Western Digital和Kioxia宣布成功開發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到“有意義的商業(yè)量”。計(jì)劃用于這一代的其他部件包括1Tbit TLC和1.33 Tbit QLC管芯。

BiCS5設(shè)計(jì)使用112層，而BiCS4使用96層。BiCS5是來自WDC / Kioxia的第二代，將使用字符串堆棧進(jìn)行構(gòu)建，并且可能被構(gòu)造為兩個(gè)堆棧，每個(gè)堆棧約56個(gè)活動(dòng)層。盡管與上一代產(chǎn)品相比，112層僅增加了約16％，但兩家公司仍聲稱密度增加了40％（按每晶圓位的數(shù)量，將112L 512Gb TLC與96L 256Gb TLC進(jìn)行了比較）。允許縮小水平尺寸的設(shè)計(jì)。據(jù)說存儲(chǔ)器陣列本身的密度大約高20％。內(nèi)存接口速度已提高了50％，應(yīng)該達(dá)到1.2GT / s，與大多數(shù)96L競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相同。

BiCS5零件將于本季度開始提供樣品。隨著下半年產(chǎn)量的增加，使用BICS5的SSD和其他產(chǎn)品最早可能會(huì)在2020年底左右投放市場(chǎng)。Western Digital先前曾表示，他們打算讓BiCS5過渡所需的CapEx低于64L到96L過渡，從而扭轉(zhuǎn)了世代更新價(jià)格不斷上漲的趨勢(shì)。這意味著向112L的遷移可能會(huì)比上一次過渡還要慢，而且96L BiCS4將在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)成為其產(chǎn)量的主要部分。