這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗，并針對 5V 柵極驅動應用進行了優化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
*附件：CSD17318Q2 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 針對 5V 柵極驅動進行了優化
• 低電容和低電荷
• 低 RDS（ON）
• 低熱阻
• 無鉛
• 符合 RoHS 規范
• 無鹵素
• SON 2mm × 2mm 塑料封裝

參數

方框圖

1. 產品特點

• ?優化5V柵極驅動?：專為5V柵極驅動應用設計。
• ?低電容與電荷?：具有低Ciss、Coss和Qg值，減少開關損耗。
• ?低導通電阻?：R DS(ON)低至12.6mΩ（V GS = 8V）。
• ?低熱阻?：有助于散熱，提高熱性能。
• ?無鉛與RoHS合規?：符合環保要求。
• ?無鹵素?：適用于對鹵素敏感的應用。
• ?小尺寸封裝?：采用2mm × 2mm的SON塑料封裝。

2. 應用領域

• ?存儲、平板和手持設備?：適用于需要高效電源管理的便攜式設備。
• ?負載開關應用?：優化用于負載開關場景。
• ?DC-DC轉換器?：適用于各種DC-DC轉換電路。
• ?電池和負載管理應用?：提供電池保護和負載管理功能。

3. 電氣特性

• ?最大漏源電壓?：V DS = 30V
• ?最大柵源電壓?：V GS = ±10V
• ?連續漏極電流?：I D = 21.5A（封裝限制），I D = 25A（硅限制，T C = 25°C）
• ?脈沖漏極電流?：I DM = 68A（T A = 25°C，脈沖持續時間≤100μs，占空比≤1%）
• ?功率耗散?：P D = 2.5W（T A = 25°C），P D = 16W（T C = 25°C）
• ?閾值電壓?：V GS(th) = 0.6V至1.2V
• ?導通電阻?：R DS(ON) = 20mΩ（V GS = 2.5V，I D = 8A），12.6mΩ（V GS = 8V，I D = 8A）

4. 熱特性

• ?熱阻?：
  • R θJC = 7.9°C/W（安裝在指定測試板上）
  • R θJA = 55°C/W（安裝在1in2、2oz Cu pad的FR4 PCB上）
  • 最大R θJA可達250°C/W（取決于PCB設計）

5. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SON 2mm × 2mm塑料封裝
• ?尺寸?：詳細尺寸信息請參考數據表中的封裝輪廓圖。

6. 柵極電荷與電容

• ?柵極總電荷?：Q g = 6.0nC（V GS = 4.5V，I D = 8A）
• ?柵極到漏極電荷?：Q gd = 1.3nC
• ?輸入電容?：C iss = 67pF至79pF（V GS = 0V，V DS = 15V，f = 1MHz）
• ?輸出電容?：C oss = 71pF至92pF
• ?反向傳輸電容?：C rss = 39pF至51pF

7. 開關特性

• ?開啟延遲時間?：t d(on) = 5ns（V DS = 15V，V GS = 4.5V，I D = 8A，R G = 2Ω）
• ?上升時間?：t r = 16ns
• ?關斷延遲時間?：t d(off) = 13ns
• ?下降時間?：t f = 4ns

8. 二極管特性

• ?二極管正向電壓?：V SD = 0.8V至1.0V（I SD = 8A，V GS = 0V）
• ?反向恢復電荷?：Q rr = 2.9nC（V DD = 15V，I F = 8A，di/dt = 300A/μs）
• ?反向恢復時間?：t rr = 12ns

9. 安全操作區域與最大電流

• 提供了最大安全操作區域（SOA）圖和單脈沖未鉗位感性開關波形圖，以及最大漏極電流與溫度的關系圖。

CSD17318Q2是一款適用于便攜式設備和電源管理應用的30V N溝道功率MOSFET，具有低導通電阻、低熱阻和優化的5V柵極驅動特性。