產(chǎn)品線），涵蓋 GaN HEMT 單管、內(nèi)置控制器的 GaN IC 等產(chǎn)品，主打高開關(guān)頻率、高功率密度，核心應(yīng)用包括服務(wù)器電源、適配器、UPS 等。

GaN 單管：多封裝覆蓋，開關(guān)效能領(lǐng)先

EcoGaN?單管提供 DFN8080（傳統(tǒng)封裝）、TOLL（頂部散熱）等多種封裝形式（本次展會暫未展出頂部散熱 TOLL 產(chǎn)品），導(dǎo)通阻抗（Ron）覆蓋 18-130mΩ，適配不同功率場景。與競品相比，羅姆 GaN 單管在 “Ron-CIN”“Ron-COUT” 參數(shù)平衡上表現(xiàn)更優(yōu)，開關(guān)損耗更低，尤其適合高開關(guān)頻率（如 MHz 級）應(yīng)用 —— 高頻下可縮小電感、電容等被動器件體積，實現(xiàn)電源小型化（如 330W 服務(wù)器電源、150W 迷你適配器）。

集成化方案：Power Stage IC 與 “三合一” 模塊降低應(yīng)用門檻

針對 GaN 器件柵極電壓低（僅 5V）、易受噪音干擾的痛點，羅姆推出Power Stage IC，將 GaN HEMT 與內(nèi)置驅(qū)動器合封，驅(qū)動電壓范圍擴展至 10-30V（常規(guī) 10V 左右即可驅(qū)動），與傳統(tǒng)硅 MOS 驅(qū)動兼容性一致，同時改善噪音特性與使用便捷性。該系列覆蓋 50mΩ、70mΩ、150mΩ 三種導(dǎo)通阻抗，封裝為 VQFN8080，與 GaN 單管尺寸兼容，僅因內(nèi)置驅(qū)動器占用部分空間，導(dǎo)通阻抗略高于同封裝單管。更關(guān)鍵的是，該器件可使服務(wù)器電源體積較硅 MOSFET 方案減小約 99%，功率損耗降低約 55%，成為高密度電源設(shè)計的核心選擇。

進一步地，羅姆推出 “三合一” 集成模塊 ，分為 PFC（功率因數(shù)校正）與 QR（準(zhǔn)諧振）兩種版本：

• PFC 三合一模塊：集成 PFC 控制器、Power Stage IC（GaN HEMT + 驅(qū)動器），實現(xiàn)完整 PFC 電路功能，芯片面積較分立方案降低 40% 以上。其創(chuàng)新點在于輕負載時自動降低工作頻率，效率提升約 5 個百分點（典型效率達 97%-98%）；同時支持通過外部電阻調(diào)整開關(guān)斜率，抑制 EMC 輻射，降低客戶調(diào)試難度。
• QR 三合一模塊：集成 QR 控制器、GaN 驅(qū)動器與 GaN HEMT，針對 AC/DC 降壓場景（如將 PFC 輸出的 380-400V 降至 12V/18V），采用軟開關(guān)技術(shù)，效率與散熱性能更優(yōu)。

此外，羅姆還展示了 PFC 與 QR 模塊的組合方案，支持 “待機時關(guān)閉 PFC” 功能 —— 通過兩模塊間的聯(lián)動控制，待機功耗從 150mW 降至 60mW，降低 60%-70%，可覆蓋 240W 以下電源需求（如 240W USPD 適配器）。

硅基功率器件：車規(guī)與工規(guī)細分優(yōu)化，IGBT 智能模塊凸顯 “高可靠性 + 智能化”

羅姆硅基功率器件家族包括肖特基二極管、MOSFET、IGBT 及智能功率模塊（IPM），針對車載、工業(yè)、白色家電等場景進行細分優(yōu)化，兼顧性能與成本。

肖特基二極管：RBxx8 系列抗高溫，YQ 系列平衡高頻損耗

RBxx8 系列（車規(guī)）：采用耐高溫金屬材料，反向漏電流較普通產(chǎn)品降低 90%，有效避免新能源汽車電池包、電機控制器等高溫場景下的熱失控，工作溫度可達 175℃（常規(guī)產(chǎn)品結(jié)溫僅 150℃左右）。封裝上，TL277 等新封裝替代傳統(tǒng) 256/263 封裝，體積更小且耐壓擴展至 200V。

YQ 系列（平衡型）：通過溝槽工藝同步降低正向壓降（VF）與反向漏電流（IR），高頻開關(guān)損耗顯著改善，主要用于車載升壓驅(qū)動（如汽車前罩燈評估板），同時提供工規(guī)版本。

MOSFET：第六代技術(shù)升級，雙 MOS 集成簡化電機驅(qū)動

羅姆 MOSFET 覆蓋低壓與高壓產(chǎn)品，當(dāng)前量產(chǎn)的第六代 MOSFET引入屏蔽柵 / 分離柵技術(shù)，寄生電容大幅降低，導(dǎo)通與開關(guān)性能同步提升；芯片與框架采用銅夾板連接（替代金線 / 鋁帶），通流能力更強。針對電機驅(qū)動場景，推出雙 MOS 集成封裝（N+N 或 N+P），可替代兩顆單管構(gòu)成 H 橋或三相無刷電機驅(qū)動電路，實現(xiàn)小型化。

