電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 30V MOSFET 是 PC 主板中低壓電源管理的核心器件之一 ，30V 的電壓規(guī)格既能提供充足的安全裕量，又能兼顧高頻開(kāi)關(guān)、低損耗的需求，主要應(yīng)用于主板各功能模塊的降壓供電電路中。

近日，長(zhǎng)晶科技正式推出新一代 SGT（Shielded Gate Trench）Gen2.0 工藝，其基于該工藝打造的 30V MOSFET 系列產(chǎn)品，在核心性能參數(shù)、系統(tǒng)能效及熱管理表現(xiàn)上實(shí)現(xiàn)全面突破，不僅顯著超越上一代技術(shù)，更對(duì)標(biāo)國(guó)際一流廠商水平，為 PC 電腦等終端應(yīng)用的電源管理系統(tǒng)帶來(lái)革命性升級(jí)。

長(zhǎng)晶科技 SGT Gen2.0 工藝在 30V 電壓平臺(tái)的技術(shù)升級(jí)呈現(xiàn)跨越式特征，核心性能參數(shù)實(shí)現(xiàn)突破：

綜合性能指標(biāo)（Fom）：相較于 Gen1.0 工藝，F(xiàn)om 值（Figure of Merit，通常以 Rds (on)×Qg 表征，值越低性能越優(yōu)）降低 50%，較同期歐美系同類產(chǎn)品領(lǐng)先 12.5%，標(biāo)志著器件在導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗的平衡上達(dá)到新高度；
比導(dǎo)通電阻（Rsp）：較上一代工藝降低 41.6%，超越歐美系產(chǎn)品 16.6%，直接推動(dòng)器件導(dǎo)通損耗的大幅下降，為系統(tǒng)能效提升奠定核心基礎(chǔ)。

基于 SGT Gen2.0 工藝，長(zhǎng)晶科技針對(duì)性開(kāi)發(fā)了 PC 電腦 30V MOSFET 系列產(chǎn)品，其中 CJAC6R8SN03AL 與 CJAC2R8SN03AL 的上下管搭配方案。上管（CJAC6R8SN03AL）負(fù)責(zé)高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作，需兼顧低導(dǎo)通電阻與低開(kāi)關(guān)損耗；下管（CJAC2R8SN03AL）負(fù)責(zé)續(xù)流與電流通路，核心需求是超低導(dǎo)通電阻+低驅(qū)動(dòng)損耗。

兩款產(chǎn)品均采用 PDFNWB5×6 封裝，在兼顧功率密度與散熱性能的同時(shí)，通過(guò)工藝優(yōu)化實(shí)現(xiàn)了參數(shù)的精準(zhǔn)分工，上下管搭配使用可最大化發(fā)揮系統(tǒng)協(xié)同效應(yīng)，覆蓋 PC 電源管理的核心需求場(chǎng)景。

為驗(yàn)證產(chǎn)品實(shí)際應(yīng)用表現(xiàn)，長(zhǎng)晶科技在 BUCK 系統(tǒng)評(píng)估板上進(jìn)行了對(duì)標(biāo)測(cè)試（測(cè)試條件：Vin=19V，Vout=1V，Iout=15A，F(xiàn)sw=650KHz，Vdri=5V，Ta=25℃），結(jié)果顯示其系統(tǒng)級(jí)性能全面超越競(jìng)品。
能效表現(xiàn)上，長(zhǎng)晶科技產(chǎn)品系統(tǒng)整體效率達(dá) 85.17%，相較于三款同類型競(jìng)品，能效提升幅度分別為 0.59%、1.13%、1.63%；熱管理能力上，上管溫升較三款競(jìng)品分別降低 1.0℃、3.1℃、4.6℃，下管溫升較三款競(jìng)品分別降低 1.9℃、4.9℃、6.9℃。
從行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，長(zhǎng)晶科技此次推出的 SGT Gen2.0 系列產(chǎn)品，產(chǎn)品核心性能達(dá)到國(guó)際一線廠商水平，打破了歐美系品牌在中高端 MOSFET 市場(chǎng)的長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì)，通過(guò)從工藝層面實(shí)現(xiàn)核心突破，成功在 30V 中低壓 MOSFET 細(xì)分市場(chǎng)建立起技術(shù)壁壘。隨著終端應(yīng)用對(duì)能效、可靠性的要求持續(xù)提升，該系列產(chǎn)品有望快速搶占市場(chǎng)份額。