最高的64層3D NAND芯片。據techweb的消息顯示，長江存儲今年年底預計正式量產64層堆棧的3D閃存，明年開始逐步提升產能，預計2020年底有望將產能提升至月產6萬片晶圓的規模。
2019-08-27 09:32:51
2672 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 14:31:151919 Kioxia（原東芝存儲），西部數據（WD）聯盟3D NAND閃存使用三星電子技術進行批量生產。 東芝開發的3D NAND技術 BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術路線-- 在同一個區域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術的內存產品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術的SSD固態硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 三星已經連續推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態硬盤產品，2015年8月正式量產首款可應用于固態硬盤（SSD）中的48層3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發出3D NAND 芯片，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。
2017-02-23 08:33:401752 蘋果供應商海力士（SK Hynix）今天發布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 電子發燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規模量產64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態硬盤產品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應用于消費電子、工業、數據中心等領域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
2.5V NAND，有效降低功耗，未來EDSFF將在散熱方面會有更杰出的表現，同時也希望對NAND進行進一步優化。長江存儲：2019年量產64層3D NAND長江存儲作為NAND Flash產業新晉者
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。據悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:231244 
上周東芝及西部數據宣布，已研發出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 據報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48 層技術多出 1.5 倍的單元，單個
2017-04-12 01:07:111359 市場調查機構DRAMeXchange周五發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 6月29日消息 據外媒NEOWIN報道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態硬盤，它是主流的SATA驅動器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產品，且目前僅提供512 GB容量版本。
2017-06-29 17:56:051179 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規模生產，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當然也能拉低產品的售價。
2017-07-05 08:47:54795 閃存、內存的瘋狂漲價，讓三星今年大賺特賺，當然他們在新技術上的投入也沒有手軟，今天官方公布的消息顯示，三星將在韓國投資186.3億美元，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領域的領先地位。之前我們曾
2017-07-05 11:40:20286 三星NAND閃存規格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預估將持續呈現吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌3.6%，創10月底以來最大跌幅。韓國股市27日早盤遭逢來自外資與法人的賣壓，以三星電子為首的科技股領跌。
2017-11-28 12:19:39928 上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發3D NAND，其維持多年的長期合作關系也將結束。與此同時，有外媒報道，英特爾將于紫光合作，在中國生產3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會
2018-01-16 14:37:555172 
武漢建設NAND工廠，預計今年內量產，據悉國產NAND閃存是32層堆棧的，是1000多名研究人員耗時2年、耗資10億美元研發的。
2018-05-16 10:06:004167 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產品外，2018年將進一步提升3D NAND生產比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業氣體供應商空氣產品公司將助力三星生產的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來越多。 目前NAND Flash芯片已經進入64層TLC時代，展望2019年，三星（Samsung）、東芝
2018-06-11 09:16:004985 層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高，要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候，存儲堆棧的高度也在增大，然而每層的厚度卻在縮小，以前的32/36層3D NAND
2018-05-28 16:25:4851340 三星電子今天宣布，已經開始批量生產業內首款512GB嵌入式通用閃存（eUFS），以用于下一代移動設備。據介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆（Gb）V-NAND芯片和一個控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經大規模量產64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 由于NAND閃存價格上漲，SSD普及的道路走的異常艱難，同容量下SSD和HDD的價格始終相差懸殊，但美光今天新推出MX500系列SSD采用了64層3D TLC NAND閃存，把SSD的價格和性能控制在一個很好的平衡點，具有極高的性價比和極強的市場競爭力，或許可以打破這一困境。
2018-07-24 16:01:365391 ，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
2018-08-03 16:15:031683 昨日長江存儲正式公開了其突破性技術——XtackingTM。據悉，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。
2018-08-13 09:45:002770 32-48層，廠商們還在研發64層甚至更高層數的堆棧技術。四大NAND豪門的3D NAND閃存及特色在主要的NAND廠商中，三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產上要落后三星
2018-10-08 15:52:39780 級的QLC硬盤860 QVO、980 OVO也確定了，不過規格沒公布。 TLC閃存創新高 目前64層堆棧3D TLC閃存的970 EVO、PM98
2018-10-18 17:33:006571 支持64層3D QLC后，現已全面支持最新96層3D NAND閃存顆粒。此次發布的96層3D TLC NAND閃存固態硬盤解決方案，客戶無需修改硬件，為客戶快速量產提供了極大的便利性。聯蕓科技最新發
2018-11-19 17:22:318411 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:521378 科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
