IR推出新系列-30V器件 P溝道MOSFET無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)

國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m至59 m，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)應(yīng)用非常理想的解決方案。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個(gè)新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導(dǎo)通電阻選擇，以適應(yīng)他們對(duì)溫度和成本的要求。同時(shí)，P 溝道技術(shù)也可以簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)?！?/font>

P 溝道MOSFET器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。

產(chǎn)品規(guī)格

器件編號(hào) 封裝 BV (V) 最大 Vgs (V) 10V下的典型 / 最大RDS(on) (m) 4.5V下的典型 / 最大RDS(on)(m)

IRF9310 SO-8 -30 20 3.9 / 4.6 5.8 / 6.8

IRF9317 SO-8 -30 20 5.4 / 6.6 8.3 / 10.2

IRF9321 SO-8 -30 20 5.9 / 7.2 9.3 / 11.2

IRF9328 SO-8 -30 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7

IRF9332 SO-8 -30 20 13.6 / 17.5 22.5 / 28.1

IRF9333 SO-8 -30 20 15.6 / 19.4 25.6 / 32.5

IRF9335 SO-8 -30 20 48 / 59 83 / 110

IRF9362 SO-8 (dual) -30 20 17.0 / 21.0 25.7 / 32

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選型手冊(cè)：VS3618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等低壓

2025-11-26 15:21:16

231

選型手冊(cè)：VSP007P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)

2025-11-26 15:18:29

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選型手冊(cè)：VSP003N10HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持10V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高效能，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器

2025-11-26 15:13:13

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選型手冊(cè)：VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一

2025-11-26 14:55:52

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?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET，尺寸為5mmx6mm，可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性能。這款P溝道MOSFET具有1.8mΩ的超低

2025-11-24 15:54:38

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onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

N溝道MOSFET的漏極-源極電壓 ( ~VDS~ ) 為30V，柵極-源極電壓 ( ~VGS~ ) 為±20 V,漏極電流為294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6

2025-11-24 15:35:18

262

onsemi NTK3139P P溝道功率MOSFET深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

安森美 (onsemi) NTK3139P P溝道單通道功率MOSFET采用緊湊型SOT-723封裝，內(nèi)置ESD保護(hù)功能。SOT-723封裝占位面積比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏

2025-11-21 15:14:29

312

選型手冊(cè)：MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻

2025-11-21 10:46:19

181

選型手冊(cè)：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道

2025-11-21 10:31:06

233

選型手冊(cè)：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-11-20 16:22:54

302

選型手冊(cè)：MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域

2025-11-20 15:31:06

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選型手冊(cè)：MOT3510G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3510G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及高效散熱封裝，適用于SMPS（開關(guān)模式電源）、通用用途電路、硬

2025-11-20 15:06:47

211

選型手冊(cè)：MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于

2025-11-18 16:08:14

326

選型手冊(cè)：MOT3650J N+P 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+P增強(qiáng)型MOSFET（同時(shí)集成N溝道與P溝道單元）核心參數(shù)：N溝道：漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：30V；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

2025-11-14 16:12:52

519

選型手冊(cè)：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-14 16:04:15

309

選型手冊(cè)：MOT3145J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、85A大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于便攜設(shè)備、電池

2025-11-11 09:29:03

206

選型手冊(cè)：MOT50N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-11 09:18:36

254

選型手冊(cè)：MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-10 16:12:40

305

選型手冊(cè)：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如

2025-11-06 15:44:22

300

ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)

中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。

2025-11-06 14:35:45

244

選型手冊(cè)：MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC

2025-11-05 16:01:03

236

選型手冊(cè)：MOT15N50F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓，廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源

2025-11-05 12:10:09

283

選型手冊(cè)：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高

2025-11-05 12:01:34

245

SiLM27531HAC-AQ 30V, 5A/5A單通道高欠壓保護(hù)閾值的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器

一款輸入電源高至30V，單通道輸出的低邊驅(qū)動(dòng)器，能有效的驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT，內(nèi)部能有效的避免驅(qū)動(dòng)電路短路發(fā)生。具有軌對(duì)軌的電流驅(qū)動(dòng)能力、并且提供輸入輸出短至21ns的極小延時(shí)。在電源電壓為

2025-11-04 08:48:24

選型手冊(cè)：MOT90N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性，廣泛適用于高要求DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效

2025-11-03 16:33:23

497

ZK30G011G：Trench工藝加持的30V/160A低壓大電流功率新星

ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場(chǎng)景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET，以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ)，融合成熟可靠的溝槽型（Trench）工藝與PDFN5*6小型化封裝，既突破了傳統(tǒng)低壓器件的電流承載上限，又實(shí)現(xiàn)了小體積與高穩(wěn)定性的平衡，成為低壓功率控制領(lǐng)域的優(yōu)選方案。

2025-10-31 14:28:12

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N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS管

2025-10-31 09:35:26

選型手冊(cè)：MOT130N03D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT130N03D是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及130A大電流承載能力，廣泛適用于適配器、充電器的功率開關(guān)電路等領(lǐng)域

