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電子發燒友網>存儲技術>長江存儲64層3D NAND芯片專利研發完成,預計明年完成生產線建置

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發完成,預計明年完成生產線建置

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2018-04-15 10:08:0010302

長江儲存量產NAND Flash芯片 打響中國在存儲芯片領域的第一槍

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長江存儲3D NAND閃存堆棧結構Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

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2018-08-15 10:50:166345

英特爾與美光643D NAND備受關注,或將激化原廠爭奪963D NAND技術

上周,美光系與英特爾推出了643D QLC NAND,由于采用的QLC(4bits/cell)架構相較于TLC(3bits/cell)容量更大,使得單顆Die容量可高達1Tb,備受市場高度關注
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紫光成都建設基地,打造12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線

根據紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿試驗區舉行。官方稱紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝,將建設12英寸3D NAND存儲器晶圓生產線,并開展存儲芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936

64/723D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

推出64/723D NAND預計從下半年開始將陸續進入量產階段,屆時3D NAND產能將大幅增加。
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紫光宏茂微電子宣布公司成功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量產

在2017年年底舉行的第四屆世界互聯網大會上透露,紫光集團董事長趙偉國透露,紫光旗下的長江存儲已經研發出了3264G的完全自主知識產權的3D NAND芯片;2018年4月的長江存儲生產機臺進場安裝儀式上,趙偉國指出,他們的32芯片會在2018年年底實現芯片量產;
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長江存儲計劃量產643D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

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2019-04-18 16:18:522545

國產存儲廠商長江存儲預計在第三季度量產643D閃存

據Digitimes報道,長江存儲(YMTC)將于年底前投入643D閃存的量產工作。其中風險試產預計三季度啟動,目前良率已經實現了顯著爬升。
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長江存儲將推出Xtacking2.0閃存技術 與DRAMDDR4的I/O速度相當

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中,國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產了32堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產64堆棧的3D閃存,產能將會積極擴張。
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長江存儲直追國際技術 NAND陷入全球混戰

長江存儲在 2018 年成功研發323D NAND芯片后,進一步規劃在2019年8月開始生產新一代的64 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰局,對比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進入903D NAND芯片生產長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
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長江存儲64堆棧3D閃存亮相,年底實現量產

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2019年9月2日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產基于Xtacking?架構的64256 Gb TLC 3D
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我國首次實現643DNAND閃存芯片的量產 將大幅縮短與國際先進水平的差距

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長江存儲閃存128堆疊產品里先進水平還差多遠?

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2020-01-17 11:29:175331

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據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的1283D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,1283D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128技術會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895

長江存儲宣布成功研制128QLC 3D閃存 將是業內首款128QLC規格3D NAND

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長江存儲推出 128 QLC 閃存,單顆容量達 1.33Tb

2020年4月13日,中國武漢,長江存儲科技有限責任公司宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。作為業內首款
2020-04-13 09:29:416830

業內首款128QLC規格的3D NAND閃存有哪些特點?

2020年4月13日,長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
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長江存儲首推128QLC閃存,單顆容量可達1.33Tb

4月13日,紫光集團旗下的長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發成功。
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長江存儲128NAND flash存儲芯片 中國存儲芯片國際領先

據媒體報道指國產存儲芯片企業長江存儲已開發出128NAND flash存儲芯片,這是當前國際存儲芯片企業正在投產的NAND flash技術,意味著中國的存儲芯片技術已達到國際領先水平。
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長江儲存宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片產品已研發成功

長江儲存在官網宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功,型號為X2-6070,并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。
2020-04-19 10:14:063603

長江存儲的技術創新,1283D NAND閃存芯片問世

長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在官網宣布其128QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯全系列控制芯片支持長江存儲3D NAND

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長江存儲自2016年開始接洽合作,從最早期的32 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226,至近期的643D NAND,群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627

長江存儲128NAND閃存研發成功,跳過了96

長江存儲科技有限責任公司宣布,128QLC?3D?NAND閃存研發成功,這標志著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527

長江存儲128QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)宣布其128QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014518

長江存儲首發128QLC閃存

長江存儲科技有限責任公司宣布其128QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發成功。同時發布的還有128512Gb TLC(3 bit/cell)規格閃存芯片(型號:X2-9060),用以滿足不同應用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長江存儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

慧榮科技宣布全系列主控 芯片全面支持長 江 存 儲Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長江存儲最新研發成功的128Xtacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲3D NAND技術迅速提升
2020-09-11 11:12:342586

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038

美光發布1763D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176堆疊。預計通過美光全新推出的1763D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

長江存儲 64 3D NAND 打入華為 Mate 40 供應鏈

IT之家 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國際研討會暨 IC WORLD 學術會議本周在京舉行,長江存儲首席執行官楊士寧出席發表講話。 楊士寧表示:雖然長存的 64 3
2020-11-20 14:18:302007

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 應運而生,可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量,在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND,氧化越來越薄,面臨可靠性和穩定性的難題,未來的 3D NAND 將如何發展?如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率? 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

長江存儲已打入華為供應鏈

表示,很多人反映很少看到國產內存, 實際上華為Mate 40系列手機現在也使用了長江存儲643D NAND閃存。 他強調,與國際存儲大廠6年的路程相比, 長江存儲僅用了短短3年時間實現了3D NAND的3264、128的跨越。 會議上, 他還展示了長江存儲 先進的Xt
2020-11-23 11:59:265787

