9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布，他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 近日，SK海力士在官網宣布，適用第四代10納米（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移動端DRAM（動態隨機存儲器）產品已于7月初開始量產。 自從10納米級DRAM產品開始，半導體
2021-07-12 10:57:065592 及高性能計算提供澎湃算力支持。 瀾起科技第四代津逮 ? CPU，以英特爾 ? 第四代至強 ? 可擴展處理器（代號：Sapphire Rapids）為內核，通過了瀾起科技安全預檢測(PrC)測試，是面向本土市場的x86架構服務器處理器。相較上一代產品，第四代津逮 ? CPU采用先進的
2023-01-12 10:09:252188 
包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產線進行轉換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進
2017-02-07 17:34:129182 
電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 目前東芝已經提出了創紀錄的96層堆疊3D閃存——第四代BiCS閃存。它的內部是如何工作的？一顆閃存芯片又是,如何演變成我們能看到的閃存顆粒？
2017-09-20 09:39:1426286 在三星、東芝存儲器（TMC）、西部數據、美光、SK海力士等3D技術快速發展的推動下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 美光在二季度財報電話會議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構的第四代 3D NAND 存儲器的量產工作。按照計劃，美光將于 2020 Q3 采集開始生產，并于 Q4 像商業客戶發貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術轉型，第四代 3D NAND 存儲器的層數達到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。這款176層NAND產品采用美光第五代3D NAND技術和第二代替換柵極架構。
2020-11-13 09:40:163599 第四代CSR8670開發板開發步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
全新的第四代北斗芯片，較上一代芯片有了全面的提升。芯片采用雙核架構設計，計算能力提升100%；存儲效能提升一個數量級；觀測通道數提升一倍以上，可以跟蹤更多衛星信號；工作功耗下降50%，為更多應用場景提供
2023-09-21 09:52:00
第四代移動通信技術是什么？有什么主要特點？第四代移動通信系統有哪些關鍵技術？
2021-05-26 07:07:28
）新推出的企業和數據中心固態硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業標準，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲器高速（NVMe）固態硬盤。 這些固態硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點
2020-11-23 06:10:45
MIMO-OFDM系統為什么能成為第四代移動通信領域研究的熱點和重點？
2021-05-27 06:39:06
據我所知，第五代capsense相比第四代將電容（包括自電容+互電容技術）和電感觸摸技術集成到了一起，snr信噪比是上一代的十多倍，同時功耗僅是上一代的十分之一。但是這張圖在感應模式上第四代
2024-05-23 06:24:34
NAND只需要提高堆棧層數，目前多種工藝架構并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現在層數已經邁進200+層，并即將進入300+層階段。目前，三星/西部數據
2024-12-17 17:34:06
娛樂等，未來AI實時應用、分析、移動性，對存儲要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿足不斷增長的需求，西部數據在2017年發布第四代96層3D NAND，Fab工廠每天可生產
2018-09-20 17:57:05
組合包括50多種解決方案，用于企業、數據通信、移動通信和顯示等應用中的物理層一致性測試、特性分析和調試。同時適用于第三代標準和第四代標準的解決方案，提供自動測試設置和執行、內置報告選項、深入分析等多種
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內容了，這里就不重復敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業規范不斷進化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通過對本田第四代混合動力系統IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設計思想和工作原理，對于國內輕度混聯混合動力汽車的研發具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
是第一個推出1Tb級產品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發布的非易失性存儲器（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
階段，可見未來5年工地對第四代強制式干混砂漿罐的需求會越來越大。 那么一款專業的工人專用空氣凈化施工產品應當是怎樣的標準呢？ 第四代強制式干混砂漿罐的產品介紹： 攪拌機開機后，罐內的砂漿通過手動蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
本文從基本概念、接入系統、關鍵技術等幾個方面全面介紹了第四代移動通信系統，并簡單介紹了OFDM 技術在第四代移動通信中的應用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手冊
2009-12-10 15:29:1259 Intel 第四代Xeon?可擴展處理器Intel第4代Xeon? 可擴展處理器設計旨在加速以下增長最快工作負載領域的性能：人工智能 (AI)、數據分析、網絡、存儲器和高性能計算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數碼屏
2009-04-28 15:39:251718
第四代TOPSwitch?GX系列單片開關電源
摘要：TOPSwitch?GX是美國PowerIntegratio
2009-07-08 11:12:031478 淺析第四代移動通信
