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電子發燒友網>存儲技術>3D NAND flash大戰開打 三星獨霸局面打破

3D NAND flash大戰開打 三星獨霸局面打破

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三星擴大西安3D NAND工廠設施,新投資數十億美元

根據AnandTech的報道,三星計劃投資數十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產設施。
2019-12-18 10:38:203458

三星960 Evo硬盤來襲,擁有全新架構和高端性能

固態硬盤市場的霸主三星,是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的,也是目前技術最強的,已經發展了代V-NAND閃存,堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517

西安2工廠NAND Flash開始量產以應對市場需求

三星在該工廠主要量產用于智能手機,PC,服務器等領域作為數據處理設備使用的 Nand Flash 記憶芯片。值得注意的是,通過垂直結構堆疊電路提高儲存容量的 3D Nand Flash 芯片便在此生產。
2020-03-20 16:03:57752

三星正在研發160層及以上的3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776

三星正在開發160堆棧3D閃存 將大幅改進制造工藝

上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術,QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創造了個世界第一。國產閃存突飛猛進,三星等公司也沒閑著,三星正在開發160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834

三星宣布硅驗證3D IC封裝技術可投入使用

日前,三星電子宣布,由三星為業內最先進工藝節點專門研發的硅驗證3D IC封裝技術,eXtended-Cube,簡稱為X-cube,已經可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

三星3D IC封裝技術X-Cube,讓速度和能源效益大幅提升

三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技術,確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節點時,也能穩定聯通。
2020-08-17 17:58:411671

三星為什么部署3D芯片封裝技術

三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭,因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術。
2020-09-20 12:09:163743

3D全息顯示時代將到來!三星打造全息屏幕原型 2D屏上現3D圖像

在屏幕顯示技術上,三星確實擁有不俗的實力,但過往的技術也只是基于2D平面顯示,而在三星看來,未來是屬于3D的。三星已經朝著全息圖邁出了堅實的一步,它的原型薄板設備能以4K分辨率顯示3D圖像,并具有
2020-11-13 10:17:543302

未來的3D NAND將如何發展?

NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著 2D NAND 容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND 的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未來的3D NAND將如何發展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

3D NAND 路線圖:三星最早入局,長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領先存儲公司的閃存路線圖,包括三星、鎧俠(原東
2020-11-20 17:15:444306

3D NAND技術堆疊將走向何方?

發展至今,NAND Flash已呈現白熱化階段。就在前不久,存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”,2019年6月SK海力士發布128層TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:218286

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:551379

三星第8代V-NAND已開始量產

三星采用 3D 縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。通過這項技術,三星顯著的提升每片晶圓的存儲密度,使三星的存儲密度達到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:293142

三星將于2024年量產超300層3D NAND芯片

 最近,三星集團援引業界有關負責人的話表示,計劃到2024年批量生產300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后,將其一起組裝的dual stack技術。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術。
2023-08-18 11:09:052015

NOR Flash價格持續走低,三星NAND減產有望利好

業界認為,三星電子的減產可能會帶來3d nand價格上漲的效果,從而可能會改變nor、slc nand的購買戰略。美國外國人認為,slc nand和nore產品第四季度不會上調價格。
2023-09-11 11:35:042024

三星2024年將推出先進3D芯片封裝技術SAINT

三星計劃在2024年先進3D芯片封裝技術SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高級互連技術),能以更小尺寸的封裝,將AI芯片等高性能芯片的內存和處理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

三星開發裸眼3D游戲顯示器

在2024年的國際消費電子展(CES 2024)上,三星展示了一款令人驚艷的裸眼3D游戲顯示器。這款顯示器獨特之處在于,用戶無需佩戴任何可穿戴設備,就能享受到沉浸式的3D/VR體驗。
2024-01-09 15:36:541482

三星在硅谷建立3D DRAM研發實驗室

三星電子,全球領先的存儲芯片制造商,近日宣布在美國設立新的研究實驗室,專注于開發新一代3D DRAM技術。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA),負責三星在美國的半導體生產。
2024-01-30 10:48:461306

三星將推出GDDR7產品及280層堆疊的3D QLC NAND技術

三星將在IEEE國際固態電路研討會上展示其GDDR7產品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術。
2024-02-01 10:35:311299

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星即將量產290層V-NAND閃存

據韓國業界消息,三星最早將于本月開始量產當前業界密度最高的290層第九代V-NAND3D NAND)閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星已成功開發16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發出16層3D DRAM技術。同時,他透露,競爭對手美光也已將其3D DRAM技術擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

三星將于今年內推出3D HBM芯片封裝服務

近日,據韓國媒體報道,全球領先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內存(HBM)的3D封裝服務。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的,同時也得到了業內消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643

預期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準備沖擊1000層

電子發燒友網報道(文/黃山明)近日,鎧俠再次宣布,將在2027年實現3D NAND的1000層堆疊,而此前鎧俠計劃是在2031年批量生產超1000層的3D NAND存儲器。三星也在此前表示,將在
2024-06-29 00:03:008061

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