9月26日，韓國首爾，英特爾在“ Memory＆Storage Day 2019”活動上公布了SSD產品的技術路線圖。其中，該公司還詳細闡述了SSD產品（如英特爾660p）中使用的QLC NAND技術。

繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC

3D NAND是當前SSD中常用的閃存技術。換句話說，只有一層的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情況下增加容量。然而，在像高層建筑物中那樣允許單元（NAND的最小單位）沿3D方向存儲的3D NAND中，容量可以隨著層數的增加而增加。

英特爾的3D NAND于2016年被商業化為第一代32層TLC NAND。NAND閃存具有多種方法，具體取決于可存儲在一個單元中的數據量。如果可以在一個單元中存儲多個數據，則具有可以實現更大容量的優點，但是卻存在速度和耐用性降低的缺點。當前，由于容量，性能和耐用性之間的平衡，MLC和TLC變得越來越流行，現在可以以較低成本實現更高容量的QLC處于擴散階段。

英特爾于2017年推出了具有64層QLC的第二代3D NAND，該產品用于Intel 660p的客戶端產品中。即使具有2TB這樣的大容量，Intel 660p的價格也將比TLC NAND便宜得多，這使其成為一種以SSD速度滿足大容量需求的產品。

圖2：服務器路線圖

英特爾將于今年（2019年）推出的第三代產品是96層QLC。作為96層QLC，英特爾已經解釋說，“ 665p”是“ 660p”的后續產品，它已經計劃并即將推出。計劃為數據中心計劃“ Cliffdale-R”（開發代碼名稱），該中心計劃于2020年啟動。

此外，英特爾還透露了144層QLC，計劃于2020年推出新產品。基于144層QLC的產品將是“ Arbordale +”（開發代碼名稱），并將在數據中心推出。

成功開發出可實現更大容量SSD的5bit /單元技術

此外，英特爾已經成功開發出一種技術，該技術使用該公司用于3D NAND的浮柵單元技術在一個單元中存儲5位數據，并且將來將實現5bit /cell的產品。

目前，這是一種5bit /cell的技術，尚無諸如SLC / MLC / TLC / QLC之類的名稱，但是如果實現了，我們希望在產品中早日實現，以便可以實現更大容量的SSD。