引言 移動通信技術飛速發展，已經歷了3個主要發展階段。每一代的發展都是技術的突破和觀念的創新。第一代起源于20世紀80年
2010-01-23 10:19:451394 第四代iPhone細節曝光
北京時間2月9日早間消息，美國數碼產品維修網站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細節及圖片，第四代iPhone要比當前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00937 第四代iPhone細節曝光
2010-02-22 10:25:18522 S2C在中國推出ALLEGRO公司的廣播級、第四代H.264 High Profile編碼器。相對于前面三代，第四代的特點是支持MVC(3D)、支持低延遲、支持低比特率、支持藍光和B幀
2011-07-21 09:07:091903 第四代移動通信技術研究，很好的網絡資料，快來下載學習吧。
2016-04-19 11:30:480 SK 海力士最先進72 層3D NAND 記憶體傳明年開始量產，韓聯社26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于2017 上半年完成芯片設計，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開始生產。
2016-12-27 14:15:111317 
而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到
2018-06-03 09:50:556262 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
2018-08-03 16:15:031683 美系存儲器大廠美光（Micron）3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產品線廣度，日前耕耘工業領域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產。下面就隨小編一起來了解一下相關內容吧。
2018-08-07 09:46:001013 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002770 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注
2018-08-22 16:25:462599 vivo X23第四代屏幕指紋，追求穩定和高效手機的屏幕指紋對于vivo來說，已然到了第四代，經過了前面幾代的不斷進步，vivo X23上搭載的屏幕指紋技術在硬件基礎得到穩定提升的同時，識別效率也是
2018-08-24 15:12:433143 趙偉國認為，中國的集成電路已經初步擺脫了抄人家、學人家的狀態。他透露，紫光會在今年底量產32層64G的存儲器，在明年會量產64層128G的存儲器，并同步研發128層256G的存儲器。
2018-08-26 10:38:153176 市場。SK Hynix的3D NAND閃存堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND閃存，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。?Intel/美光：容量
2018-10-08 15:52:39780 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 技術確實降低了每千兆字節的成本。本報告展示了目前市場上四家存儲器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經開始批量生產采用專有Xtacking架構的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:162374 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 美光科技已經流片第一批第四代3D NAND存儲芯片，它們基于美光全新的RG架構。該公司有望在2020年生產商用第四代3D NAND內存，但美光警告稱，使用新架構的存儲芯片將僅用于特定應用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:321180 存儲行業隨著物聯網時代的來臨也迎來了一波新的發展機遇，近日，根據最新消息顯示，美系存儲巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產品基于美光全新研發的替代柵極架構，將于明年開始小范圍量產。
2019-11-18 15:33:471043 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 金山云宣布基于全新Intel Cascade Lake CPU、最新六通道DDR4內存的第四代云服務器正式上線。
2020-03-19 13:44:592974 日前，美光發布第二季度財報，其在電話會議中美光透露，即將開始批量生產其基于公司新的RG（replacement gate）架構的第四代3D NAND存儲設備。
2020-04-07 14:36:082868 據證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 解析中國乃至全球 3D 打印行業發展現狀及趨勢，以及 UNIZ 在新品發布后的戰略解讀。 此次，UNIZ 在進博會上發布了兩款產品，分別對應 B 端和 C 端用戶，其中 IBEE，就是搭載了第四代光固化技術的消費級產品。李厚民介紹，光固化技術的發展，大致分為四代：第一代是激光光固
2020-11-06 17:17:462548 據美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變為電荷陷阱（charge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-10 16:22:392315 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 美光第五代 3D NAND 技術和第二代替換柵極架構。 美光科技表示，與美光的上一代大容量 3D NAND 產品相比，176 層 NAND 將數據讀取和寫入延遲縮短了 35% 以上。美光的 176 層
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開始批量生產
2020-11-13 14:25:132185 日前，存儲器廠商美光宣布，其第五代3D?NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D?NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應用效能。