高壓超級結(jié) MOSFET（Super Junction）方面，YN 系列為快速開關(guān)型，主打 PFC、LOC 電源電路，覆蓋 600V/650V 電壓等級，另有更高電壓規(guī)格產(chǎn)品即將量產(chǎn)。

IGBT 與 IPM：RGA 系列高短路耐受，智能模塊防誤裝 + 多保護

RGA 系列 IGBT（車規(guī) / 工規(guī)）：瞄準(zhǔn)電動壓縮機、加熱器、工業(yè)逆變器等場景，短路耐受時間達 10μsec（Tj=25℃），業(yè)界領(lǐng)先；導(dǎo)通損耗相關(guān)參數(shù) VC SET 低至 1.6V，能效優(yōu)異。作為羅姆 2024 年推出的第四代 1200V IGBT 產(chǎn)品，符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101，其損耗較普通產(chǎn)品低約 24%，較前代產(chǎn)品降低 35%，成為效率提升的關(guān)鍵器件。除標(biāo)準(zhǔn) 3 引腳封裝（Q27N）外，4 引腳封裝通過優(yōu)化端子布局，開關(guān)損耗進一步降低，同時提供 IGBT 裸片供客戶定制。目前，賽米控丹佛斯的功率模塊“MiniSKiiP?”便配備了羅姆的1200V IGBT “RGA系列”芯片，應(yīng)用于電機驅(qū)動。

IGBT 智能功率模塊（IPM）：集成 IGBT（高低邊各 3 顆）、驅(qū)動器、快恢復(fù)二極管，針對白色家電（如冰箱壓縮機）優(yōu)化 —— 采用最新 IGBT 技術(shù)與軟恢復(fù)快恢管，同步改善功耗與噪音；溫度監(jiān)控精度達 ±2%（90℃時），可替代外置熱敏電阻；支持通過引腳阻抗識別模塊型號，防止誤安裝，同時集成短路保護、欠壓保護、熱保護等多重功能，可靠性大幅提升。

應(yīng)用案例：從車載核心部件到工業(yè)電源，多場景落地驗證

羅姆在展會現(xiàn)場設(shè)置應(yīng)用案例展區(qū)，展示碳化硅與 IGBT 模塊在車載、工業(yè)領(lǐng)域的實際應(yīng)用：

• 車載領(lǐng)域：悉智科技 DCM 封裝模塊（電流達 500-600A，遠超 IGBT 模塊 400A 上限）、西誠 PTC 加熱模塊（采用羅姆 IGBT，用于車載空調(diào)制熱）、海姆希科（羅姆與正海集團合資公司）HPD 全橋模塊（內(nèi)置電容，簡化外圍設(shè)計）均用于車載逆變器，而車載逆變器作為純電車 “心臟”，其性能直接決定整車動力與能效。值得一提的是，羅姆目前已經(jīng)實現(xiàn)了以裸芯片、分立器件和模塊等各種形態(tài)向半導(dǎo)體制造商、模塊廠商、Tier1廠商以及應(yīng)用產(chǎn)品制造商供貨。
• 工業(yè)領(lǐng)域：賽米控丹佛斯（羅姆戰(zhàn)略合作伙伴）采用羅姆 2kV SiC MOSFET，用于 SMA 太陽能系統(tǒng)；此外，羅姆碳化硅與氮化鎵器件還廣泛適配工業(yè) UPS、服務(wù)器電源（如 3000W PFC 模塊）等場景。

總結(jié)：技術(shù)深耕與場景適配并重，羅姆引領(lǐng)功率半導(dǎo)體升級

在本次2025 PCIM Asia Shanghai 展會，羅姆通過碳化硅、氮化鎵、硅基器件三大產(chǎn)品線的全面展示，凸顯其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)積淀 —— 從碳化硅的銀燒結(jié)工藝、氮化鎵的集成化方案，到硅基器件的細分場景優(yōu)化，每款產(chǎn)品均以 “低損耗、高可靠性、小型化” 為核心，同時覆蓋車規(guī)、工規(guī)、消費電子等多領(lǐng)域需求。依托第四代 SiC MOS 的 18mΩ 低導(dǎo)通電阻、EcoGaN?的 99% 體積縮減等核心參數(shù)優(yōu)勢，羅姆正持續(xù)兌現(xiàn) “Power Eco Family” 品牌的節(jié)能承諾（單 GaN 器件已實現(xiàn)年減 332t-CO2 的減排效果）。

未來，隨著新能源汽車、AI 服務(wù)器、可再生能源等領(lǐng)域?qū)β拭芏扰c能效要求的不斷提升，羅姆計劃于2025年推出第5代SiC MOSFET，相比第4代產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻將降低約30%。同時，羅姆也提前了第6代及第7代產(chǎn)品的市場投入計劃。后續(xù)將推出的第6代產(chǎn)品，和第5代相比，導(dǎo)通電阻還可以降低約30%，持續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動，為行業(yè)提供更具競爭力的功率半導(dǎo)體解決方案。（完）