卓越的性能表現結合優化的高爬電封裝，塑造了其前所未有的可靠性，為汽車及工業應用樹立新標桿

納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現行業最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規性。

納微半導體HV-T2Pak碳化硅MOSFET顯著提升系統級功率密度與效率，同時改善熱管理并簡化板級設計與制造工藝。目標應用包括電動汽車車載充電機（OBC）與DC-DC變換器、數據中心服務器電源、家用太陽能逆變器與儲能系統（ESS）、電動汽車直流快充樁及HVAC電機驅動。

AEC-Q101是汽車電子委員會（AEC）制定的全球性行業標準，旨在建立通用的器件認證與質量體系規范，是進入汽車供應鏈的核心認證之一。幾乎所有汽車制造商及其一級供應商都要求分立器件通過這一認證。

在AEC-Q101的基礎上，納微半導體打造了行業首個超越AEC的“AEC-Plus”標桿級標準，該標準要求器件超越現有AEC-Q101與JEDEC產品認證標準。這一新標桿體現了納微對系統級壽命要求的深刻理解，以及為嚴苛汽車與工業應用提供經過嚴格設計與驗證產品的堅定承諾。

“AEC-Plus”認證標準擴展了嚴格的多批次測試與認證要求，在現有AEC-Q101基礎上新增核心項包括：

動態反向偏置（D-HTRB）與動態柵極開關（D-HTGB）測試，模擬嚴苛應用工況

超過2倍時長的功率與溫度循環測試

超過3倍時長的靜態高溫高壓測試（如HTRB、HTGB）

200°C結溫（TJMAX）測試，增加過載運行能力

通過封裝模塑料的創新凹槽設計優化爬電距離至6.45mm，同時不減小外露散熱焊盤尺寸，兼顧了散熱性能。

此外，外露散熱焊盤采用鎳 - 鎳磷（NiNiP）鍍層，而非現有頂部散熱封裝方案的錫（Sn）鍍層，這對回流焊后焊盤表面平整度至關重要，可確保與導熱界面材料（TIM）的高效可靠連接。

依托 20 多年的碳化硅技術創新優勢，納微半導體 GeneSiC的“溝槽輔助平面柵”技術使得碳化硅MOSFET的導通電阻隨高溫變化較同規格競品低20%以上，且開關品質因數優異，可在更寬工作范圍內實現最低功率損耗。所有GeneSiC碳化硅MOSFET均具備已公布的最高100%測試雪崩能力、出色的短路耐受能量及緊湊的閾值電壓分布，便于并聯應用。

首批采用HV-T2Pak封裝的產品組合包括導通電阻18mΩ至135mΩ的1200V碳化硅MOSFET，以及20mΩ至55mΩ的650V碳化硅MOSFET。2025年下半年將推出更低導通電阻（<15mΩ）的HV-T2Pak封裝碳化硅MOSFET。

*納微使用 “AEC-Plus”術語表示器件可靠性測試超越汽車電子委員會（AEC）發布的 AEC-Q101標準，該術語基于納微測試結果得出

關于納微半導體

納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC碳化硅功率器件是經過優化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業市場。納微半導體擁有超過300項已經獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral認證的半導體公司。