2020-11-20 17:10:122392 據報道，SK hynix日前發布了其最新一代的3D NAND。據介紹，新產品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開始以Crucial品牌產品發貨之后，SK hynix是第二家達到這一層數的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數變少，能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 AN65--第四代LCD背光技術
2021-04-19 11:43:336 wifi技術標準第四代是第四代移動通信技術的意思，第五代就是第五代移動通信技術，那么這兩代之間有什么區別呢？
2022-01-01 16:43:0041538 美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過 200 層，可謂存儲創新的分水嶺。此項突破性技術得益于廣泛
2022-07-28 09:49:5922968 第四代半導體我們其實叫超禁帶半導體，它分兩個方向，一是超窄禁帶，禁帶寬度（指被束縛的價電子產生本征激發所需要的最小能量）在零點幾電子伏特（eV），比超窄禁帶更窄的材料便稱為導體；
2022-08-22 11:10:3918941 物聯網的發展推動了對高性能存儲設備需求的激增。基于此，研華發布全新第四代SQFlash PCIe SSD解決方案產品：SQF 930與SQF ER-1。
2022-10-12 09:25:161403 服務器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發的第四代10納米級（1a）DDR5服務器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務器
2023-01-12 21:32:261496 作為全球首款支持第四代Intel至強可擴展處理器平臺的高端存儲，這種先發優勢是非常明顯的，PCIe5.0、DDR5、CXL、QAT硬件加速器等新硬件形態的支持，都會大大提高MS9000G3的性能，同時降低單位功耗，實現綠色節能的效果。
2023-04-27 11:46:243489 
現預計蘋果自研的5G調制解調器要等到2025年才能進入大規模生產。因此，第四代iPhone SE的發布時間也會相應延后。第四代iPhone SE的計劃也隨之被推遲了。
2023-06-25 15:20:432392 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達到最高
2023-07-19 19:02:211823 采用AMD 3D V-Cache技術的第四代AMD EPYC處理器進一步擴展了AMD EPYC 9004系列處理器，為計算流體動力學(CFD)、有限元分析(FEA)、電子設計自動化(EDA)和結構分析等技術計算工作負載提供更強大的x86 CPU。
2023-08-14 14:38:111128 
最近，三星集團援引業界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 Sk海力士期望通過在無錫工廠完成第四代D-RAM制造環節中的部分工藝流程，隨后將芯片運回韓國總部利川園區進行EUV處理，最后送回無錫工廠進行后續操作。盡管第四代產品僅需一層使用EUV工藝，但公司仍認為增加的成本是合理可承受的。
2024-01-16 14:06:582000 三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。
2024-04-18 09:49:201500 2024年4月18日，國民技術第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350 v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0 （TCM 2.0）安全芯片，適用于PC、服務器平臺和嵌入式系統。
2024-04-18 16:22:421701 
2024年4月18日，國民技術第四代可信計算芯片NS350v32/v33系列產品正式發布并開始量產供貨。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密碼模塊2.0（TCM2.0）安全芯片
2024-04-19 08:24:101553 
ATX是一款平臺型產品，沿用AT平臺并搭載第四代芯片架構，升級了光機設計和激光收發模塊。
2024-04-20 10:49:181628 國民技術近日正式推出了其第四代可信計算芯片NS350 v32/v33系列，并已開始量產供貨。這款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片，能夠滿足PC、服務器平臺和嵌入式系統等不同領域的需求。
2024-05-13 15:17:252303 7月10日，雅虎財經獨家報道了亞馬遜網絡服務（AWS）即將推出的重大技術進展——其第四代Graviton處理器，即Graviton4芯片。這一重要信息由AWS的計算與人工智能產品管理總監拉胡爾·庫爾卡尼在德克薩斯州奧斯汀的亞馬遜芯片研發中心親自披露。
2024-07-10 15:51:391262 知名存儲品牌美光近日正式宣布，搭載其研發的第九代（G9）3D TLC NAND閃存技術的固態硬盤產品已然問世，并已批量上市，成為全球業內首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產品所采用的堆疊層數高達
2024-07-31 17:11:171680 日前,國內全棧式3D掃描解決方案提供商積木易搭在國內市場上新了新一代消費級手持3D掃描儀Moose,這也是積木易搭推出的第四代消費級手持3D掃描儀。 據介紹,Moose屬于積木易搭推出的新一代高精度
2024-08-28 17:25:471047 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 電子發燒友網站提供《AN65-第四代LCD背光技術.pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:12:250 據外媒曝料稱三星已量產第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產4nm芯片以來，每年都在改進技術。三星現在使用的是其最新的第四代4nm工藝節點（SF4X）進行大規模生產。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續工作，助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232328 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822 2030年實現1000層堆疊的3D NAND存儲器。 ? 3D NAND似乎已經成為各大存儲企業競相追逐的“工業明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲等都在這一領域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數字化信息的爆炸性增長，對對存儲容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
電子發燒友App
工商網監
評論