2025-10-30 14:47:55

283

雙溝道賦能低壓場(chǎng)景：中科微電ZK3010DSMOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索

，推出ZK3010DS N+P溝道互補(bǔ)型MOS管，憑借30V/-30V雙向耐壓、5.8A/-12A電流承載、低至1.85V/-1.5V的柵極閾值電壓，結(jié)合Trenc

2025-10-28 13:49:32

192

MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗

2025-10-24 15:59:53

537

MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內(nèi)，適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流等對(duì)空間與性能

2025-10-24 11:14:37

282

ZK30N140T：Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS管，重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

在低壓大電流功率電子領(lǐng)域，MOS管的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性，直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N140TN溝道MOS管，憑借30V額定電壓、140A超大

2025-10-22 09:42:38

381

ZK30N100T N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET技術(shù)手冊(cè)

ZK30N100T是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，文檔從核心特性、關(guān)鍵參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景、封裝與包裝、電氣及熱特性、測(cè)試電路、機(jī)械尺寸等多維度展開介紹，為該器件的選型

2025-10-16 16:23:01

中科微電mos管ZK30N100G 30V 90A

2025-10-15 17:54:45

合科泰P溝道MOSFET HKTQ30P03P在VBUS開關(guān)中的應(yīng)用

在電子工程領(lǐng)域，VBUS開關(guān)的性能對(duì)于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中，常常會(huì)遇到VBUS開關(guān)方面的各種問題，今天就來(lái)和大家深入探討這些問題，并介紹一款能有效解決問題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。

2025-09-08 15:48:41

802

新潔能推出增強(qiáng)型N溝道MOSFET系列產(chǎn)品

新潔能研發(fā)團(tuán)隊(duì)溝槽型工藝平臺(tái)推出耐壓30V 1mΩ級(jí)別增強(qiáng)型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。

2025-08-22 18:02:35

1527

30V耐壓電流能力2.4A同步降壓芯片SL1587 低壓24V轉(zhuǎn)12V轉(zhuǎn)5V

車載充電器、分布式供電系統(tǒng)等場(chǎng)景的理想選擇。本文將以24V轉(zhuǎn)12V/5V為例，解析其技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。 ?一、SL1587的核心特性? 寬電壓適應(yīng)能力? 輸入范圍覆蓋4V至30V，輕松應(yīng)對(duì)24V

2025-08-22 15:46:29

圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無(wú)線充電器。

2025-07-10 17:21:52

2287

中低壓MOS管MDD3400數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款30V N溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性以及優(yōu)異的雪崩耐量。

2025-07-10 14:15:37

PC主板應(yīng)用MOSFET 品牌砹德曼Adamant 原廠代理

MOSFET AD30P30D3: 30V/P/PDFN3*3/14.5mohmTyp.(VGS=-10V) AD30P47D3: 30V/P/PDFN3*3/8mohm Typ.(VGS=-10V

2025-07-04 11:37:54

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET

在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動(dòng)及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強(qiáng)型MOS)憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景提供高效解決方案。

2025-05-21 14:04:38

1100

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。

2025-05-09 16:57:26

971

ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過改變引腳連接來(lái)作為單MOSFET使用。

2025-04-17 14:55:11

615

CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道

2025-04-16 11:25:34

775

CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET，同時(shí)顯著減小基底面尺寸。

2025-04-16 11:15:15

668

CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。

2025-04-15 17:08:38

699

納祥科技NX7010，PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A雙N溝道MOSFET

NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX701030V20A雙N溝道MOSFET30V20A雙N溝道MOSFET納祥科技NX7010是一款30V20A雙N溝道MOSFET，它的工作原理是基于柵

2025-03-21 15:33:20

782

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用

英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間

2025-03-11 11:39:53

736

LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT40P150FJC P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-03-07 11:28:17

PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-20 16:29:23

PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN8R9-100BSE N溝道100V,10 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-02-14 15:44:04

PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 14:16:45

BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 14:16:00

BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

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2025-02-13 11:31:09

PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書

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2025-01-23 16:33:41

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。新型

2025-01-13 11:41:38

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砹德曼半導(dǎo)體 PD車充應(yīng)用 MOSFET 可選型與推薦支持樣品與技術(shù)

電源;PD快充、車充、無(wú) 線充電;鋰電池保護(hù)、電池化成;直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制、光伏逆變及新能源等應(yīng)用領(lǐng)域。砹德曼MOS 在PD車充的重點(diǎn)推薦型號(hào) ◆DCDC用MOSFET AD30N54D3: 30V

2025-01-10 17:45:43

圣邦微電子推出超小封裝MOSFET器件SGMNQ32430

圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過電壓保護(hù)開關(guān)，電池充放電開關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。

2025-01-08 16:34:24

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IR推出新系列-30V器件 P溝道MOSFET無(wú)需使用電平轉(zhuǎn)

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