在開關模式電源中使用 GaN 開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了 GaN 作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。

如今，電源管理設計工程師常常會問道：

現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？

氮化鎵(GaN)技術相比傳統硅基 MOSFET 有許多優勢。GaN 是寬帶隙半導體，可以讓功率開關在高溫下工作并實現高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高，可適用于 100 V 以上的應用。而對于 100 V 以下的各種電源設計，GaN 的高功率密度和快速開關特性也能帶來諸多優勢，比如進一步提高功率轉換效率等。

挑戰

用 GaN 器件替代硅基 MOSFET 時，肯定會遇到一些挑戰。

首先，GaN 開關的柵極電壓額定值通常較低，所以必須嚴格限制驅動器級的最大電壓，以免損壞 GaN 器件。

其次，必須關注電源開關節點處的快速電壓變化(dv/dt)，這有可能導致底部開關誤導通。為了解決此問題，需布置單獨的上拉和下拉引腳，并精心設計印刷電路板布局。

最后，GaN FET 在死區時間的導通損耗較高，所以需要盡可能縮短死區時間，與此同時，還必須注意高端和低端開關的導通時間不能重疊，以避免接地短路。

如何入門

GaN 在電源設計領域有著廣闊的發展前景，但如何開始相關設計，是許多企業的煩惱。比較簡單的方法是選用相關的開關模式電源控制器 IC，例如 ADI 的單相降壓 GaN 控制器LTC7891。選擇專用 GaN 控制器可以簡化 GaN 電源設計，增強其穩健性。前面提到的所有挑戰都可以通過 GaN 控制器來解決。如圖 1 所示，采用 GaN FET 和 LTC7891 等專用GaN 控制器，將大大簡化降壓電源設計。

圖1. 專用 GaN 控制器有助于實現穩健且密集的電源電路

LTC7891 簡介

LTC7891是一款高性能、降壓DC/DC開關穩壓器控制器，通過高達100 V的輸入電壓驅動所有N通道同步氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級。LTC7891解決了許多使用GaN FET時通常會面臨的挑戰。與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)解決方案相比，LTC7891簡化了應用設計，無需保護二極管和其他附加外部組件。

ps.該產品可在ADI中國在線商城直接購買，產品詳情及購買請查看 ：https://www.analog.com/cn/products/ltc7891.html（ADI中國在線商城支持非整包購買、人民幣支付）

使用任意控制器 IC

使用任意控制器 IC 若希望通過改造現有的電源及其控制器 IC 來控制基于 GaN 的電源，那么 GaN 驅動器將會很有幫助，可負責解決 GaN 帶來的挑戰，實現簡單而穩健的設計。圖 2 為采用LT8418驅動器 IC 實現的降壓穩壓器功率級。

圖2. 專用 GaN 驅動器根據來自傳統硅基 MOSFET 控制器的邏輯 PWM 信號控制功率級

LT8418 簡介

LT8418 是一款 100V 半橋 GaN 驅動器，集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護。它可以配置為同步半橋、全橋拓撲或降壓、升壓和降壓-升壓拓撲。LT8418 通過 0.6Ω 上拉電阻和 0.2Ω 下拉電阻提供強大的拉電流/灌電流能力。它還集成了智能集成引導開關，可從具有最小電壓差的 VCC 生成平衡引導電壓。

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邁出第一步

選定合適的硬件、控制器 IC 和 GaN 開關之后，可通過詳細的電路仿真來快速獲得初步評估結果。ADI 的 LTspice提供完整的電路模型，可免費用于仿真。這是學習使用 GaN 開關的一種便捷方法。圖 3 為LTC7890（LTC7891 的雙通道版本）的仿真原理圖。

圖3. LTspice，一款實用的 GaN 電源仿真工具

LTC7890 簡介

LTC7890 是一款高性能、雙降壓型 DC/DC 開關穩壓器控制器，通過高達 100V 的輸入電壓驅動所有 N 通道同步氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 功率級。LTC7890 解決了許多使用 GaN FET 時通常會面臨的挑戰。與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 解決方案相比，LTC7890 簡化了應用設計，無需保護二極管和其他附加外部元件。

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結論

GaN 技術在開關模式電源領域已經取得了許多成果，可用于許多電源應用。未來，GaN 開關技術仍將持續迭代更新，進一步探索應用前景。ADI 現有的 GaN 開關模式電源控制器和驅動器靈活且可靠，能夠兼容當前及今后由不同供應商研發的 GaN FET。