9月2日,長江存儲正式對外宣布,其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位,每個存儲單元為三個字位的三維閃存)正式量產,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 SK海力士本周宣布,他們已經開始基于其128層3D NAND閃存采樣產品,該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前,他們推出了96層第5代3D NAND,但低價促使他們削減了產量,而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 Kioxia(原東芝存儲),西部數據(WD)聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前,原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 7月24日國外消息:SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:23
1561 最新的3D垂直閃存與傳統的NAND存儲芯片相比,具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優勢。
2013-08-29 10:46:51
2858 
256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經出現在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:43
7470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月,先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND 芯片,而且已經送樣,三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:06
44661 
目前NAND閃存需求依然居高不下,廠商也有動力擴大產能了,SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存,這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16
1088 各大原廠已經在2016年研發了基于48層或32層的3D NADN閃存顆粒,由于技術不成熟以及2D NAND生產線替換問題,如今3D NAND的良品率并不高,總產量也不夠高,因而才引發了當下固態硬盤市場價格的瘋漲。
2016-11-09 17:37:38
3369 據海外媒體報道,去年下半年以來NAND Flash市場供不應求,主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND,但3D NAND生產良率不如預期,2D NAND供給量又因產能排擠縮小,NAND Flash市場出現貨源不足問題,價格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:37
1739 
蘋果供應商海力士(SK Hynix)今天發布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍,單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍,讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:04
2003 國產手機勢頭越來越強勁,把三星和蘋果的市場份額搶占不少,但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國廠商壟斷了。近日,高啟全接受媒體采訪時表示,長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存,這個消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:04
2528 Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速
2020-09-11 10:03:29
3528 PCB面積總是不夠用?試試這個方案唄~
2023-10-17 15:14:02
1571 
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰。
2025-04-08 14:38:39
2049 
電子發燒友網報道(文/黃晶晶)早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND,并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:00
5554 
什么是3D NAND?什么是4D NAND?3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒?
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長?如何提升SSD壽命及效能?3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么?
2021-04-02 07:17:39
3D圖像的主流技術有哪幾種?Bora傳感器的功能亮點是什么?
2021-05-28 06:37:34
nand有壞塊,系統會跳過不用,系統跳過不用的話,那會不會不夠用,如果我MTD給uboot只分配了256K,編譯出來的uboot有200K,剛好在uboot的范圍里有壞塊占了100K,只剩156,裝不下200K的uboot啊
2019-07-23 04:58:59
用328P做溫控,需要適用多種熱電偶,現在寫入多種分度表后(已經喲哦那個const寫入Flash)內存提示不夠用,怎么解決因為要求精度要有0.1,所以說采用查表法,但是現在分度表太大了,求大神怎么解決
2014-03-04 13:26:08
如題,DSP的PWM口不夠用,也不合適用定時器做。有沒有那種PWM發生芯片,由DSP通過并行口之類的把占空比信號給到PWM發生芯片,芯片產生對應的PWM波形?
2015-06-04 14:41:22
E幣不夠用,{:1:}{:16:}
2013-04-29 18:12:36
1.項目背景項目是基于Nxp Mcu+FreeRtos,成品是車機(車載導航系統),在消息通信過程中會進入內存分配失敗鉤子函數里面2.問題原因FreeRtos系統的Heap堆不夠用,就是在最開始給
2022-03-01 06:10:38
單片機的特點是體積小,功能全,系統結構緊湊、對于小型的需求可以滿足要求。那么稍大一點嵌入式系統呢?那么有可能你的數據存儲器、程序存儲器還有IO口都可能不夠用!那怎么辦呢?我們就需...
2021-07-19 07:21:36
各位大蝦:小弟初次接觸STM32,不明白該款存儲器的啟動問題,哪位給簡單說說。另外我們的程序下載了STM內部的Flash里面,假如內部flash不夠用干怎么辦?。繑U展還是換型號?
2020-06-11 09:00:16
的DDR3,這個內存可以外擴嗎?我看板子上已經外接了4塊DDR3,但是512M這個參數真的不夠用啊。請問用這塊板子能完成我的任務嗎?能想辦法擴到8G嗎?
2018-06-21 18:30:19
辦法把reserved的那部分也用起來,我現在因為用到大量的long double數據,malloc申請的內存不夠用.問題2:想請教下,關于long double的數據類型的計算,有沒有什么辦法可以提高
2020-07-22 10:05:37
主芯片用的stm32f103rbt6
加上exfuns_init()函數就空間不夠用了,有什么好的建議?
