電子發燒友網綜合報道 最近意法半導體（ST）推出了新一代專有硅光技術和新一代BiCMOS技術，這兩項技術的整合形成一個獨特的300毫米（12英寸）硅工藝平臺，產品定位光互連市場，ST表示這兩項技術目前都處于產品轉化階段，計劃將在ST位于法國克羅爾 300 毫米晶圓廠投產。

硅光技術是一種基于硅材料和硅基襯底（如SiGe/Si、SOI等）的光電集成技術，通過互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝制造光子器件和光電器件，將光信號與電信號集成在同一芯片上。其核心是利用激光束代替傳統電子信號進行數據傳輸，兼具光通信的高帶寬、低能耗特性與硅基半導體的成熟制造優勢。

硅光技術通過CMOS工藝實現光器件與電子元件的單芯片集成，大幅縮小尺寸并降低制造成本，尤其適合大規模生產。同時光信號傳輸速率遠超傳統銅互連，且能耗更低，適用于數據中心、高速計算等場景。

ST表示，隨著 AI 計算需求的指數級增長，計算、內存、電源以及這些資源的互連都面臨著性能和能效的挑戰。ST新推出的硅光技術和新一代BiCMOS技術可以幫助云計算服務商和光模塊廠商克服這些挑戰。計劃從2025年下半年開始，800Gb/s和 1.6Tb/s 光模塊將逐步提升產量。

在AI數據中心中，為了提高計算效率，光互連技術十分關鍵，AI驅動的數據爆炸迫使數據中心采用光互連技術，其通過光信號傳輸替代傳統電連接，顯著提升吞吐量并降低延遲，滿足AI模型訓練和推理對實時數據處理的需求。

在AI大模型訓練中，光模塊需求激增，光互連通過高速、穩定的鏈路保障分布式計算的高效性，成為智算中心構建萬卡集群的核心技術。光互連的低功耗特性同樣對AI數據中心至關重要，相比銅纜，光信號傳輸減少能量損耗，且支持更高密度的集成，助力綠色數據中心建設。

BiCMOS是一種將雙極型晶體管（BJT）與CMOS集成在同一芯片上的混合半導體工藝技術。其核心特點是結合了雙極型器件的高速性能和CMOS器件的低功耗特性，通過工藝優化實現兩者的協同互補。因此，在光互連應用中，BiCMOS支持模擬與數字信號的混合處理，滿足光通信對模擬精度（如光調制器控制）和數字邏輯（如協議處理）的雙重需求，高集成顯著縮小光模塊的體積，在降低成本的同時提高可靠性。

意法半導體微控制器、數字IC和射頻產品部總裁 Remi El-Ouazzane,表示：“人工智能需求正在加快高速通信技術在數據中心生態系統中的普及應用，現在正是ST推出新的高能效硅光技術以及新一代BiCMOS技術的好時機，因為這兩項技術能夠讓客戶設計新一代光互連產品，為云計算服務運營商提供800Gbps/1.6Tbps的光互連解決方案。這兩項技術是客戶光模塊開發戰略中的兩個關鍵器件，擬在ST的歐洲300 毫米晶圓廠制造，并作為獨立的廠家為客戶大批量供貨。今天的公告標志著我們PIC產品系列的第一步，得益于與整個價值鏈中關鍵合作伙伴的緊密合作，我們的目標是成為數據中心和AI集群市場中硅光子和BiCMOS晶圓的頭部供應商，無論是現在的可插拔光模塊，還是未來的光I/O連接。”