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電子發燒友網>存儲技術>英特爾與美光64層3D NAND備受關注,或將激化原廠爭奪96層3D NAND技術

英特爾與美光64層3D NAND備受關注,或將激化原廠爭奪96層3D NAND技術

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2018年是3D NAND產能快速增長的一年,主要是因為Flash原三星、東芝、SK海力士、等快速提高643D NAND生產比重,而且相較于2D NAND技術64256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用,使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續下滑
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長江存儲計劃量產643D NAND閃存芯片 閃存市場迎來一波沖擊

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長江存儲643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品,擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
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2019-09-26 17:26:111141

1443D NAND引領閃存容量的重大革命

英特爾透露,2019年第四季度將會推出963D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449

推出最新的第四代3D NAND閃存

宣布,已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應用了全新的替換柵極(RG)架構,并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:321180

英特爾665p SSD正式推出,暫時只有1TB的版本

根據AnandTech的報道,在亮相兩個月后,英特爾SSD 665p今天正式推出。據介紹,665p是660p的繼承者,新款的設計改動很小,最主要的是從英特爾643D QLC NAND轉換到更新的963D QLC NAND
2019-11-26 16:02:064684

英特爾簽署3D XPoint存儲晶圓新的供應協議

在此前高調地宣布“分道揚鑣”之后,英特爾近日又與簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應協議。分析人士指出,鑒于英特爾是當前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525

即將量產第四代3D NAND存儲器 層數達到128

光在二季度財報電話會議上透露,該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃,將于 2020 Q3 采集開始生產,并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型,第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128
2020-04-02 11:26:522011

長江存儲表示1283D NAND技術會按計劃推出

據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的1283D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,1283D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895

群聯全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226,至近期的643D NAND,群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627

發布第五代3D NAND閃存

媒Anandtech報道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產品擁有破紀錄的176構造。報道指出,新型176L閃存是自英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設計轉變為電荷陷阱(charge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

宣布了其第五代3D NAND閃存技術

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924

科技宣布已批量出貨全球首款 176 3D NAND 閃存

第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構。 科技表示,與的上一代大容量 3D NAND 產品相比,176 NAND 數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。的 176
2020-11-12 13:04:572623

發布1763D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176堆疊。預計通過全新推出的1763D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著 2D NAND 容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

依托于先進工藝的 3D NAND,氧化越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306

SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據報道,SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹,新產品具有176電荷charge trap單元。在宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后,SK hynix是第二家達到這一數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822

不要過于關注3D NAND閃存層數

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617

3D NAND技術堆疊走向何方?

發展至今,NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發布128TLC 3D NAND于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583

英特爾發布固態盤 670p: 144 QLC 3D NAND,全新主控

英特爾還對 670p 的 SLC 緩存調度進行了優化。 去年 11 月,英特爾正式推出了 665p SSD,設計改動很小,最主要的是從英特爾64 3D QLC NAND 轉換
2020-12-17 09:30:223066

英特爾發布670p SSD:全新主控

的 SLC 緩存調度進行了優化。 去年 11 月,英特爾正式推出了 665p SSD,設計改動很小,最主要的是從英特爾64 3D QLC NAND 轉換到更新的 96
2020-12-17 10:04:273586

鎧俠、西數推1623D閃存,性能提升66%

在幾大閃存原的主力從96升級到128/144之后,、SK海力士之前推出了1763D閃存,現在鎧俠、西數也加入這一陣營,推出了1623D閃存。
2021-02-20 10:40:582714

鎧俠和西部數據推出第六代1623D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代1763D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出1623D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣1443D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770

長江正式打破三星壟斷,1923D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32NAND閃存,以及64堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286

3D NAND是否數物理限制?

已經在完成 232 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 512Gb 三單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是,芯片制造商私下表示,他們利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND
2022-08-29 16:59:20888

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

3D-NAND 閃存探索超過300

全行業正在努力 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當前成熟的 3D NAND 工藝,這與學術論文提出和內存行業研究的許多 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46993

淺談400以上堆疊的3D NAND技術

3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內,容納更高的存儲容量,從而有效節約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:563209

三星:2030年3D NAND進入1000以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280
2023-07-04 17:03:293142

基于2323D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25%

基于2323D TLC NAND閃存的UFS 4.0模塊能效提升25% 此前推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案,采用了2323D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達到最高
2023-07-19 19:02:211823

三星將于2024年量產超3003D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計采用nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術
2023-08-18 11:09:052015

三星推出GDDR7產品及280堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280堆疊的3D QLC NAND技術
2024-02-01 10:35:311299

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000

2030年實現1000堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”,包括三星、海力士、、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源,而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要? ? 隨著數字化信息的爆炸性增長,對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061

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