（文章來源：中國電子報）

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產品將應用于固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這是中國首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。

在NAND閃存從平面向三維演進的過程中，64層被普遍認為是首個在性價比上超過2D NAND的產品，因此曾是國際一線廠商生產的主力產品之一。長江存儲64層3D NAND的量產，將中國企業與國際先進水平的差距拉近到了一代至兩代。

在國際范圍內，存儲芯片市場的競爭一向十分激烈。盡管當前存儲器市場遇冷，價格下跌，在一定程度上抑制了廠商們的擴產動作，但是在新技術的推進上，國際一線廠商卻毫不縮手。今年以來，三星電子已宣布量產96層3D NAND 閃存，并將陸續投資70億美元在西安設立第二座NAND閃存制造工廠。項目建成后，可以生產NAND閃存芯片6.5萬片/月。預計2019年年底廠房建設完工，設備搬入并開始量產。

SK海力士也宣布將投資大約1.22萬億韓元用于加強與合作伙伴公司和半導體生態系統的雙贏關系。此前，SK海力士已宣布將韓國的龍仁、利川和清州作為半導體3軸。龍仁將作為DRAM/下一代存儲器生產基地和半導體雙贏生態系統基地，利川將作為總部、研發中心主廠區和DRAM生產基地，清洲則將作為NAND Flash生產基地，以追求公司的中長期增長。

對此，有專家分析指出，之所以幾家國際大廠如此重視NAND閃存，是因為DRAM產業在經歷了汰弱留強后全球僅剩下三星、美光與SK海力士等三大巨擘，三星更是占據全球DRAM近5成市場，相比而言NAND產業仍處于戰國群雄各自割據的階段，全球廠商大致可以劃分為三星、SK海力士、東芝與西部數據、美光與英特爾等四大陣營，并沒有出現一家大廠一騎絕塵之勢。這也給了中國企業發展的機會。

長江存儲64層3D NAND的量產有望使中國存儲芯片打破在美日韓大廠壟斷。業界預測，長江存儲最快明年將跳過96層直接進入128層3D NAND閃存的生產，這將有望接近甚至追趕上國際先進水平。

隨著長江存儲實現量產，業界的關注焦點開始轉向企業能夠盈利，或者說是能否應對國際廠商的競爭壓力，畢竟目前處于存儲器市場的淡季，存儲芯片價格位于低位。但是具體分析可以發現，長江存儲選擇目前這個時機實現規模量產也并非完全不利。

根據集邦咨詢發布數據，第二季度NAND閃存合約價跌幅仍相當顯著，第三季度仍將維持跌勢。但是，從中長期來看，多數業者卻看好未來存儲市場前景。美光科技高級副總裁兼移動產品事業部總經理拉杰·塔魯里在接受記者采訪看好5G對智能手機的拉動以及自動駕駛、VR/AR對存儲器的長期需求，預測未來幾年無論DRAM還是NAND在手機中的容量都將進一步增長，其中DRAM平均增長率將達到15%-17%，NAND將達到25%-30%。集邦咨詢則預測，隨著超大規模數據中心的成長，將帶動存儲器需求增加，DRAM與NAND的價格有望在2020年止跌反彈。甚至有樂觀者估計，第四季度NAND 閃存價格就將止跌回升。

國際存儲器大廠如三星往往選擇在下行周期時加大投資，業界稱之為逆周期投資。長江存儲選擇在這個時機量產，量產爬升需要一段時間，當產量達到一定規模時，市場有可能正好轉曖，選擇這個時間規模量產，并非不利。中國是全球最主要NAND閃存市場之一，中國也不應有所退縮，真正存儲芯片市場決勝的時間往往在下一個周期展開。

技術創新才是決定企業成敗的關鍵因素。長江存儲量產64層3D NAND采用了自主研發的Xtacking架構。Xtacking是長江存儲在去年FMS(閃存技術峰會)首次公開的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

長江存儲還宣布正在開發下一代Xtacking2.0技術，Xtacking 2.0將進一步提升NAND的吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能、開啟定制化NAND全新商業模式等。未來搭載Xtacking 2.0技術的長江存儲第三代產品將被廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域。