2018-11-23 08:45:2812700 6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 日前有消息稱紫光純國產的SSD硬盤就要上市了，使用是他們研發生產的64層堆棧3D TLC閃存，P/E次數可達1500次，這個技術及規格在主流SSD中已經不低了。
2019-03-15 10:38:455883 國產存儲芯片再下一城，日前有產業鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 據Digitimes報道，長江存儲（YMTC）將于年底前投入64層3D閃存的量產工作。其中風險試產預計三季度啟動，目前良率已經實現了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:443189 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中，國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存，產能將會積極擴張。
2019-05-16 10:18:143966 現在，長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示，公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據官網資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品，廣泛應用于移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。
2019-08-29 14:28:002725 2019年9月2日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:504051 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產的閃存產品，擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021788 據悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產品將應用于固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這是中國首次實現64層3D NAND閃存芯片的量產，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 隨著數據量的迅速增大，主流存儲技術也在迅速向前推進中。3D NAND閃存從2014年的24層，到2016年的48層，到2017年的64層，再到2018年的96層，以及明年的1XX層，技術更新速度越來越快。
2019-09-26 17:26:111141 紫光集團旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產基于Xtacking？架構的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-10-08 11:29:181727 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 美光宣布，已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應用了全新的替換柵極(RG)架構，并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:321180 今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 第三季度全球NAND閃存市場明顯復蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲）、美光等主要存儲廠商的出貨量均有較大幅度增長。在此情況下，各大廠商之間加緊了競爭卡位，以期在新一輪市場競爭中占據有利位置。三星、美光、SK海力士均發布了128層3D NAND閃存芯片，將NAND閃存的堆疊之爭推進到了新的層級。
2019-12-04 15:46:203216 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 固態硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的，也是目前技術最強的，已經發展了三代V-NAND閃存，堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 在CES展會上，SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存（本質還是3D閃存，4D只是商業名稱），已經用于自家的PCIe硬盤中，這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的，預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135597 盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠，開始量產閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:563552 據了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 對3D閃存來說，堆棧層數越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球將大規模量產100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創造了三個世界第一。國產閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。
2020-05-07 14:48:091627 繼三星去年實現量產128層第六代NAND閃存芯片后，又在兩個月前宣布將完成160層第七代NAND閃存芯片的開發，目前看來三星已經將對手遠遠甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 在3D閃存技術上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。 根據美光的說法，176層閃存其實是基于兩個88層
2020-11-14 10:01:202368 在3D閃存技術上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領先的，堆棧層數也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。
2020-11-14 10:05:002077 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 NAND應運而生，可以支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數據的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩定性的難題，未來的3D NAND將如何發展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 發展至今，NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現出更好的工藝，它們似乎在挑戰三星的技術能力。
2021-02-26 15:49:373205 在3D NAND技術賽跑中，三星長期處于領先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業界有關負責人的話表示，計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 據韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數將高達290層，但IT之家此前曾報道過，三星在學術會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其IO接口速度可達3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 據韓國業界消息，三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業中最高的可量產堆疊層數。
2024-04-18 09:49:201500 近日，業界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給，并計劃在2024年底停止在現貨市場銷售該類產品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消息引起了業界
2024-11-21 14:16:121474 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
電子發燒友App
工商網監
評論