板子已實現u盤功能。我想通過串口使用mf_scan_files(\"0:\")之類的命令。但主函數中加入初始化語句就已經容量不夠了。
2024-05-17 07:23:59
stm32出現ram、rom不夠用怎么解決?
2022-02-16 06:00:01
我要用好我個串口,但是單片機上就必個,串口不夠用,怎么辦?
2020-08-04 00:56:08
來自一位用戶的咨詢,麻煩幫忙解答。越詳細越好,有圖有真相。如有相關的視頻、文檔也可以輔助說明,謝謝。
單片機RAM不夠用怎么辦?
單片機都有RAM,如果我們一下子定義了一大堆的變量,使得變量占的空間大于RAM,這樣單片機還能運行嗎?電腦出現這種問題是怎么解決的
2024-02-02 07:35:01
最近在做一個小東西,外圍的傳感器有點多,P0口作數據口,其它口又有輸入也有輸出,結果最后端口不夠用了,哀傷、、、、、、、、、、、在此向各位前輩,師兄師姐們請教下,有什么好的方法,來擴展端口
2014-06-29 23:16:50
如果UART串口不夠用還要用printf該怎么辦呢?基于STM32的printf函數有幾種用法呢?
2021-11-30 07:03:25
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
我最近在做一個東西,需要用到3.2英寸的tft屏,但IO口不夠用了,只剩下兩個8位IO,但手上的TFT屏都是30針的,請教各位高手該選用什么型號的屏,謝謝啦
2013-01-07 09:43:47
優勢,或許,未來將有更多的玩家參與其中。存儲產品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產和研發中來,存儲產品也開始走向了3D時代。在這些廠商發展3D閃存的過程當中,也
2020-03-19 14:04:57
stm8s003f3裝6050的dmp是不是內存會不夠用?。??
2024-05-08 07:35:17
請問單片機定時器不夠用怎么辦?
2021-09-29 07:14:32
諾基亞投訴率居榜首 電池不夠用成突出問題
2010-04-09 08:48:53
431 本文為您講述ROM存儲介質3D NAND技術工藝的發展,現階段主流的內存標準,包括傳統eMMC,三星和蘋果提出的UFC標準和NVMe標準。
2016-10-12 15:54:24
3880 據報道,蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元,單個
2017-04-12 01:07:11
1359 運算密度跟不上因特網流量增加速度,數據中心分析之數據量的成長速度前所未有;要解決這個問題,需要更大的內存帶寬,而這是3D芯片堆棧技術展現其承諾的一個領域。
2017-04-20 01:06:11
1888 
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的閃存類型,通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出,這項技術將會在今年成為閃存領域的卓越性技術。
2017-05-03 01:02:50
1621 現在,西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存,其使用的是新一代BiCS 4技術(下半年出樣,2018年開始量產),除了TLC類型外,其還會支持QLC,這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40
937 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道,英特爾今天宣布推出SSD 545s固態硬盤,它是主流的SATA驅動器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品,且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:05
1179 的廠商競爭,以及日經貼般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。、 那么,到底什么是閃存顆?2D NAND和3D NAND之間又有哪些區別和聯系? 閃存顆粒到底是什么? 閃存顆粒,又稱閃存,是一種非易失性存儲器,即在斷電的情況下依舊可以保存已經寫入的數據
2017-10-13 20:33:26
6 上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發3D NAND,其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時,有外媒報道,英特爾將于紫光合作,在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年,英特爾將會
2018-01-16 14:37:55
5172 
層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高,要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候,存儲堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:48
51340 無論是3D堆疊還是QLC的推出,這些情況均說明了隨著3D NAND技術走向實用化,國際廠商正在加快推進技術進步。3D NAND相對2D NAND來說,是一次閃存技術上的變革。而且不同于基于微縮技術
2018-06-20 17:17:49
5087 近日,英特爾發布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術的數據中心級固態盤,加強擴大3D NAND供應。
2018-08-01 17:44:54
1237 今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內存業務如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:03
1683 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉,該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:39
5421 今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態,主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢,低于預期。
2018-09-16 10:38:14
759 宣布研發出3D NAND 芯片,而且已經送樣,三星一家獨大的情況將畫下句點,加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入,3D NAND大戰一觸即發。什么是3D NAND閃存?從新聞到評測
2018-10-08 15:52:39
780 就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低,NAND快閃存儲已經成功地由平面轉為3D,而DRAM還是維持2D架構;在此同時,DRAM制程的微縮也變得越來越困難,主要是因為儲存電容的深寬比(aspect ratio)隨著元件制程微縮而呈倍數增加。
2018-10-28 10:17:13
5623 研發支持原廠3D TLC NAND高品質固件的固態硬盤完整解決方案。據了解,MAS0902固態硬盤主控芯片,已經適配了全球全部量產的所有3D MLC/TLC NAND閃存顆粒,繼在今年9月國內首發量產
2018-11-19 17:22:31
8411 現在,長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:00
3069 據悉,長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:00
5147 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09
1144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:24
1455 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:32
1449 美光宣布,已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應用了全新的替換柵極(RG)架構,并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32
1180 有關國產閃存技術的發展與突破,相信很多人都在翹首期待,希望我們能夠擁有自己的先進閃存產品,而當長江存儲成功發展出來3D NAND存儲Xtacking架構技術的時候,我們知道,真正的國產存儲即將出現了!
