這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換損耗 應用。
*附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 低 Qg和 QGD
• 低 RDS（開）
• 低熱阻
• 雪崩評級
• 無鉛
• 符合 RoHS 標準
• 無鹵素
• SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

• ?型號?：CSD17581Q3A
• ?類型?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET
• ?封裝?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝
• ?特點?：低柵極電荷（Q_g）、低導通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、RoHS合規、無鹵素

2. 應用領域

• 點對點負載同步降壓轉換器，用于網絡、電信和計算系統
• 電機控制應用
• 控制FET應用

3. 電氣特性

3.1 靜態特性

• ? 漏源電壓（V_DS） ?：30V
• ? 柵源閾值電壓（V_GS(th)） ?：1.0V 至 1.7V
• ? 導通電阻（R_DS(on)） ?：
  • V_GS = 4.5V時：3.9mΩ 至 4.7mΩ
  • V_GS = 10V時：3.2mΩ 至 3.8mΩ
• ? 漏源泄漏電流（I_DSS） ?：1μA（V_GS = 0V, V_DS = 24V）
• ? 柵源泄漏電流（I_GSS） ?：100nA（V_DS = 0V, V_GS = 20V）

3.2 動態特性

• ? 輸入電容（C_iss） ?：2800pF 至 3640pF（V_GS = 0V, V_DS = 15V, f = 1MHz）
• ? 輸出電容（C_oss） ?：342pF 至 445pF
• ? 反向傳輸電容（C_rss） ?：150pF 至 195pF
• ? 柵極總電荷（Q_g） ?：
  • V_DS = 15V, I_D = 16A時：
    • V_GS = 4.5V：20nC 至 25nC
    • V_GS = 10V：41nC 至 54nC
• ? 柵極到漏極電荷（Q_gd） ?：4nC
• ? 開啟延遲時間（t_d(on)） ?：12ns
• ? 上升時間（t_r） ?：23ns
• ? 關斷延遲時間（t_d(off)） ?：23ns
• ? 下降時間（t_f） ?：10ns

3.3 二極管特性

• ? 二極管正向電壓（V_SD） ?：0.8V 至 1.0V（I_SD = 16A, V_GS = 0V）
• ? 反向恢復電荷（Q_rr） ?：10.2nC（V_DS = 15V, I_F = 16A, di/dt = 300A/μs）
• ? 反向恢復時間（t_rr） ?：9.8ns

4. 熱信息

• ? 結到殼熱阻（R_θJC） ?：2°C/W
• ? 結到環境熱阻（R_θJA） ?：
  • 典型值：45°C/W（安裝在1in2 2oz Cu板上）
  • 最大值：160°C/W（安裝在最小Cu板上）

5. 絕對最大額定值

• ? 漏源電壓（V_DS） ?：30V
• ? 柵源電壓（V_GS） ?：±20V
• ? 連續漏電流（I_D） ?：
  • 封裝限制：60A
  • 硅限制（T_C = 25°C）：101A
• ? 脈沖漏電流（I_DM） ?：154A
• ? 功率耗散（P_D） ?：
  • 封裝限制：2.8W
  • T_C = 25°C時：63W
• ? 工作結溫（T_J）、存儲溫度（T_stg） ?：-55°C 至 150°C
• ? 雪崩能量（E_AS） ?：76mJ（單脈沖，I_D = 39A，L = 0.1mH，R_G = 25Ω）

6. 封裝與訂購信息

• ?封裝尺寸?：詳細尺寸圖見數據表第8頁
• ?推薦PCB布局?：見數據表第9頁
• ?推薦鋼網圖案?：見數據表第9頁
• ?卷帶和卷軸信息?：見數據表第10頁
• ?訂購信息?：
  • CSD17581Q3A：2500片/13英寸卷帶
  • CSD17581Q3AT：250片/7英寸卷帶

7. 支持與文檔

• 提供文檔更新通知、社區資源、商標信息、靜電放電注意事項等。