長江存儲的首款消費級固態品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來答疑欄目給出了相關技術答復,讓大家更加的了解致鈦品牌固態。 背景介紹: 長江存儲于2014年,開始3D NAND flash的研發,技術團隊從最初開始研發相關技術到現在已經有六年的時間,并在,2016年注冊公司,短短的時間內就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:484526

長江存儲科普SSD、3D NAND的發展史

作為國產存儲行業的佼佼者,長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領域的突飛猛進,引發普遍關注,尤其是獨創了全新的Xtacking閃存架構,最近還打造了首個消費級SSD品牌“致鈦”。
2020-11-24 10:12:315270

長江存儲64閃存已經打入了華為Mate40供應鏈

日前,長江存儲CEO楊士寧在參加活動時表示,與國際存儲大廠相比,該公司用短短3年時間實現從3264再到128的跨越,3完成他們6年走過的路。
2020-11-27 10:00:183257

Mate40旗艦機搭載長江存儲643D NAND

此外,楊士寧還展示了Xtacking技術,表示:在這一方面,長江存儲也是走在國際最前沿的;長江存儲的技術也是非常先進的,以后可以委托給中芯國際;同時也要感謝國產同行的支持。他還表示,目前只有帶有Xtacking標簽的終端產品才擁有真正國產閃存芯片
2020-11-30 11:20:013979

3D NAND技術堆疊將走向何方?

3D NAND長江存儲于今年4月份宣布推出128堆棧的3D NAND閃存。轉眼來到2020年末,美光和SK海力士相繼發布了1763D NAND。這也是唯二進入176存儲廠商。不得不說,存儲之戰沒有最烈,只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583

旌存KS3400P控制器已通過長江存儲驗證,或明年實現量產

2020年12月25日,廈門旌存半導體技術有限公司研制的旌存KS3400P SSD控制器完成了與長江存儲3D TLC NAND的適配,順利通過了兼容性、穩定性、可靠性等多重驗證,預計明年實現量產。
2020-12-28 16:35:302585

回顧長江存儲3D NAND技術的發展進程

日前,有媒體報道稱,消息人士透露,長江存儲計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產量提高一倍至10萬片晶圓,并準備最早將于2021年年中試產第一批1923D NAND閃存芯片,不過為確保量產芯片質量,該計劃有可能會被推遲至今年下半年。
2021-01-13 13:59:275875

長江存儲即將試產第一批 192 3D NAND 閃存芯片

長江存儲計劃今年把產量提高一倍,計劃到下半年將每月的存儲芯片產量提高到 10 萬片晶圓,約占全球總產量的 7%。并準備試產 192 NAND 快閃記憶體晶片。這將有助于長江存儲縮小與全球先進制造商之間的差距。據悉,三星電子目前每月約生產 48 萬片晶圓,而美光的月產能約為 18 萬片。
2021-02-14 09:21:009270

盤點2020年存儲行業十大事件

2020年4月13日,長江存儲宣布其128QLC 3D NAND閃存研發成功,這也是業內首款128QLC規格的3D NAND閃存。同年8月14日,長江存儲128QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729

長江正式打破三星壟斷,1923D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32NAND閃存,以及64堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286

3D NAND是否數物理限制?

美光已經在完成 232 NAND 的訂單,而且不甘示弱,SK 海力士宣布將于明年上半年開始量產 238 512Gb 三單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是,芯片制造商私下表示,他們將利用行業學習為目前正在開發的 3D-IC 堆疊 NAND
2022-08-29 16:59:20888

對比韓企存儲技術,長江存儲發展如何

據外媒報道,長江存儲去年7月生產了2323D NAND閃存樣機,同年11月開始投入量產。
2023-02-28 10:51:252395

三星:2030年3D NAND將進入1000以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產超3003D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

長江存儲在美起訴美光 指控侵犯8項3D NAND專利

長江存儲專利侵害訴訟場主張說:“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新。”長江存儲訴訟稱,美光使用長江存儲專利技術,從與長江存儲的競爭中防御,確保和保護市場占有率。
2023-11-12 14:26:451222

長江存儲起訴美光 涉及專利侵權

在起訴書中,長江存儲聲稱自己目前是全球3D NAND技術的領導者,并得到了行業和第三方機構的廣泛認可。長江存儲的技術創新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產量,推動了多種電子設備的創新。
2023-11-13 16:03:051470

長江存儲起訴美光!

長江存儲在以上起訴書中稱,長江存儲不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場的重要參與者。長江存儲表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場的TechInsights公司得出結論:長江存儲3D NAND閃存領域的領導者,超過了美光。
2023-11-13 16:53:041658

8項專利被侵權!美光與長江存儲陷入專利之爭

長江存儲與美光芯片戰升級。3D NAND閃存制造商長江存儲,已于9日在美國加州北區地方法院對美國記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長江存儲8項與3D NAND相關的美國專利
2023-11-13 17:24:511517

首次亮相!長江存儲128 3D NAND 現身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團帶來了大量產品,其中包括長江存儲的128QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128QLC規格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000

電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現3D NAND的1000堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超10003D NAND存儲器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:008061

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