2019-10-31 11:37:07
1248 根據國科微官方的消息,國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態硬盤產品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:49
5929 SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲設備包含一個128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關當前零件號的列表,請參見第0頁的“市場營銷零件號
2020-07-01 08:00:00
6 根據消息報道,西部數據公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布,他們最新一代的3D NAND閃存已經開發成功,第五代BiCS 3D NAND已經開始以512 Gb顆粒形式生產,今年下半年可能會實現商業化量產。
2020-02-04 16:25:34
5210 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:09
1627 如果是在一個小型的局域網里可能完全不必要考慮IP地址不夠的情況,但是在超過“255臺”電腦的大型局域網里,就必須要考慮電腦IP地址不夠用該如何解決了。
2020-06-29 11:51:11
4028 
Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:16
2690 據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:49
3038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:21
2924 IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業紀錄,實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:57
2623 存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:55
3696 日前,TechInsights高級技術研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會上作了兩次演講,詳細介紹了3D NAND和其他新興存儲器的未來。
2020-11-19 16:11:18
3722 NAND 應運而生,可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:13
3095 依托于先進工藝的 3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:44
4306 NAND應運而生,可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND,氧化層越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率? 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:49
3617 發展至今,NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:37
4583 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:15
3354 
長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:21
8286 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術已經通過許多發展得到滿足,不僅體現在當今閃存控制器的功能上,尤其是通過 3D NAND 架構。隨著工業物聯網 (IIoT)、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數據密集型應用程序的不斷發展,這些苛刻應用程序的數據存儲要求變得更具挑戰性。
2022-07-15 08:17:25
1510 全球存儲市場對高密度 NAND 閃存的需求不斷增長。目前,這一需求已通過許多發展得到滿足,不僅體現在當今閃存控制器的功能上,而且尤其是在過去十年中一直處于存儲討論和發展中心的 3D NAND 架構
2022-07-28 10:12:49
2300 
據知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道,長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經實現量產,領先于三星、美光、SK海力士等廠商,這也是__中國品牌在半導體領域首次領先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:38
1876 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:39
4227 3D NAND閃存是一種把內存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術。這種技術垂直堆疊了多層數據存儲單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內,容納更高的存儲容量,從而有效節約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:56
3209 
三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:29
3142 如果是在一個小型的局域網里可能完全不必要考慮IP地址不夠的情況,但是在超過“255臺”電腦的大型局域網里,就必須要考慮電腦IP地址不夠用該如何解決了。
2023-10-23 10:16:37
4340 
如果是在一個小型的局域網里可能完全不必要考慮IP地址不夠的情況,但是在超過“255臺”電腦的大型局域網里,就必須要考慮電腦IP地址不夠用該如何解決了。
2023-12-05 10:13:51
2757 
內存不夠用的處理方法 內存不夠用是許多計算機用戶普遍面臨的問題。當我們的計算機內存不足時,會導致系統運行緩慢,應用程序無法正常運行,甚至直接導致計算機崩潰。然而,幸運的是,我們有很多
2023-12-28 11:15:25
3573 之前使用沁恒公司的一款BLE芯片CH573,隨著代碼量的增多,開發到后期時遇到了RAM空間不夠用的問題,當時嚇了我一跳,以為需要重新換更大RAM的芯片。
2024-05-01 09:57:00
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