SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

SK海力士已投資15萬(wàn)億韓元（約135億美元）在清州建設(shè)M15工廠，主要生產(chǎn)72層和96層3D NAND閃存。據(jù)外媒報(bào)道，隨著M15工廠的建成，SK海力士將加速大規(guī)模生產(chǎn)第五代96層3D NAND閃存。

報(bào)道稱，紀(jì)念工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

據(jù)悉，為應(yīng)對(duì)3D NAND市場(chǎng)的巨大變化，SK海力士M15工廠的建成完工比原計(jì)劃提前了近6個(gè)月。半導(dǎo)體行業(yè)分析師表示，“三星電子7月份開(kāi)始已批量生產(chǎn)96層3D NAND閃存，而東芝和美光計(jì)劃也將效仿。SK海力士的完工日期提前，部分原因是中國(guó)公司在3D NAND閃存市場(chǎng)的積極宣傳。”

與DRAM不同，3D NAND閃存是非易失性存儲(chǔ)器半導(dǎo)體，即使在電源關(guān)閉時(shí)也不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。外媒稱，大規(guī)模生產(chǎn)96層3D NAND閃存不僅證明了SK海力士的先進(jìn)技術(shù)，也將有助于擴(kuò)大SK海力士在3D NAND市場(chǎng)的份額。

除此之外，96層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)也可以使SK海力士的盈利結(jié)構(gòu)更加平衡。去年，SK海力士在在DRAM領(lǐng)域的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)占其總營(yíng)業(yè)利潤(rùn)的90％，其中NAND部門的份額不到10％。相比之下，三星電子的DRAM營(yíng)業(yè)利潤(rùn)占63％，NAND業(yè)務(wù)占32％。

從目前來(lái)看，韓國(guó)、日本和美國(guó)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器公司在96層3D NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)將進(jìn)一步加劇。其中，東芝于今年6月宣布，已完成與西部數(shù)據(jù)的96層3D NAND閃存技術(shù)研發(fā)，東芝預(yù)計(jì)最遲將在今年年底或明年年底生產(chǎn)96層3D NAND閃存；此外，美光計(jì)劃通過(guò)與英特爾的技術(shù)合作，在今年完成96層3D NAND閃存技術(shù)研發(fā)。

值得一提的是，中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND閃存方面也已經(jīng)取得了重要突破。紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京曾透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此外，64層3D NAND閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行，計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。