這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經過設計和優化，可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET，同時顯著減小基底面尺寸。
*附件：csd17585f5.pdf

特性

• 低導通電阻
• 超低 Qg和 QGD
• 超小尺寸
  • 1.53 毫米 × 0.77 毫米
• 低調
  • 0.36 mm 高
• 集成 ESD 保護二極管
  • 額定 > 4 kV HBM
  • 額定> 2 kV CDM
• 無鉛和無鹵素
• 符合 RoHS 規范

參數

方框圖

1. 產品特性

• ?低導通電阻?：RDS(on)在VGS=4.5V時為26mΩ，在VGS=10V時為22mΩ。
• ?超低柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=4.5V時為1.9nC，有助于減少開關損耗。
• ?超小封裝?：1.53mm × 0.77mm的封裝尺寸，適用于空間受限的應用。
• ?低剖面?：0.36mm的最大高度，便于表面貼裝。
• ?集成ESD保護二極管?：HBM評級>4kV，CDM評級>2kV，提高靜電放電保護能力。
• ?環保特性?：無鉛、無鹵素，符合RoHS標準。

2. 應用領域

• ?工業負載開關?：優化用于工業領域的負載開關應用。
• ?通用開關應用?：適用于各種需要小封裝和高開關頻率的通用開關電路。

3. 產品描述

CSD17585F5是一款30V、22mΩ的N溝道FemtoFET?MOSFET，采用超小封裝設計，旨在最小化手持和移動設備中的占用空間。該器件能夠替換標準小信號MOSFET，同時顯著減小封裝尺寸。

4. 規格參數

4.1 電氣特性

• ?漏源電壓?：VDS最大值為30V。
• ?柵源閾值電壓?：VGS(th)的典型值為1.3V。
• ?漏源導通電阻?：RDS(on)在VGS=4.5V時為26mΩ，在VGS=10V時為22mΩ。
• ?柵極電荷?：Qg（總柵極電荷）在VGS=4.5V時為1.9nC，Qgd（柵極到漏極電荷）為0.39nC。

4.2 熱信息

• ?結到環境熱阻?：RθJA為90°C/W（在最大銅墊上），245°C/W（在最小銅墊上）。

5. 典型MOSFET特性

• ?瞬態熱阻抗?：展示了器件在不同條件下的瞬態熱阻抗特性。
• ?飽和特性?：展示了漏源電流與漏源電壓在不同柵源電壓下的關系。
• ?轉移特性?：展示了柵源電壓與漏極電流的關系。
• ?柵極電荷?：展示了柵極電荷與柵源電壓的關系。
• ?電容特性?：展示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容與柵源電壓的關系。

6. 設備與文檔支持

• ?文檔更新通知?：用戶可以通過TI官網的產品文件夾接收文檔更新通知。
• ?商標信息?：FemtoFET?是Texas Instruments的商標。

7. 包裝與訂購信息

• ?封裝類型?：1.53mm × 0.77mm的SMD無引腳封裝。
• ?訂購信息?：提供了器件的訂購編號、封裝類型、引腳數、包裝數量等信息。