安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET，具有低 ~~RDS (on)~~ ，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低QG 和電容，可最大限度地降低驅動器損耗。該N溝道MOSFET的漏極-源極電壓 ( ~~VDS~~ ) 為30V，柵極-源極電壓 ( ~~VGS~~ ) 為±20 V,漏極電流為294A。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET采用5mm x 6 mm封裝，具有下拉和中心柵極設計，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機驅動器、電源負載開關和直流/直流應用。

數據手冊：*附件：onsemi NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET數據手冊.pdf

特性

先進的5mm x 6mm封裝，具有下拉和中心柵極設計，可提高功率密度、效率和散熱性能
低 ~~RDS(on)~~ ，可最大限度地降低導通損耗
QG 和電容較小，可使驅動器損耗最小化
無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令

尺寸圖

onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術解析與應用指南

一、產品概述

NTMFSS0D9N03P8是安森美半導體推出的高性能N溝道功率MOSFET，采用先進的Source-Down封裝技術，具有低導通電阻、高功率密度和優異的熱性能等突出特點。該器件專為現代高效率功率轉換系統設計，適用于工業控制、汽車電子和消費類電子等多個領域。

二、關鍵特性分析

1. 電氣性能參數

?耐壓等級?：漏源電壓(VDSS) 30V，柵源電壓(VGS) ±20V
?導通電阻?：
- VGS=10V時最大RDS(on)僅1.0mΩ
- VGS=4.5V時最大RDS(on)為1.2mΩ
?電流能力?：
- 連續漏極電流(TC=25°C)達294A
- 脈沖漏極電流(IDM)參數待定

2. 封裝與熱管理

器件采用5x6mm TDFN9封裝，具有以下熱特性：

結到外殼熱阻(RθJC)：1.0°C/W
結到環境熱阻(RθJA)：41°C/W
功率耗散能力：
- TC=25°C時125W
- TC=85°C時65W

三、電氣特性深度解析

1. 靜態參數

?擊穿電壓?：V(BR)DSS最小30V，溫度系數-37mV/°C
?閾值電壓?：VGS(TH)范圍1.0-3.0V
?泄漏電流?：
- 零柵壓漏電流(IDSS)：25°C時最大1.0mA
- 柵源泄漏電流(IGSS)：最大100nA

2. 動態特性

?開關時間?（VGS=10V條件下）：
- 開啟延遲時間(td(on))：20.4ns
- 上升時間(tr)：19.3ns
- 關斷延遲時間(td(off))：125.4ns
- 下降時間(tf)：49.5ns

3. 電荷與電容特性

?柵極電荷?：
- 總柵極電荷(QG(TOT))：127nC
- 柵源電荷(QGS)：24nC
- 柵漏電荷(QGD)：12nC
?電容參數?（VGS=0V, f=1MHz）：
- 輸入電容(CISS)：9000pF
- 輸出電容(COSS)：3010pF
- 反向傳輸電容(CRSS)：275pF