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ZK30N100T是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，文檔從核心特性、關(guān)鍵參數(shù)、應(yīng)用場景、封裝與包裝、電氣及熱特性、測試電路、機(jī)械尺寸等多維度展開介紹，為該器件的選型、設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供全面技術(shù)支撐。
漏源擊穿電壓（VDSS） ? ? 30V
典型柵極閾值電壓（V GS(th)_Typ） ? ? ?1.5V
柵源電壓 10V 時漏極電流（ID）????90A
柵源電壓 10V 時典型導(dǎo)通電阻（RDS(ON)_Typ） ? ? 3.6mΩ
柵源電壓 4.5V 時典型導(dǎo)通電阻（RDS(ON)_Typ） ? ? 6.5mΩ
MOSFET
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